掺锰的钛酸钡薄膜组合物、电容器和它们的制造方法技术

本发明专利技术涉及电容器用的电介质薄膜组合物，该组合物包含：（１）一种或多种含钡／钛添加剂，选自：（ａ）钛酸钡，（ｂ）能够在焙烧时形成钛酸钡的任何组合物和（ｃ）它们的混合物；（２）有机介质；所述（１）添加剂能溶解在（２）有机介质中：其中所述薄膜组合物掺有０．００２－０．０５原子％的含锰添加剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及薄膜电容器，具体地说，涉及在铜箔上形成薄膜电容器，这种电容器能够嵌入印刷线路板(PWB)，为安装在该印刷线路板封装件上的集成电 路模块进行去耦和电压控制提供电容。
技术介绍
由于包含集成电路(IC)的半导体器件需要在高频率、高数据处理速度和低 电压下工作，电源和接地线(回线)中的噪音以及提供足够的电流以适应快速的 电路转换操作已成为日益重要的问题，要求在电源分配系统中的低阻抗。为了 向IC提供低噪音、稳定的电源，通过使用以并联的方式互连的外加式表面装 配工艺(SMT)的电容器来减少传统电路中的阻抗。工作频率越高(IC转换速率越 高)意味着对IC的电压响应时间越快。低工作电压要求容许电压变化(脉动)和 噪音变得较小。例如，当微处理器进行开关和开始工作时，需要电源来支持对 电路的开关。如果电压供应的响应时间太慢，微处理器会遭遇电压下降即功率 下降，导致超过容许的脉动电压和噪音的限度，并且IC会触发假闸门(false geat)。此外，随IC的功率上升，响应时间慢会导致功率过冲。必须使用足够 靠近IC的电容器，在适当的响应时间内提供和吸收功率，而将功率下降或过冲控制在允许的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电介质薄膜组合物，该组合物包含：　　　　（１）一种或多种含钡／钛的添加剂，选自：（ａ）钛酸钡、（ｂ）能够在焙烧时形成钛酸钡的任何组合物和（ｃ）它们的混合物；　　　　（２）有机介质；　　　　所述添加剂溶解于有机介质中；　　　　所述薄膜组合物掺杂有０．００２－０．０５原子％的含锰添加剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-6-21 11/157,6211.一种电介质薄膜组合物，该组合物包含(1)一种或多种含钡/钛的添加剂，选自(a)...

【专利技术属性】
技术研发人员：WJ博兰德，I布恩，JF伊勒菲尔德，JP马里亚，徐世起，
申请(专利权)人：EI内穆尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]