【技术实现步骤摘要】
一种碳基宽带太赫兹吸收器及其制备方法
[0001]本专利技术属于太赫兹屏蔽和吸收材料制备
,具体涉及一种碳基宽带太赫兹吸收器及其制备方法。
技术介绍
[0002]太赫兹波一般是指频率在0.1~10 THz之间的电磁波,它兼具了红外和微波的优点,在非接触成像、安全检查、无线通信等领域有着很好的应用。并且,太赫兹屏蔽材料能有效降低太赫兹波信号的干扰,改善传输环境,保证精密电子仪器正常工作。因此,研制高效的太赫兹屏蔽和吸收材料具有十分重要的意义。
[0003]通常,通过结合具有更高导电性的功能材料增强电磁损耗来制备具有高屏蔽性能的材料,然而由于阻抗失配会导致材料表面产生更强的反射,对周围复杂的电子元件产生不利影响,不利于实际应用。
[0004]近年来,由于多孔结构的导电材料中多孔结构能降低表面反射,而导电网络结构用于太赫兹波吸收,因此使用多孔结构的导电材料来制备高效太赫兹吸收材料被广泛研究。然而,这些多孔结构的太赫兹吸收材料成本高、制备工艺复杂、频带窄,限制了其实际应用。
技术实现思路
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳基宽带太赫兹吸收器的制备方法,其特征在于,包括:将三聚氰胺海绵在氮气氛围下升温,然后随炉冷却,得到退火碳化海绵,将得到的退火碳化海绵切割,形成碳基宽带太赫兹吸收器;所述升温为升温至700~1000℃,保持0.5~2h。2. 根据权利要求1所述的碳基宽带太赫兹吸收器的制备方法,其特征在于,所述氮气的气流量为0~100 mL/min且不为0。3. 根据权利要求2所述的碳基宽带太赫兹吸收器的制备方法,其特征在于,所述氮气的气流量为40 mL/min。4. 根据权利要求1所述的碳基宽带太赫兹吸收器的制备方法,其特征在于,所述升温速率为0~10且不为0 ℃/min。5. 根据权利要求4所述的碳基宽带太赫兹吸收器的制备方法,其特征...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。