【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用作例如叠层陶瓷电容器等电子部件的电介质层等的 电介质陶瓷组合物及其制造方法，以及具有该电介质陶瓷组合物作为 电介质层的电子部件.
技术介绍
作为电子部件的一个例子的叠层陶瓷电容器是如下制造的，例如 在含有规定的电介质陶瓷组合物的陶瓷生片上印刷规定困案的内部电 极，将它们多片交替重叠，然后一体化得到生芯片，对其进行同时烧 结.为了通过烧结与陶瓷电介质一体化，叠层陶瓷电容器的内部电极 层必须选择不与陶瓷电介质反应的材料.闳此，作为构成内部电极层 的材料，以往认为只能使用铂或钯等高价的贵金属.但是，近年来开发了可使用镍、铜等便宜的贱金属的电介质陶瓷 组合物，使成本得以大幅降低.另外，近年来，随着电子电路的高密度化，对电子部件的小型化 的要求很高，叠层陶瓷电容器的小型化、大容量化快速发展.为了使 叠层陶瓷电容器小型、大容童化， 一般是采取使电介质层薄层化的方 法、增加电介质层所含的电介质陶瓷组合物的相对介电常数的方法 等.但是，如果使电介质层变薄，在施加直流电压时施加于电介质层 的电场增强，有相对介电常数的经时变化、即容量的经时变化显著增 大的问题.为了...
【技术保护点】
电介质陶瓷组合物的制造方法，其是制造含有下述成分的电介质陶瓷组合物的方法，所述组合物含有： 含有具有组成式（Ｂａ↓［１－ｘ］Ｃａ↓［ｘ］）（Ｔｉ↓［１－ｙ］Ｚｒ↓［ｙ］）Ｏ↓［３］所示的钙钛矿型结晶结构的化合物的主成分，其中，０≤ｘ≤０．２、０≤ｙ≤０．２；和 含有Ｒ的氧化物的第４副成分，其中，Ｒ为选自Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ和Ｌｕ的至少一种， 其特征在于，该方法包括下述工序： 使上述主成分原料和将包含在上述电介质陶瓷组合物中的上述第４副成分原料的一部分预先反应，得到反应过的原料的工序；和...
【技术特征摘要】
JP 2006-6-12 2006-1627941.电介质陶瓷组合物的制造方法，其是制造含有下述成分的电介质陶瓷组合物的方法，所述组合物含有含有具有组成式(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3所示的钙钛矿型结晶结构的化合物的主成分，其中，0≤x≤0.2、0≤y≤0.2；和含有R的氧化物的第4副成分，其中，R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种，其特征在于，该方法包括下述工序使上述主成分原料和将包含在上述电介质陶瓷组合物中的上述第4副成分原料的一部分预先反应，得到反应过的原料的工序；和向上述反应过的原料中添加将包含在上述电介质陶瓷组合物中的其余的上述第4副成分原料的工序。2. 权利要求l所迷的电介质陶瓷组合物的制造方法，其中，上述 得到反应过的原料的工序是使上述主成分原料和上述笫4副成分原料 的一部分预先固溶，得到上述反应过的原料的工序.3. 权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物的制造方法，其中， 在最终得到的上述电介质陶瓷组合物中，相对于上述主成分100摩尔， 上述笫4副成分的含量以R计为0.1 ~ IO摩尔.4. 权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物的制造方法，其中， 相对于上述主成分100摩尔，与上述主成分原料预先反应的上迷笫4 副成分以R计为0~0.5摩尔，其中，不包括O.5. 权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物的制造方法，其中， 相对于将最终包含在上述电介质陶瓷组合物中的上述笫4副成分的总 量100摩尔°/。，与上述主成分原料预先反应的上述笫4副成分的比例以 11计为0~50摩尔％，其中，不包括O.6. 电介质陶瓷组合物的制造方法，其是制造含有下述成分的电介质陶乾組合物的方法，所述组合物含有含有具有组成式(BanCa,)(TiLyZry)03所示的钙钛矿型结晶结构的 ,化合物的主成分，其中，0<x<0.2、 0<y<0.2;含有Rl的氣化物的笫4a副成分，其中，Rl为选自9配位时的有 效离子半径不到108pm的稀土元素的至少一种、和 含有R2的氧化物的笫4b副成分，其中，R2为选自9配位时的有 效离子半径为108pm~113pm的稀土元素的至少一种， 该方法包括下述工序使上述主成分原料与将包含在上述电介质陶瓷组合物中的上述笫 4a副成分原料的一部分和/或上述笫4b刮成分原料的一部分预先反 应，得到反应过的原料的工序；和向上述反应过的原料中添加将包含在上述电介质陶瓷组合物中的 其余的上述笫4a副成分和上述笫4b副成分原料的工序，在最终得到的上述电介质陶瓷组合物中，上述笫4b副成分R2的 摩尔数M2相对于上述笫4a副成分Rl的摩尔数Ml之比M2/M1满足 (KM2/M...
【专利技术属性】
技术研发人员：M柳田，佐藤阳，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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