一种判断MCU断电时间的方法及电路技术

本发明专利技术公开了一种判断MCU断电时间的方法及电路，包括微控制单元MCU、二极管D、电容C、电阻R1和电阻R2，所述微控制单元MCU设有ADC引脚，所述二极管D设有正极和负极，所述微控制单元MCU的ADC引脚与和所述二极管D的正极连接，所述二极管D的负极分别与所述电阻R2的一端和所述电容C的一端连接，所述电阻R2的另一端和所述电容C的另一端均接地，所述电阻R1和所述二极管D并联连接。相对现有的设计，需要采用很大的电容或电池来储电，电路成本高，本发明专利技术通过改变电路设计，使得电路体积非常小，只需要很小的封装，不需要大的封装，如0603封装的电容即可，一方面可以使得电路体积缩小，另一方面也可以大幅降低电路成本。面也可以大幅降低电路成本。面也可以大幅降低电路成本。

【技术实现步骤摘要】
一种判断MCU断电时间的方法及电路


[0001]本专利技术及判断MCU断电时间领域，具体涉及一种判断MCU断电时间的方法及电路。

技术介绍

[0002]在电路设计中，有的产品需要判断是否被断电、断电多久再来电等。比如有些灯具可以在2秒内关开2次门切换色温等。因为普通电路在关灯后很快就断电了，电路的MCU无法判断断电的时间，在现有的设计中，为了让MCU断电后还能工作一段时间，往往会用到很大容量的电容或者电池来储电，电路成本高，且体积大，无法小型化。对于追求极致、小型化设计，如0603封装的小型电容，现有的电路设计大体积已经不能满足0603封装实际需求。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种判断MCU断电时间的方法及电路，解决现有设计中为了让MCU断电后还能工作一段时间，往往会用到很大容量的电容或者电池来储电，造成电路成本高，且体积大，无法小型化的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种判断MCU断电时间的电路，包括微控制单元MCU、二极管D、电容C、电阻R1和电阻R2，所述微控制单元MCU设有ADC引脚，所述二极管D设有正极和负极，所述微控制单元MCU的ADC引脚与和所述二极管D的正极连接，所述二极管D的负极分别与所述电阻R2的一端和所述电容C的一端连接，所述电阻R2的另一端和所述电容C的另一端均接地，所述电阻R1和所述二极管D并联连接。
[0005]本专利技术还提供一种判断MCU断电时间的方法，使用上述的判断MCU断电时间的电路，具体判断MCU断电时间的方法包括以下步骤：S1：在通电正常工作时，让微控制单元MCU的ADC引脚输出高电平，通过二极管D给电容C充电；S2：工作期间，一直输出高电平，让电容C维持满电；S3：当断电后，微控制单元MCU不再给高电平充电，此时电容C通过电阻R2放电；S4：当再次来电，微控制单元MCU在上电瞬间，微控制单元MCU开始检测ADC引脚的电压，通过ADC引脚的电压值可以计算出电容C的放电时间，放电时间即断电时间，即：若假设电容C的初始电压值为V0，电容C充满电压的电压值为Vmax，电容C任意时刻t时的电压值为Vt，即微控制单元MCU通过ADC引脚的电压值，则：Vt=V0+（Vmax
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V0）*（1
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），由此可以计算出，当微控制单元MCU检测出ADC引脚的电压值后，可以计算出时间t，也即断电时间；S5：通过步骤S4后，微控制单元MCU根据计算出的断电时间，并执行相应的动作。
[0006]本专利技术实现的有益效果：相对现有的设计，需要采用很大的电容或电池来储电，电路成本高，本专利技术通过改变电路设计，使得电路体积非常小，只需要很小的封装，不需要大的封装，如0603封装的电容即可，一方面可以使得电路体积缩小，另一方面也可以大幅降低电路成本。
具体实施方式
[0007]为了便于本领域技术人员理解，下面将结合实施例对本专利技术进行进一步详细描述。具体如下：如图1所示，判断MCU断电时间的电路，包括微控制单元MCU、二极管D、电容C、电阻R1和电阻R2，所述微控制单元MCU设有ADC引脚，所述二极管D设有正极和负极，所述微控制单元MCU的ADC引脚与和所述二极管D的正极连接，所述二极管D的负极分别与所述电阻R2的一端和所述电容C的一端连接，所述电阻R2的另一端和所述电容C的另一端均接地，所述电阻R1和所述二极管D并联连接。
[0008]使用上述的判断MCU断电时间的电路，具体判断MCU断电时间的方法包括以下步骤：S1：在通电正常工作时，让微控制单元MCU的ADC引脚输出高电平，通过二极管D给电容C充电；S2：工作期间，一直输出高电平，让电容C维持满电；S3：当断电后，微控制单元MCU不再给高电平充电，此时电容C通过电阻R2放电；S4：当再次来电，微控制单元MCU在上电瞬间，微控制单元MCU开始检测ADC引脚的电压，通过ADC引脚的电压值可以计算出电容C的放电时间，放电时间即断电时间，即：若假设电容C的初始电压值为V0，电容C充满电压的电压值为Vmax，电容C任意时刻t时的电压值为Vt，即微控制单元MCU通过ADC引脚的电压值，则：Vt=V0+（Vmax
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V0）*（1
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），由此可以计算出，当微控制单元MCU检测出ADC引脚的电压值后，可以计算出时间t，也即断电时间；本实施例中，电容C的初始电压值为V0=0，电容C充满电压的电压值为Vmax=E，电容C任意时刻t时的电压值为Vt，即微控制单元MCU通过ADC引脚的电压值，则：Vt=E*（1
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），即t=CR2*，由此可以计算出，当微控制单元MCU检测出ADC引脚的电压值后，可以计算出时间t，也即断电时间；S5：通过步骤S4后，微控制单元MCU根据计算出的断电时间，并执行相应的动作。
[0009]显然，本专利技术的上述实施例仅仅是为清楚地说明本专利技术所作的举例，而并非是对本专利技术的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术权利要求的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种判断MCU断电时间的电路，其特征在于：包括微控制单元MCU、二极管D、电容C、电阻R1和电阻R2，所述微控制单元MCU设有ADC引脚，所述二极管D设有正极和负极，所述微控制单元MCU的ADC引脚与和所述二极管D的正极连接，所述二极管D的负极分别与所述电阻R2的一端和所述电容C的一端连接，所述电阻R2的另一端和所述电容C的另一端均接地，所述电阻R1和所述二极管D并联连接。2.一种判断MCU断电时间的方法，其特征在于：使用权利要1所述的判断MCU断电时间的电路，具体判断MCU断电时间的方法包括以下步骤：S1：在通电正常工作时，让微控制单元MCU的ADC引脚输出高电平，通过二极管D给电容C充电；S2：工作期间，一直输出高电平，让电容C维持满电；S3：当...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡艳清，曾祥春，王文，周小捷，
申请(专利权)人：惠州市元盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：