【技术实现步骤摘要】
本专利技术的高介电常数低介电损耗膜属于电气行业制作电容器和绝缘材料的高分子聚合物共混改性薄膜材料。电子元件之一的电容器的小型化、大容量是电子工业中的重大课题。人们往往从减小薄膜厚度;研制新型高分子材料和将现有工业用高分子材料改性等角度着手解决。近年来,我国先后引进数条电子膜生产线,虽耗资几千万,却仍达不到满意的工艺指标,同时每减小1μ厚度,即使使用进口设备和原料,也得耗费大量的人力物力,况且薄膜厚度的减小总是有限度的。电子工业目前最常用的薄膜材料如聚丙烯、涤纶等,它们的介电常数都比较低,在此有限条件下,即使大幅度减小薄膜厚度,也难以满足电容器小型化的需要。按照日本、美国、法国等技术先进的国家长期研究的理论依据表明,只有高介电常数低介电损耗同时得到满足并且容易加工的材料,才能最终使制成的电容器达到小型化与大容量要求。美国专利(US 4353107)使用等规聚丙烯与等规聚丁烯-1混合物在热甲苯溶液中沉淀,然后在真空条件下压制薄膜,再用传统的镀铝技术进行金属化,所得到的金属化薄膜通过双向定向拉伸与金属片组成电容器,虽然它具备了在高压电流下所必需的低介电损耗性能,但其介电常数只有2.48-2.54,所以用该膜制成的电容器不可能达到小型化大容量要求。英国专利(GB 1460183)提供了有关用聚丙烯和涤纶薄膜复合制得的电容器的耐热性能技术。那是由双面都金属化的涤纶膜和非金属化的聚丙烯薄膜复合起来按照规定的尺寸同时被卷绕而成。虽然其耐热性能得到了改善,但其介电常数还是没有能得到提高。欧洲专利(EP 0060035A1)提供了一种用三元共混材料研制的薄膜。其中 ...
【技术保护点】
一种涉及高介电常数低介电损耗膜,其特征是:先将重量百分比为65-75%的聚丙烯去除杂质,除湿后加入混炼机中混炼10-15分钟,然后把重量百分比为25-35%丁腈橡胶去除杂质,除湿,破胶后加入到混炼机中,充分混合8-10分钟,混炼温度为185-190℃,制得共混物,最后将该共混物破碎后,在190℃温度下进行模压或挤出压延,以及双向拉伸制得各种规格厚度的高介电常数低介电损耗膜。
【技术特征摘要】
1.一种涉及高介电常数低介电损耗膜,其特征是先将重量百分比为65-75%的聚丙烯去除杂质,除湿后加入混炼机中混炼10-15分钟,然后把重量百分比为25-35%丁腈橡胶去除杂质,除湿,破胶后加入到混炼机中,充分混合8-10分钟,混炼温度为18...
【专利技术属性】
技术研发人员:毛立钧,陈家华,
申请(专利权)人:同济大学,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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