一种高低频复合电感器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高低频复合电感器，包括磁芯及绕所述磁芯设置的线圈，所述线圈的两端分别设有接线端，根据本实用新型专利技术，所述线圈的接线端设有与所述线圈串联的一个或多个磁珠。本实用新型专利技术针对现有技术的上述电感器存在分布电容而使电感器的高频阻抗降低及应用频段变窄的缺陷，提供了一种采用高频磁珠的高低频复合电感器。通过在电感器的线圈两端串联一个或多个高频磁珠，与原电感器封装在一起而形成新的电感器，利用磁珠的高频阻抗特性，配合原电感器的低频阻抗特性，提高了原电感器的高频阻抗大小，拓宽了原电感器的应用频段。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电感器，更具体地说，涉及一种采用高频磁珠的高低频复 合电感器。
技术介绍
随着电气、电子及信息设备的广泛运用，电磁干扰问题日益严峻，其中开 关电源因其自身工作原理原因，电磁发射问题更尤为突出，而电感滤波是抑制 与减少这种电磁干扰的重要措施。理想的电感器只存在电感，但实际的电感器 还具有寄生电阻和分布电容，寄生电阻是电感器的线圈绕组和器件本身自带的 电阻，分布电容是线圈的绕组之间、线圈与屏蔽罩之间、线圈与底板之间存在 的电容，这些因素严重影响到电感器高频阻抗的大小，因而使得电感器的高频 阻抗降低，电感器的应用频段变得比较狭窄。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述电感器存在分布 电容而使电感器的高频阻抗降低及应用频段变窄的缺陷，提供了一种采用高频 磁珠的高低频复合电感器。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种高低频复合电 感器，包括磁芯及绕所述磁芯设置的线圈，所述线圈的两端分别设有接线端， 根据本技术，所述线圈的接线端电连接有与所述线圈串联的一个或多个磁 珠。在本技术所述的高低频复合电感器中，所述磁芯及线圈固定于一支架 上，所述支架上设有与所述线圈的接线端电连接的管脚。在本技术所述的髙低频复合电感器中，所述一个或多个磁珠穿接于所述接线端与管脚之间，并与所述线圈与管脚相互串联。在本技术所述的高低频复合电感器中，所述一个或多个磁珠穿接于所 述管脚上，并与所述线圈与管脚相互串联。实施本技术的高低频复合电感器，具有以下有益效果通过在电感器 的线圈两端串联高频磁珠，与原电感器封装在一起而形成新的电感器，利用磁 珠的高频阻抗特性，配合原电感器的低频阻抗特性，提高了原电感器的高频阻 抗大小，拓宽了原电感器的应用频段。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中图1是本技术的高低频复合电感器的第一实施例的结构示意图2是本技术的高低频复合电感器的第二实施例的结构示意图3是传统的电感器的等效模型的电路原理图4是本技术的高低频复合电感器的等效模型的电路原理图5是改进前的电感器的频率阻抗的曲线图6是本技术的高低频复合电感器的频率阻抗的曲线图。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明 白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解， 此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1所示，图中示出了本技术的高低频复合电感器的第一实施例的 结构示意图。在本技术的第一实施例中，所示的高低频复合电感器包括磁 芯1及绕磁芯1设置的线圈2，线圈2的两端分别设有接线端，根据本实用新 型的特征，线圈2的接线端设有与上述接线端串联的一个或多个磁珠3。其中 磁芯1及线圈2固定于一支架4上，支架4上设有与线圈2的接线端电连接的 管脚5。接线端与管脚5之间可穿接一个或多个与上述接线端和管脚5相互串 联的磁珠3。本技术复合利用原电感器的低频阻抗以及磁珠3的高频阻抗，形成一个复合电感器，同时对原电感器的形状、绕线方式等均未限制，磁珠3 的形状、磁珠3上的绕线匝数以及其所串磁珠3的种类、个数均未限制。图l 所示的本技术的第一实施例不会增加原电感器的体积，在体积受限的地方 可优选。如图2所示，图中示出了本技术的高低频复合电感器的第二实施例的 结构示意图。在本技术的第二实施例中，所示的高低频复合电感器包括磁 芯1及绕磁芯1设置的线圈2，线圈2的两端分别设有接线端，根据本实用新 型的特征，线圈2的接线端设有与上述接线端串联的一个或多个磁珠3。其中 磁芯1及线圈2固定于一支架4上，支架4上设有与线圈2的接线端电连接的 管脚5。根据本技术的第二实施例的特征，所示的一个或多个磁珠3穿接 于管脚5上，并与接线端与管脚5相互串联。本技术复合利用原电感器的 低频阻抗以及磁珠3的高频阻抗，形成一个复合电感器，同时对原电感器的形 状、绕线方式等均未限制，磁珠3的形状、磁珠3上的绕线匝数以及其所串磁 珠3的种类、个数均未限制。图1所示的本技术的第二实施例需增加原电 感器的高度，在高度不受限制的地方可以优先选用。需要注意的是，图l和图 2仅示出了本技术两个较佳的实施例，在体积和高度允许的情况下，可以 串联多个高频磁珠，而这些同等替换和改变都应该在本技术保护的范围之 内。如图3所示，图中示出了传统的电感器的等效模型的原理图。理想的电感 器只存在电感，但实际的电感器还具有寄生电阻和分布电容。这些因素严重影 响到电感器高频阻抗的大小，因而使得电感器的高频阻抗降低，电感器的应用 频段变得比较狭窄。在图3中，Ll表示集总电感参数，R表示寄生电阻，Cl 表示分布电容，电感L1与电阻R串联之后再与电容C1并联。如图4所示，图中示出了本技术的高低频复合电感器的等效模型的原 理图。在图4中，Ll表示集总电感参数，R表示寄生龟阻，Cl表示分布电容， 电感L1与电阻R串联之后再与电容C1并联，再串联一个或多个磁珠，即图 中表示磁珠阻抗的Rl。在现有的电感器的基础上，再串联一个或多个高频磁 珠，然后与原电感器封装在一起而形成新的电感器，利用磁珠的高频阻抗特性，配合原电感器的低频阻抗特性，提高了电感器的高频阻抗大小，拓宽了电感器 的应用频段。在此依照电源输入共模电感为例说明改进后电感与原电感器在各个频段阻抗差异。 一般来说，电源输入共模电感的集总电感L1约为几mH，很少有 超过10mH的，匝间电容Cl约为几十pF，则原电感器的阻抗转折频率点约为 lMHz左右。由于磁珠的阻抗特性在低频段属于低阻，相对原电感器在该频段 的阻抗可忽略不计，所以该频段两电感阻抗基本相等。当频率大于原电感器的 转折频率点后，原电感器则会呈现容性阻抗，将会与磁珠的寄生电感发生串联 谐振，此频段由于磁珠的集总电阻还比较小，所以该频段的阻抗大小相比改进 后的电感器会略有下降。但随着频率的上升，磁珠的集总电阻会急剧上升，一 般磁珠大约在1.5MHz电阻开始上升，这时改进后的电感将远远大于原电感器 的阻抗，从而增加了高频滤波功能。如屈5和图6所示，分别示出了改进前的电感器的频率阻抗的曲线图以及 本技术的高低频复合电感器的频率阻抗的曲线图。根据电感厂家提供的电 感器等效电路模型以及磁珠的频率阻抗曲线，用MathCAD软件对原电感器和 改进后的电感器进行仿真，计算出各自的频率阻抗曲线，计算的结果如图5 和图6所示。从图中仿真的结果可以看出，改进后的电感器高频段阻抗得到大 大地改善。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术， 凡是本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应 包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高低频复合电感器，包括磁芯（１）及绕所述磁芯（１）设置的线圈（２），所述线圈（２）的两端分别设有接线端，其特征在于，所述线圈（２）的接线端电连接有与所述线圈（２）串联的一个或多个磁珠（３）。

【技术特征摘要】
1、一种高低频复合电感器，包括磁芯(1)及绕所述磁芯(1)设置的线圈(2)，所述线圈(2)的两端分别设有接线端，其特征在于，所述线圈(2)的接线端电连接有与所述线圈(2)串联的一个或多个磁珠(3)。2、 根据权利要求1所述的高低频复合电感器，其特征在于，所述磁芯(l) 及线圈(2)固定于一支架(4)上，所述支架(4)上设有与所述线圈(...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐立平，
申请(专利权)人：艾默生网络能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]