【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造钽电容器(tantalum condenser )的方法, 更具体地,涉及一种如下制造钽电容器的方法,该方法是利用更简 单和经济的设备通过更简化和更高效的方法来制造高性能4旦电容器。
技术介绍
钽电容器利用钽Ta作为电极。即,钽是导体,但当被氧化时 转变成高质量的绝缘体。就钽电容器而言,钽作为阳极(anode)被氧 化成电介质,然后形成另外的阴极(cathode)。通过利用当烧结和硬 化钽粉末时产生的孔隙而得到钽电容器。有两种类型的钽电容器。 一种是湿式钽电容器(wet tantalum condenser),它采用电解质溶液并在阴才及处形成4艮Ag壳以防止电解 质;容'液漏出。另一种是干式钽电容器(dry tantalum condenser),它侵— 用固体如二氧化4孟作为电解质而没有采用电解质溶液。图1是流程图,它示出了制造钽电容器的常规方法。为了制造 钽电容器,首先,如在操作S10中,烧结钽粉末以形成颗粒。然后,如在操作S12中,对形成的钽颗粒进行氧化并化学重整以在其表面上形成氧化物。当在4旦颗4立的表面上形成所述氧化物,即介电层时 ...
【技术保护点】
一种制造钽电容器的方法,所述方法包括: 通过烧结钽粉末来制备钽颗粒; 氧化所述钽颗粒以在其表面上形成介电层; 在其表面上有所述介电层形成的所述钽颗粒上形成聚合物层;以及 将在其表面上有聚合物层形成的所述钽颗粒浸入聚合物悬浮液中以进行化学重整。
【技术特征摘要】
KR 2007-3-19 10-2007-00265721.一种制造钽电容器的方法,所述方法包括通过烧结钽粉末来制备钽颗粒;氧化所述钽颗粒以在其表面上形成介电层;在其表面上有所述介电层形成的所述钽颗粒上形成聚合物层;以及将在其表面上有聚合物层形成的所述钽颗粒浸入聚合物悬浮液中以进行化学重整。2. 根据权利要求1所述的方法,其中,所述聚合物悬浮液有纳米 级聚合物悬浮在其中。3. 根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成聚合物层包括将 所述钽颗粒浸入包含单体和氧化剂的溶液中,以使在所述钽颗 粒上进行聚合物聚合反应。4. 根据权利要求3所述的方法,其中,所述单体包括选自由噻吩 单体、酰亚胺单体、卩比咯单体、苯胺单体和呋喃单体组成的组 中的一种。5. 根据权利要求3所述的方法,其中,所述氧化剂包括氯化铁和 过硫酸铵中的一种。6. 根据权利要...
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