半导体加工用压敏粘合片制造技术

本发明专利技术涉及半导体加工用压敏粘合片。提供一种在不降低成品率的情况下适当地保护半导体晶片的半导体加工用压敏粘合片。半导体加工用压敏粘合片包括压敏粘合剂层和基材。该半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片加热翘曲评价中示出翘曲量为0mm～5mm，并且在外周肋晶片挠曲评价中示出挠曲量为0mm～5mm。挠曲评价中示出挠曲量为0mm～5mm。挠曲评价中示出挠曲量为0mm～5mm。

【技术实现步骤摘要】
半导体加工用压敏粘合片
[0001]本申请根据35 U.S.C.119节要求2020年6月2日提交的日本专利申请No.2020
‑
096050的优先权，其内容通过引用而并入本文中。


[0002]本专利技术涉及半导体加工用压敏粘合片。

技术介绍

[0003]在背面磨削工艺(backgrinding process)中，可以将半导体晶片磨削到难以单独处理晶片的厚度。因此，为了改善后续工艺中的可操作性，半导体晶片已经经由粘合剂固定到支承晶片(support wafer)上。然而，在将半导体晶片从支承晶片上剥离时，需要用溶剂对粘合剂进行溶解处理，因此出现了成本和环境负荷方面的问题。
[0004]近年来，通过背面磨削工艺而变薄的状态的半导体晶片已经进行了加热工序如离子注入工艺或退火处理工艺。因此，已经提出了一种不仅在背面磨削工艺中而且在加热工序中用压敏粘合片保护半导体晶片的技术(日本专利申请特开No.2005
‑
236032)。然而，存在加热时在其上贴合有压敏粘合片的半导体晶片中发生翘曲的问题。当发生翘曲时，存在用装置输送晶片变得困难，因此成品率(yield)降低的风险。
[0005]作为确保可操作性的技术，已经提出了一种形成其外周比其内侧更厚的这样的半导体晶片(所谓的TAIKO(商标)晶片，以下也称为“外周肋晶片”)的方法(日本专利No.5,390,740)。根据该技术，加热工序可以通过单独使用半导体晶片来进行。然而，在单独处理TAIKO晶片时，将半导体晶片的表面(电路面)暴露，因此，电路面的污染、或损坏等易于发生。因此，可能不能以充分的成品率获得产品。进一步，为了改善半导体装置的生产效率，已经提出了晶片直径的增加。随着外周肋晶片直径的增加，在晶片中会发生挠曲。当发生挠曲时，存在用装置输送半导体晶片变得困难，因此成品率降低的风险。

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]已经做出本专利技术以解决相关技术的问题，并且本专利技术的目的为提供一种在不降低成品率的情况下适当地保护半导体晶片的半导体加工用压敏粘合片。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]根据本专利技术的至少一个实施方案，提供一种半导体加工用压敏粘合片，其包括压敏粘合剂层和基材。所述半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片加热翘曲评价中示出翘曲量为0mm～5mm，并且在外周肋晶片挠曲评价中示出挠曲量为0mm～5mm。
[0010]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述基材的23℃下的储能弹性模量为2
×
109Pa以上，并且180℃下的储能弹性模量为2
×
108Pa以上。
[0011]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述基材的厚度为50μm～200μm。
[0012]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述半导体加工用压敏粘合片进一步包括缓和
层。
[0013]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述缓和层包含通过将(甲基)丙烯酸系聚合物交联而获得的交联产物。
[0014]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物不含(甲基)丙烯酸作为单体组分。
[0015]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物包含0.1mol％～8mol％的含羟基的(甲基)丙烯酸系单体。
[0016]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物包含50mol％～99mol％的具有4个以下的碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸系单体。
[0017]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述压敏粘合剂层包含UV固化型压敏粘合剂。
[0018]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述缓和层没有UV固化能力。
附图说明
[0019]图1为根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片的示意性截面图。
[0020]图2为根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片的示意性截面图。
[0021]图3为用于说明在外周肋晶片挠曲评价中测量挠曲的方法的示意图。
具体实施方式
[0022]A.半导体加工用压敏粘合片的整体构造
[0023]图1为根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片的示意性截面图。半导体加工用压敏粘合片100包括基材10和设置在基材的一个表面上的压敏粘合剂层20。半导体加工用压敏粘合片可以包括任意合适的其它层(未示出)。例如，任意合适的层可以在基材和压敏粘合剂层之间形成。图2为根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片的示意性截面图。在该实施方案中，半导体加工用压敏粘合片100依次包括基材10、缓和层30、和压敏粘合剂层20。在图示的实例中，基材10为单层，但是半导体加工用压敏粘合片可以包括两个以上的基材。两个以上的基材可以层叠以便彼此接触，或者基材可以通过任意其它层作中间层(intermediation)来层叠。例如，在半导体加工用压敏粘合片中，可以依次层叠第一基材、缓和层、第二基材、和压敏粘合剂层。直至使用半导体加工用压敏粘合片前，出于保护压敏粘合剂层的目的，隔离体可以设置在压敏粘合剂层的外侧。
[0024]在本专利技术的至少一个实施方案中，半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片加热翘曲评价中的翘曲量为0mm～5mm。当外周肋晶片加热翘曲评价中的翘曲量落入该范围内时，即使在其中将半导体加工用压敏粘合片贴合于其上的状态下对晶片进行加热工序的情况下，也可以抑制其翘曲的发生，并且因此可以有效地进行利用装置的晶片的输送。因此，可以抑制成品率的降低。在外周肋晶片加热翘曲评价中的翘曲量优选为0mm～4.5mm、更优选0mm～4mm、还更优选0mm～3.5mm。翘曲量优选为尽可能小的值。在本说明书中，在外周肋晶片加热翘曲评价中的翘曲量是指通过后述实施例中所述的方法测量的值。
[0025]在本专利技术的至少一个实施方案中，半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片挠曲评
价中的挠曲量为0mm～5mm。当挠曲量落入该范围内时，即使在其中半导体晶片的直径增加的情况下，也可以适当地支承晶片，并且因此可以防止成品率的降低。进一步，可以有效地进行利用装置的晶片的输送，并且因此可以防止成品率的降低。在外周肋晶片挠曲评价中的挠曲量优选为0mm～4.5mm、更优选0mm～4mm、还更优选0mm～3.5mm。挠曲量优选为尽可能小的值。在本说明书中，在外周肋晶片挠曲评价中的挠曲量是指通过后述实施例中所述的方法测量的值。
[0026]根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体加工用压敏粘合片的厚度可以设定为任意合适的厚度。例如，半导体加工用压敏粘合片的厚度优选为50μm～900μm、更优选100μm～800μm、还更优选150μm～750μm。当厚度落入该范围内时，即使在其中该片进行加热工序的情况下，该片也可以适当地支承半导体晶片，并且因此可以维持其可操作性。另外，可以有效地进行利用装置的晶片的输送，并且因此可以防止成品率的降低。当厚度大于900μm时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工用压敏粘合片，其包括：压敏粘合剂层；和基材，所述半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片加热翘曲评价中示出翘曲量为0mm～5mm，并且在外周肋晶片挠曲评价中示出挠曲量为0mm～5mm。2.根据权利要求1所述的半导体加工用压敏粘合片，其中所述基材的23℃下的储能弹性模量为2
×
109Pa以上，并且180℃下的储能弹性模量为2
×
108Pa以上。3.根据权利要求1所述的半导体加工用压敏粘合片，其中所述基材的厚度为50μm～200μm。4.根据权利要求1所述的半导体加工用压敏粘合片，其进一步包括缓和层。5.根据权利要求4所述的半导体加工用压敏粘合片，其中所述缓和层包含通过将(...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中俊平，河野广希，植野大树，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：