一种电子产品及其形成方法技术

本发明专利技术涉及终端技术领域，公开了一种电子产品及其形成方法，该电子产品包括正交缺陷地共面波导平面传输线结构。而该结构包括：印刷电路板，印刷电路板包括顶面和底面；共面波导平面传输线和顶层参考地，共面波导平面传输线包括沿第一方向排列的第一端口、阻抗线段和第二端口；顶层参考地设于共面波导平面传输线周侧，且顶层参考地设有两个开口朝向共面波导平面传输线的顶层凹槽；沿第二方向，两个顶层凹槽形成对照空间，阻抗线段位于对照空间；底层参考地，底层参考地具有沿第一方向延伸的底层凹槽；共面波导平面传输线在底面的正投影覆盖底层凹槽在底面的正投影。上述电子产品可以在不增加印制板尺寸的情况下实现毫米波频段超宽带阻抗匹配。宽带阻抗匹配。宽带阻抗匹配。

【技术实现步骤摘要】
一种电子产品及其形成方法


[0001]本专利技术涉及终端
，特别涉及一种电子产品及其形成方法。

技术介绍

[0002]全球性5G标准5GNR是下一代非常重要的蜂窝移动技术基础。5GNR中的FR2频段为毫米波频段，带宽多达10GHz。由于毫米波信号衰减快，要求传输线尺寸尽量短。现有电子产品一般在印刷版上形成共面波导平面传输线结构，以实现超宽带阻抗匹配。
[0003]在目前，典型的技术包括增加开路或短路微带线枝节，并通过调节枝节长度实现阻抗匹配。但这样会增加传输线和印制板的尺寸，不利于终端产品的小型化。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种电子产品及其形成方法，上述电子产品在不增加印制板尺寸的情况下实现毫米波频段超宽带阻抗匹配。
[0005]为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种电子产品，包括正交缺陷地共面波导平面传输线结构，该正交缺陷地共面波导平面传输线结构包括：
[0007]印刷电路板，所述印刷电路板包括相对设置的顶面和底面；
[0008]设于所述顶面的共面波导平面传输线和顶层参考地，所述共面波导平面传输线包括沿第一方向排列的第一端口、阻抗线段和第二端口，所述阻抗线段与所述第一端口以及所述第二端口间均设有过渡段；所述顶层参考地设于所述共面波导平面传输线的周侧，且所述顶层参考地上设有两个开口朝向所述共面波导平面传输线的顶层凹槽；所述两个顶层凹槽沿与所述第一方向垂直的第二方相对设于所述共面波导平面传输线两侧；且沿第二方向，两个所述顶层凹槽的槽底间形成对照空间，所述阻抗线段位于所述对照空间内；
[0009]设于所述底面的底层参考地，所述底层参考地具有沿第一方向延伸的底层凹槽；所述共面波导平面传输线在所述底面的正投影覆盖所述底层凹槽在所述底面的正投影；且所述底层参考地与所述顶层参考地形成正交缺陷地结构，以使所述共面波导平面传输线的阻抗不连续点位于所述电子产品的工作频带之外。
[0010]上述电子产品中，电子产品包括正交缺陷地共面波导平面传输线结构。而该正交缺陷地共面波导平面传输线结构包括印刷电路板、共面波导平面传输线、顶层参考地和底层参考地。具体来看，印刷电路板包括顶面和底面，二者相对设置。共面波导平面传输线设置在顶面上。从结构上来看，共面波导平面传输线包括沿第一方向排列的第一端口、阻抗线段和第二端口。在阻抗线段与第一端口和第二端口均间设有过渡段。顶层参考地也设于印刷电路板的顶面，其具体分布在共面波导平面传输线的周侧。顶层参考地具有沿第二方向设于共面波导平面传输线两侧的两个顶层凹槽，且两个顶层凹槽中的每个顶层凹槽的开口均朝向共面波导平面传输线。由于两个顶层凹槽的开口相对，则两个顶层凹槽的槽底间形成对照空间，阻抗线段位于对照空间内。换句话说，两个顶层凹槽中的一个顶层凹槽在第一
方向上的两个侧边在第二方向上的延伸线与另一个顶层凹槽在第一方向上的两个侧边的在第二方向上的延伸线重合，在连接对应的侧边后，两个顶层凹槽间形成对照空间，阻抗线段位于该对照空间内。至于底层参考地，其形成在印刷电路板的底面上。该底层参考地具有沿第一方向延伸的底层凹槽，且共面波导平面传输线在底面的正投影覆盖该底层凹槽在底面的正投影。
[0011]本专利技术提供的电子产品中顶层参考地上形成有沿第二方向排列的两个顶层凹槽，底层参考地上形成有沿第一方向延伸的底层凹槽，即顶层参考地与底层参考地形成正交缺陷地结构。受该正交缺陷地结构的影响，共面波导平面传输线与正交缺陷地之间在耦合时，共面波导平面传输线的阻抗不连续点可以移动到工作频带之外，从而在不增加印制板尺寸的情况下实现毫米波频段超宽带阻抗匹配。
[0012]因此，上述电子产品在不增加印制板尺寸的情况下实现毫米波频段超宽带阻抗匹配。
[0013]可选地，沿第一方向，所述底层凹槽的尺寸等于所述共面波导平面传输线的尺寸。
[0014]可选地，沿所述第一方向，所述底层凹槽包括主体段以及设于所述主体段两侧的延伸段；所述主体段在第一方向上的尺寸与每个所述顶层凹槽在第一方向上的尺寸相等，且所述主体段在第二方向上的尺寸与每个所述顶层凹槽在第二方向上的尺寸相等。
[0015]可选地，沿第一方向，所述顶层凹槽在所述底面正投影的中线与所述底层凹槽在所述底面正投影中线重合。
[0016]可选地，沿第一方向，所述共面波导平面传输线与所述顶层参考地间具有间隙。
[0017]可选地，沿第二方向，所述阻抗线段的尺寸大于所述过渡段的尺寸。
[0018]可选地，所述阻抗线段为50欧姆阻抗线段。
[0019]可选地，本专利技术提供的电子产品还包括放大器，所述正交缺陷地共面波导平面传输线结构与所述放大器的输入端信号连接；或者，
[0020]所述正交缺陷地共面波导平面传输线结构与所述放大器的输出端信号连接。
[0021]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种正交缺陷地的共面波导平面传输线结构的形成方法，包括：
[0022]确定印刷电路板顶面上的共面波导平面传输线在毫米波工作频段内的原始阻抗匹配；所述共面波导平面传输线包括沿第一方向排列的第一端口、阻抗线段和第二端口，所述阻抗线段与所述第一端口以及所述第二端口间均设有过渡段；
[0023]在顶层参考地上形成两个开口朝向所述共面波导平面传输线的顶层凹槽；所述两个顶层凹槽沿与所述第一方向垂直的第二方向相对设于所述共面波导平面传输线两侧；且沿第二方向，两个所述顶层凹槽的槽底间形成对照空间，所述阻抗线段位于所述对照空间内；
[0024]在底层参考地上形成沿第一方向延伸的底层凹槽，所述共面波导平面传输线在所述底面的正投影覆盖所述底层凹槽在所述底面的正投影；所述底层参考地与所述顶层参考地形成正交缺陷地结构，以使所述共面波导平面传输线的阻抗不连续点位于所述电子产品的工作频带之外。
[0025]可选地，所述方法还包括：
[0026]调节所述顶层参考地与所述底层参考地形成的正交缺陷地的形状，进行所述正交
缺陷地与所述共面波导平面传输线的阻抗匹配。
附图说明
[0027]图1为本专利技术实施例提供的电子产品的结构图；
[0028]图2为图1中的正交缺陷地共面波导平面传输线的正面结构图；
[0029]图3为图1中的正交缺陷地共面波导平面传输线的又一正面结构图；
[0030]图4为图1中的正交缺陷地共面波导平面传输线的背面结构图；
[0031]图5为图1中的正交缺陷地共面波导平面传输线的结构图；
[0032]图6为本专利技术实施例提供的电子产品的形成方法流程图；
[0033]图7至图10为图1中的正交缺陷地共面波导平面传输线的一组模拟图；
[0034]图11至图14为图1中的正交缺陷地共面波导平面传输线的又一组模拟图。
[0035]图标：001-电子产品；01-正交缺陷地共面波导平面传输线结构；02-放大器；1-印刷电路板；2-共面波导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子产品，其特征在于，包括正交缺陷地共面波导平面传输线结构，所述正交缺陷地共面波导平面传输线结构包括：印刷电路板，所述印刷电路板包括相对设置的顶面和底面；设于所述顶面的共面波导平面传输线和顶层参考地，所述共面波导平面传输线包括沿第一方向排列的第一端口、阻抗线段和第二端口，所述阻抗线段与所述第一端口以及所述第二端口间均设有过渡段；所述顶层参考地设于所述共面波导平面传输线的周侧，且所述顶层参考地上设有两个开口朝向所述共面波导平面传输线的顶层凹槽；所述两个顶层凹槽沿与所述第一方向垂直的第二方相对设于所述共面波导平面传输线两侧；且沿第二方向，两个所述顶层凹槽的槽底间形成对照空间，所述阻抗线段位于所述对照空间内；设于所述底面的底层参考地，所述底层参考地具有沿第一方向延伸的底层凹槽；所述共面波导平面传输线在所述底面的正投影覆盖所述底层凹槽在所述底面的正投影；且所述底层参考地与所述顶层参考地形成正交缺陷地结构，以使所述共面波导平面传输线的阻抗不连续点位于所述电子产品的工作频带之外。2.根据权利要求1所述的电子产品，其特征在于，沿第一方向，所述底层凹槽的尺寸等于所述共面波导平面传输线的尺寸。3.根据权利要求2所述的电子产品，其特征在于，沿所述第一方向，所述底层凹槽包括主体段以及设于所述主体段两侧的延伸段；所述主体段在第一方向上的尺寸与每个所述顶层凹槽在第一方向上的尺寸相等，且所述主体段在第二方向上的尺寸与每个所述顶层凹槽在第二方向上的尺寸相等。4.根据权利要求3所述的电子产品，其特征在于，沿第一方向，所述顶层凹槽在所述底面正投影的中线与所述底层凹槽在所述底面正投影中线重合。5.根据权利要求1所述的电子产品，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张世磊，马桂帅，
申请(专利权)人：海信集团有限公司，
类型：发明
国别省市：