介电陶瓷组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种包含ＢａＴｉＯ↓［３］－Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］－Ｃｏ↓［３］Ｏ↓［４］化合物的介电陶瓷组合物。这种组合物包含总计为１．１－１．４摩尔％值的Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］和Ｃｏ↓［３］Ｏ↓［４］，其中Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］对Ｃｏ↓［３］Ｏ↓［４］的摩尔比值在４．４－５．０之间。本发明专利技术的组合物还包含按组合物重量计为０．０２－０．０６％（重量）的ＭｎＣＯ↓［３］、０．０２－０．２５％（重量）的Ｎｄ↓［２］Ｏ↓［３］、０．０２－０．１０％（重量）的Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］以及０．０５－０．１５％（重量）的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］。包含本发明专利技术的介电陶瓷材料的叠层陶瓷电容器在－５５℃到＋１２５℃的温度范围的电容变化率小于１５％，介电损耗小于３．５％，介电常数为４０００或其以上。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高介电陶瓷组合物，特别是涉及一种叠层的陶瓷电容，其已广泛地用于电子电路中，例如用在通信装置、电子计算机、电视机之类的电子装置中。由于这样一种叠层的陶瓷电容器特别是小尺寸的已表明具有大的容量和良好的温度特性。为了得到一种小尺寸和大容量的叠层陶瓷电容器已知一些包含具有高介电常数的陶瓷组合物和具有小的温度相关电容(TCC)的陶瓷组合物，其包含作为主要成分的BaTiO3以及添加到其中的铋化合物例如Bi2O3-TiO2、Bi2O3-SnO2、Bi2O3-ZrO2等。还已知这样一些组分，其主要包含BaTiO3，一些铋化合物、MgO和SiO2等作为添加剂添加到其中。然而，这种常规陶瓷组合物介电常数低，通常数值为1000到2000。当介电常数在正常的温度下提高时，温度相关电容(TCC)变大，介电损耗也变大，用于防止作为温度函数的电容(TCC)的变化而添加的铋化合物由于在烧结时Bi2O3的蒸发引起组合物中的不均匀，使得陶瓷组合物的电特性波动。此外，存在某种不适之处，即Bi2O3和用作形成叠层陶瓷电容时的内电极的Pd或者Pd-Ag彼此反应。在原理上，由于Pt不与Bi2O3相反应，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种介电陶瓷组合物，它包含ＢａＴｉＯ↓［３］－Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］－Ｃｏ↓［３］Ｏ↓［４］的化合物，其含总量为１．１－１．４摩尔％的Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］和Ｃｏ↓［３］Ｏ↓［４］，其中Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］对Ｃｏ↓［３］Ｏ↓［４］的摩尔比值为４．４－５．０，所述介电陶瓷组合物包含作为添加剂的按所述化合物重量计为：０．０２－０．０６％（重量）的ＭｎＣＯ↓［３］、０．０２－０．２５％（重量）的Ｎｄ↓［２］Ｏ↓［３］、０．０２－０．１０％（重量）的Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］和０．０５－０．１５％（重量）的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］。

【技术特征摘要】
JP 1997-12-1 347053/971.一种介电陶瓷组合物，它包含BaTiO3-Nb2O5-Co3O4的化合物，其含总量为1.1-1.4摩尔％的Nb2O5和Co3O4，其中Nb2O5对Co3O4的摩尔比值为4.4-5.0，所述介电陶瓷组合物包含作为...

【专利技术属性】
技术研发人员：H马殊穆拉，K塞托，A富吉，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]