α-突触核蛋白感测薄膜及其制造方法与用途技术

本发明专利技术关于一种α

【技术实现步骤摘要】
α
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突触核蛋白感测薄膜及其制造方法与用途


[0001]本专利技术是关于一种α
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突触核蛋白感测薄膜及其制造方法与用途，是使用α
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突触核蛋白印迹于高分子聚合物上，以制得α
‑
突触核蛋白感测薄膜，并用于检测样本中的α
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突触核蛋白。

技术介绍

[0002]α
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突触核蛋白(α
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synuclein)在人脑组织中的含量高，其在细胞中主要分布于神经细胞的尖端，目前认为α
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突触核蛋白与调节多巴胺(dopamine)的释放有关。正常的α
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突触核蛋白为可溶性蛋白，但是发生变异后的α
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突触核蛋白会大量堆积在神经元内部，且无法被清除，进而影响到脑部的正常功能，甚至会使神经元大量死亡；目前认为α
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突触核蛋白与多种神经性退化疾病，例如巴金森氏症(Parkinson
’
s disease)、路易氏体失智症(dementia with Lewy bodies)或是多发性系统萎缩症(multiple system atrophy)都有关连性。
[0003]现今检测血清或血浆中α
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突触核蛋白的方法主要是利用抗体检测α
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突触核蛋白，例如CN109001452A公开揭露了一种α
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突触核蛋白积聚的检测探针，是以磁性颗粒为载体，并在其表面连接α
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>突触核蛋白单株抗体，以合成一种可检测帕金森氏病的探针；CN109180812A公开揭露了一种识别α
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突触核蛋白的抗体，此抗体会结合到α
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突触核蛋白的第118～126氨基酸，以诊断α
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突触核蛋白的相关疾病。然而，抗体的筛选与制备不易，且以抗体检测α
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突触核蛋白的方法所需要的时间也较高，因此在使用上不仅成本较高，且不方便。

技术实现思路

[0004]本专利技术是关于一种α
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突触核蛋白感测薄膜及其制造方法与用途，是使用α
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突触核蛋白的多肽片段印迹于高分子聚合物上，以制得α
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突触核蛋白感测薄膜，并用于检测样本中的α
‑
突触核蛋白。
[0005]本专利技术揭露的α
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突触核蛋白感测薄膜，包含一基板以及一聚合于基板上的多个α
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突触核蛋白辨识聚合物，其中每一所述α
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突触核蛋白辨识聚合物表面具有多个可辨识α
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突触核蛋白的微孔洞。
[0006]本专利技术亦揭露一种制备α
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突触核蛋白感测薄膜的方法，是将一α
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突触核蛋白多肽与一高分子聚合物单体混合，以电聚合方法设置于一导电基板上，其中所述α
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突触核蛋白多肽序列是选自由SEQ ID NO:1、SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:3以及SEQ ID NO:4所构成的群组。
[0007]本专利技术也揭露一种检测α
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突触核蛋白的方法，是将一待测样本与一α
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突触核蛋白感测薄膜反应，以检测所述待测样本中的α
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突触核蛋白，其中所述α
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突触核蛋白感测薄膜包含一基板以及一聚合于所述基板上的多个α
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突触核蛋白辨识聚合物，且其中每一所述α
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突触核蛋白辨识聚合物表面具有多个可辨识α
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突触核蛋白的微孔洞。
[0008]于本专利技术的一实施例中，基板为导电基板，α
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突触核蛋白辨识聚合物为α
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突触核蛋白多肽印迹的高分子聚合物。
[0009]于本专利技术的一实施例中，导电基板为氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)基板、PET可挠式导电玻璃基板、掺铝氧化锌(AZO)导电基板、掺氟氧化锡(FTO)导电基板与二氧化硅导电基板其中至少一种，且所述高分子聚合物的单体为3，4
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亚乙基二氧噻吩(3，4
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ethylenefioxythiophene，简称EDOT)以及羟甲基3，4
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二氧乙基噻吩(hydroxymethyl 3，4
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ethylenedioxy
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thiophene，简称EDOT
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OH)其中至少一种。
[0010]于本专利技术的一实施例中，α
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突触核蛋白多肽序列是选自由SEQ ID NO:1、SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:3以及SEQ ID NO:4所构成的群组。
[0011]于本专利技术的一实施例中，α
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突触核蛋白感测薄膜的电流密度介于0.01～500mA。
[0012]于本专利技术的一实施例中，待测样本为一血液样本、一尿液样本、一唾液样本、一汗液样本、一泪液样本、一脑脊液样本或是自组织或器官中获得的样本其中至少一种。
[0013]由此，本专利技术制得的α
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突触核蛋白感测薄膜，是将α
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突触核蛋白多肽与高分子材料混合后，经过电聚合反应，以在一基板上形成可辨识α
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突触核蛋白的聚合物，其能专一性辨识并结合α
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突触核蛋白，且使用上相当方便。
附图说明
[0014]图1为本专利技术α
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突触核蛋白感测薄膜的制造方法示意图。
[0015]图2为本专利技术α
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突触核蛋白感测薄膜的安培法检测分析图。
[0016]图3为本专利技术α
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突触核蛋白感测薄膜的接触角分析图。
[0017]图4为本专利技术α
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突触核蛋白感测薄膜的扫描式电子显微镜照片。
[0018]图5为本专利技术α
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突触核蛋白感测薄膜的扫描式原子力显微镜照片以多肽1、多肽2或多肽3印迹的α
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突触核蛋白感测薄膜的电流密度差值分析图。
[0019]图6为本专利技术以多肽1、多肽2或多肽3印迹的α
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突触核蛋白感测薄膜的电流密度差值分析图。
[0020]图7为本专利技术的多肽3印迹的α
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突触核蛋白感测薄膜的电流密度差值分析图。
[0021]图8为本专利技术α
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突触核蛋白感测薄膜的电流密度差值分析图。
[0022]图9为本专利技术α
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突触核蛋白感测薄膜的电流密度对应扫描速率的平方根分析图。
[0023]图10为本专利技术以多肽4与硫化钨印迹的α
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突触核蛋白感测薄膜的电流密度分析图。
[0024]图11为本专利技术α
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突触核蛋白感测薄膜的循环伏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种α
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突触核蛋白感测薄膜，其包含一基板以及一聚合于所述基板上的多个α
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突触核蛋白辨识聚合物，其中每一所述α
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突触核蛋白辨识聚合物表面具有多个可辨识α
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突触核蛋白的微孔洞。2.根据权利要求1所述的α
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突触核蛋白感测薄膜，其中所述基板为导电基板，所述α
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突触核蛋白辨识聚合物为α
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突触核蛋白多肽印迹的高分子聚合物。3.根据权利要求2所述的α
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突触核蛋白感测薄膜，其中所述导电基板为一氧化铟锡基板，且所述高分子聚合物的单体为3，4
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亚乙基二氧噻吩以及羟甲基3，4
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二氧乙基噻吩单体其中至少一种。4.根据权利要求2所述的α
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突触核蛋白感测薄膜，其中所述α
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突触核蛋白多肽的序列是选自由SEQ ID NO:1、SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:3以及SEQ ID NO:4所构成的群组。5.根据权利要求1所述的α
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突触核蛋白感测薄膜，所述α
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突触核蛋白感测薄膜的电流密度介于0.01～500mA。6.一种制备α
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突触核蛋白感测薄膜的方法，其是将一α
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突触核蛋白多肽与一高分子聚合物单体混合，并以电聚合方法聚合于一导电基板上，其中所述α
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突触核蛋白多肽序列是选自由SEQ ID NO:1、SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:3以及SEQ ID NO:4所构成的群组。7.根据权利要求6所述的制备α

【专利技术属性】
技术研发人员：林宏殷，罗世强，李玫桦，苏子麟，
申请(专利权)人：陈月端，
类型：发明
国别省市：