【技术实现步骤摘要】
技术介绍
本专利技术涉及铌粉末和使用该铌粉末的电解电容器，以及制备该粉末和电解电容器的方法。多年来，许多研究者的目的是开发铌电解电容器，因为与各种其它金属相比铌氧化物具有高的介电常数和较低的成本。最初，本领域的研究者们考虑了用铌作为钽电容器替代品的可能性。因此，进行了许多研究，以确定用铌代替钽的适合性。然而，在这些研究的某些研究中，得出的结论是铌具有需要解决的严重的本质缺陷，因此推断铌不是可接受的钽的替代品(参见J.Electrochem.Soc.第408C页，1997年12月)。在另一项研究中，得到的结论是，在固体电解电容器中使用铌看起来不太可能，这是由于各种物理和机械问题，如区域结晶(参见电元件科学和技术(Electrocomponent Science and Technology)，第1卷，第27-37页(1974))。另外，在又一项研究中，研究者们得出的结论是，在铌上形成的阳极钝化膜与钽的电性能不同，并且使用铌将带来使用钽所没有的复杂问题(参见Electrochimica Act.，第40卷，no.16，第2623-26页(1995))。因此，虽然最初的希...
【技术保护点】
一种铌粉末，其中当所述的粉末形成电解电容器阳极时，该阳极具有至少６５０００ＣＶ／ｇ的电容。
【技术特征摘要】
US 1999-5-12 09/310,3221.一种铌粉末，其中当所述的粉末形成电解电容器阳极时，该阳极具有至少65000CV/g的电容。2.权利要求1的铌粉末，其中所述的阳极具有65000至约250000CV/g的电容。3.权利要求1的铌粉末，其中所述的阳极具有75000至约250000CV/g的电容。4.权利要求1的铌粉末，其中所述的阳极具有100000至约250000CV/g的电容。5.权利要求1的铌粉末，其中所述的阳极具有125000至约250000CV/g的电容。6.权利要求1的铌粉末，其中所述的阳极具有100000至约210000CV/g的电容。7.一种铌粉末，该铌粉末具有至少约5.5m2/g的BET表面积。8.权利要求7的铌粉末，其中该铌粉末具有至少约7.0m2/g的BET表面积。9.权利要求7的铌粉末，其中该铌粉末具有至少约10m2/g的BET表面积。10.权利要求7的铌粉末，其中该铌粉末具有约6.0至约12m2/g的BET表面积。11.权利要求1-10中任一项的铌粉末，其中该铌粉末具有小于约400ppm的磷含量。12.权利要求1-11中任一项的铌粉末，其中该铌粉为氮掺杂的。13.权利要求1-11中任一项的铌粉末，其中该铌粉中存在的氮至少为约100ppm。14.权利要求1-11中任一项的铌粉末，其中该铌粉存在的氮含量为约100至约5000ppm。15.权利要求1-11中任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员：库尔特A哈贝克，詹姆斯A法伊夫，
申请(专利权)人：卡伯特公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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