一种浪涌保护电路以及多头电磁炉制造技术

本实用新型专利技术涉及一种浪涌保护电路和多头电磁炉，该浪涌保护电路包括浪涌电压检测电路、光耦隔离电路以及逻辑控制电路，浪涌电压检测电路用于检测浪涌电压，光耦隔离电路用于隔离浪涌电压和多头IGBT，光耦隔离电压用于在浪涌电压检测电路检测到浪涌电压时向逻辑控制电路发送控制信号，逻辑控制电路接收到控制信号以后，用于根据控制信号控制多头IGBT截止。因此，若浪涌电压检测电路检测到浪涌电压，光耦隔离电路向逻辑控制电路发送控制信号，进而使得逻辑控制电路根据该控制信号控制多头IGBT截止，防止其受到浪涌电压的损坏，且该浪涌保护电路可同时保护多头IGBT，提高多头IGBT的安全性，且电路成本较低。且电路成本较低。且电路成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种浪涌保护电路以及多头电磁炉


[0001]本技术涉及电磁炉领域，特别是涉及一种浪涌保护电路以及多头电磁炉。

技术介绍

[0002]多头电磁炉为多个炉头的电磁炉，可同时加热多个锅的电磁炉，多头电磁炉应用日益广泛，但是很多地区的用电环境却不乐观，主要表现为电网中存在瞬时过电压/过电流，这种瞬变干扰称作浪涌电压或浪涌电流。在多数情况下，浪涌电压会损坏家用电器中电路及其部件，这种情况下对电磁炉中的绝缘栅双极晶体管(以下统一简称IGBT)损坏是非常致命的，而在电磁炉工作过程中，需将50HZ的交流电，整流成直流稳压滤波，然后通过IGBT去通断电流，这样让线圈上产生了高频的电流，进而实现了加热需要，若IGBT受到损坏，则会使得电磁炉也无法正常工作。
[0003]而传统的浪涌保护电路是通过电子元器件组成每个IGBT独立的保护电路，每个浪涌保护电路只能保护一个IGBT，不能同时保护多个IGBT，电路技术复杂，电路成本较高。

技术实现思路

[0004]本技术实施例旨在提供一种浪涌保护电路以及多头电磁炉，其能够对多头IGBT同时进行保护，防止多头IGBT受到浪涌电压的损坏。
[0005]为解决上述技术问题，本技术实施例提供以下技术方案：
[0006]在第一方面，本技术实施例提供一种浪涌保护电路，应用于多头IGBT，包括：浪涌电压检测电路、光耦隔离电路以及逻辑控制电路；
[0007]所述浪涌电压检测电路的输入端与第一直流电源连接，所述浪涌电压检测电路的输出端与光耦隔离电路的输入端连接，所述浪涌电压检测电路用于检测浪涌电压；
[0008]所述光耦隔离电路的输出端与所述逻辑控制电路的控制端连接，所述光耦隔离电路用于隔离所述第一直流电源和所述逻辑控制电路，以及在所述浪涌电压检测电路检测到所述浪涌电压时向所述逻辑控制电路发送控制信号；
[0009]所述逻辑控制电路的输出端与所述多头IGBT的控制端连接，用于根据所述控制信号控制所述多头IGBT截止。
[0010]在一些实施例中，所述浪涌电压检测电路包括分压电路和稳压电路；
[0011]所述分压电路分别与所述第一直流电源和所述稳压电路的第一端连接，所述分压电路用于对所述第一直流电源进行分压；
[0012]所述稳压电路的第二端与所述光耦隔离电路的输入端连接，所述稳压电路用于在所述稳压电路的第一端电压大于所述预设电压时连通所述第一直流电源和所述光耦隔离电路。
[0013]在一些实施例中，所述浪涌电压检测电路还包括信号加速电路，所述信号加速电路分别与所述第一直流电源、所述分压电路以及所述稳压电路连接，所述信号加速电路用于在所述浪涌电压检测电路检测到所述浪涌电压时加速所述稳压电路与所述光耦隔离电
路对所述浪涌电压的响应。
[0014]在一些实施例中，所述分压电路包括第一电阻模块和第二电阻模块，所述第一电阻模块和所述第二电阻模块均包括至少一个电阻,所述稳压电路包括稳压管，所述第一电阻模块的一端分别与所述第一直流电源连接，所述第一电阻模块的另一端分别与所述第二电阻模块的一端和所述稳压管的阴极连接，所述第二电阻模块的另一端接地，所述稳压管的阳极与所述光耦隔离电路的输入端连接。
[0015]在一些实施例中，所述信号加速电路包括电容，所述电容的一端分别与所述第一直流电源和所述分压电路的一端连接，所述电容的另一端分别与所述分压电路的另一端和所述稳压电路连接。
[0016]在一些实施例中，所述光耦隔离电路包括光耦，所述光耦的二极管的阳极与所述稳压电路连接，所述光耦的二极管的阴极接地，所述光耦的三极管的集电极与所述逻辑控制电路的控制端连接，所述光耦的三极管的发射极接地。
[0017]在一些实施例中，所述逻辑控制电路包括第一上拉电阻、第二上拉电阻、二极管模块以及三极管，所述二极管模块包括多个共阴极连接的二极管，一个二极管的阳极连接一个IGBT的控制端，所述第一上拉电阻的一端分别与第二直流电源和所述第二上拉电阻的一端连接，所述第一上拉电阻的另一端分别与所述光耦隔离电路的输出端和所述三极管的基极连接，所述第二上拉电阻的另一端分别与所述二极管模块的共阴极和所述三极管的发射极连接，所述三极管的集电极接地。
[0018]在第二方面，本技术实施例提供一种多头电磁炉，包括多头IGBT，所述多头IGBT包括至少一个IGBT；以及
[0019]如上所述的浪涌保护电路，所述浪涌保护电路与所述多头IGBT的控制端连接，用于对所述多头IGBT进行浪涌电压保护。
[0020]在一些实施例中，所述多头电磁炉还包括整流桥，所述整流桥分别与交流电源和所述浪涌保护电路的输入端连接，用于对所述交流电源进行整流，并得到所述第一直流电源。
[0021]在本技术各个实施例中，该浪涌保护电路包括浪涌电压检测电路、光耦隔离电路以及逻辑控制电路，其中，浪涌电压检测电路用于检测浪涌电压，光耦隔离电路用于隔离浪涌电压和多头IGBT，当浪涌电压检测电路检测到浪涌电压时，光耦隔离电压还用于向逻辑控制电路发送控制信号，逻辑控制电路接收到控制信号以后，用于根据控制信号控制多头IGBT截止。因此，若浪涌电压检测电路检测到浪涌电压，光耦隔离电路向逻辑控制电路发送控制信号，进而使得逻辑控制电路根据该控制信号控制多头IGBT截止，防止其受到浪涌电压的损坏，同时，该逻辑控制电路控制多头IGBT同时截止，使得该浪涌保护电路可同时保护多头IGBT，提高多头IGBT的安全性，且电路成本较低。
附图说明
[0022]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
[0023]图1是本技术实施例提供一种多头电磁炉的结构示意图；
[0024]图2是本技术实施例提供一种浪涌保护电路的结构示意图；
[0025]图3是本技术另一实施例提供一种浪涌保护电路的结构示意图；
[0026]图4是本技术另一实施例提供一种浪涌保护电路的电路结构示意图。
具体实施方式
[0027]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0028]本技术提供的浪涌保护电路可以用在多头电磁炉中，该多头电磁炉中包含有多个绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)，为了防止多头IGBT收到浪涌电压的损坏，需对多头IGBT进行浪涌电压保护，需设置有浪涌保护电路。
[0029]请参阅图1，图1是本技术实施例提供一种多头电磁炉电路结构示意图，如图1所示，该多头电磁炉100包括浪涌保护电路10以及多头IGBT20，该多头IGBT20包括至少一个IGBT本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浪涌保护电路，应用于多头IGBT，其特征在于，包括：浪涌电压检测电路、光耦隔离电路以及逻辑控制电路；所述浪涌电压检测电路的输入端与第一直流电源连接，所述浪涌电压检测电路的输出端与光耦隔离电路的输入端连接，所述浪涌电压检测电路用于检测浪涌电压；所述光耦隔离电路的输出端与所述逻辑控制电路的控制端连接，所述光耦隔离电路用于隔离所述第一直流电源和所述逻辑控制电路，以及在所述浪涌电压检测电路检测到所述浪涌电压时向所述逻辑控制电路发送控制信号；所述逻辑控制电路的输出端与所述多头IGBT的控制端连接，用于根据所述控制信号控制所述多头IGBT截止。2.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述浪涌电压检测电路包括分压电路和稳压电路；所述分压电路分别与所述第一直流电源和所述稳压电路的第一端连接，所述分压电路用于对所述第一直流电源进行分压；所述稳压电路的第二端与所述光耦隔离电路的输入端连接，所述稳压电路用于在所述稳压电路的第一端电压大于预设电压时连通所述第一直流电源和所述光耦隔离电路。3.根据权利要求2所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述浪涌电压检测电路还包括信号加速电路，所述信号加速电路分别与所述第一直流电源、所述分压电路以及所述稳压电路连接，所述信号加速电路用于在所述浪涌电压检测电路检测到所述浪涌电压时加速所述稳压电路与所述光耦隔离电路对所述浪涌电压的响应。4.根据权利要求2所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述分压电路包括第一电阻模块和第二电阻模块，所述第一电阻模块和所述第二电阻模块均包括至少一个电阻,所述稳压电路包括稳压管，所述第一电阻模块的一端分别与所述第一直流电源连接，所述第一电阻模块的另一端分别与所述第二电阻模块的一端和所述稳压管的阴极连接，所述第二电阻模...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春晖，
申请(专利权)人：深圳和而泰智能控制股份有限公司，
类型：新型
国别省市：