单块陶瓷电子元件及其制造方法和陶瓷糊浆及其制造方法技术

单块陶瓷电子元件的制造方法，包括提供陶瓷淤浆、导电胶和陶瓷糊浆；形成多个复合结构，各自包括陶瓷淤浆形成的陶瓷坯料片，导电胶在该片材表面上形成的阶梯状内线路元件薄膜，用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层，该层是将陶瓷糊浆涂在坯料片表面上无元件薄膜区域制得的，从而基本补偿所述空隙；将复合结构叠合成叠合物坯料；以及烧制该叠合物坯料。还提供该方法制得的单块陶瓷电子元件，陶瓷糊浆和陶瓷糊浆的制造方法。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种单块陶瓷电子元件及其制造方法，并涉及陶瓷糊浆及其制造方法。更具体地说，本专利技术涉及的单块陶瓷电子元件包括形成于陶瓷片材之间的内线路元件薄膜，以及用于补偿由内线路元件薄膜形成的阶梯状区域造成的空隙的陶瓷层，形成的各陶瓷层使之形状与相应的薄膜相反；涉及这种电子元件的制造方法；并涉及能有利地形成所述陶瓷层的陶瓷糊浆及其制造方法。当制造单块陶瓷电子元件(如单块陶瓷电容器)时，先形成多块陶瓷坯料片，随后叠合这些坯料片。根据单块陶瓷电子元件所需的性能，在具体的陶瓷坯料片上形成内线路元件薄膜(如导电薄膜或电阻薄膜)，该薄膜可作为电容、电阻、电感、变阻器、滤波器等的元件。近年来对电子设备(如移动通讯设备)进行小型化并降低重量。例如，当将单块陶瓷电子元件作为电路元件用于这种电子设备中时，必须降低这种电子元件的大小和重量。例如，需要小尺寸和大容量的单块陶瓷电容器。制备单块陶瓷电容器的具体方法如下将介电陶瓷粉末、有机粘合剂、增塑剂和有机溶剂混合在一起制得陶瓷淤浆。用刮刀法或类似的方法在支承垫(如聚酯膜，它涂覆硅氧烷树脂作为剥离试剂)上将得到的陶瓷淤浆制成数十微米厚的片材，形成陶瓷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单块陶瓷电子元件的制造方法，它包括下列步骤：提供陶瓷淤浆、导电胶和陶瓷糊浆；形成多个复合结构，各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片，由导电胶局部施涂在陶瓷坯料片主表面上形成的内线路元件薄膜，从而造成阶梯状区域，以及用于补偿 该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层，所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域而制得的，从而基本补偿所述空隙；将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料；以及烧制该叠合物坯料，其中用于形成陶瓷糊浆的方法包括： 第一分散步骤，该步骤对含有陶瓷粉末和第一有机溶剂的第一混合物进行初次分散；第二分散步骤，该步骤对含有...

【技术特征摘要】
JP 1999-12-13 352634/99;JP 2000-10-19 319521/001．一种单块陶瓷电子元件的制造方法，它包括下列步骤提供陶瓷淤浆、导电胶和陶瓷糊浆；形成多个复合结构，各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片，由导电胶局部施涂在陶瓷坯料片主表面上形成的内线路元件薄膜，从而造成阶梯状区域，以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层，所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域而制得的，从而基本补偿所述空隙；将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料；以及烧制该叠合物坯料，其中用于形成陶瓷糊浆的方法包括第一分散步骤，该步骤对含有陶瓷粉末和第一有机溶剂的第一混合物进行初次分散；第二分散步骤，该步骤对含有有机粘合剂和经第一分散步骤处理的第一混合物的第二混合物进行二次分散；将相对蒸发速率低于第一有机溶剂的相对蒸发速率的第二有机溶剂加至第一混合物和/或第二混合物的步骤；以及通过加热第二混合物从该混合物中选择性地除去第一有机溶剂的步骤。2．如权利要求1所述的单块陶瓷电子元件的制造方法，其特征在于在第一分散步骤中所述第一混合物包括有机分散剂。3．如权利要求1或2所述的单块陶瓷电子元件的制造方法，其特征在于第一有机溶剂在20℃的相对蒸发速率为100或更高，第二有机溶剂在20℃的相对蒸发速率为50或更低。4．如权利要求1-3中任何一项权利要求所述的单块陶瓷电子元件的制造方法，其特征在于形成陶瓷糊浆的方法还包括在第二分散步骤后但除去步骤前过滤第二混合物的步骤。5．如权利要求1-4中任何一项权利要求所述的单块陶瓷电子元件的制造方法，其特征在于形成陶瓷糊浆的方法还包括将有机粘合剂溶解在第一有机溶剂和/或第二有机溶剂中，形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫崎信，田中觉，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]