本实用新型专利技术公开了一种从单SIM卡实现双SIM卡功能的电路，主要解决现有只支持单SIM卡的模块则无法直接实现双SIM的功能的问题。该电路包括通讯终端的CPU模块，与CPU模块相连的只支持单SIM卡的4G/5G模块，与CPU模块和4G/5G模块均相连的SIM卡切换模拟开关、供电切换模拟开关及开关管模块A1、A2、A3，以及与CPU模块、4G/5G模块、SIM卡切换模拟开关和供电切换模拟开关均相连的SIM1卡座及SIM2卡座。本实用新型专利技术利用CPU模块的相关控制引脚根据用户需要来切换需要使用的SIM卡卡座，SIM卡切换模拟开关切换SIM卡CLK，DATA，RESET到不同的SIM卡座上，同时供电切换模拟开关切换给对应的卡座供电。使用通用的二个模拟开关等分立元器件，简单可靠的实现了单SIM卡到双SIM卡的支持，适用性强。适用性强。适用性强。
【技术实现步骤摘要】
一种从单SIM卡实现双SIM卡功能的电路
[0001]本技术涉及一种SIM卡通讯电路，具体地说，是涉及一种从单SIM卡实现双SIM卡功能的电路。
技术介绍
[0002]在无线通信业务的迅猛发展下，移动通信产品已经成为人们日常工作、生活的必备品。随着无线通信终端用户的不断增加，一个用户同时拥有两张以上的便携式通信装置的SIM卡(subscriberidentitymodule，用户识别卡)的情形也越来越多。例如，一些通话量较多且担心错失客户来电的人群通常拥有可利用不同的通信标准的两张以上的SIM卡，于是在某一通信网络无效时，可利用其它有效的通信网络取得联系，但是频繁地更换SIM卡或者携带不同标准的几部手机都非常麻烦。
[0003]而且目前有很多4G/5G Module等只支持单一的SIM卡，对于CPE等通讯终端产品如果使用本身只支持单SIM卡的模块则无法直接实现双SIM的功能。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种从单SIM卡实现双SIM卡功能的电路，主要解决现有只支持单SIM卡的模块则无法直接实现双SIM的功能的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：
[0006]一种从单SIM卡实现双SIM卡功能的电路，包括通讯终端的CPU模块，与CPU模块相连的只支持单SIM卡的4G/5G模块，与CPU模块和4G/5G模块均相连的SIM卡切换模拟开关、供电切换模拟开关及开关管模块A1、A2、A3，以及与CPU模块、4G/5G模块、SIM卡切换模拟开关和供电切换模拟开关均相连的SIM1卡座及SIM2卡座；其中，开关管模块A2还与SIM1卡座相连、开关管模块A3还与SIM2卡座相连。
[0007]进一步地，所述SIM卡切换模拟开关包括型号为ADG733BRU的内置三个独立可选的单刀双掷模拟开关芯片U3，一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的VDD引脚相连且另一端接地的电容C11，一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的 EN引脚相连且另一端接地的电阻R9，串联后一端与单刀双掷模拟开关芯片U3 的S1A引脚相连且另一端接地的电阻R1、电容C12，串联后一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的S2A引脚相连且另一端接地的电阻R3、电容C13，串联后一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的S3A引脚相连且另一端接地的电阻R5、电容 C14，串联后一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的S1B引脚相连且另一端接地的电阻R6、电容C18，串联后一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的S2B引脚相连且另一端接地的电阻R7、电容C17，以及串联后一端与单刀双掷模拟开关芯片 U3的S3B引脚相连且另一端接地的电阻R8、电容C16；其中，单刀双掷模拟开关芯片U3的D1、D2、D3引脚对应连接4G/5G模块的UIM_CLK、 UIM_RESET、UIM_DATA引脚，单刀双掷模拟开关芯片U3的A0、A1、A2 引脚均连接CPU模块的SWITCH_CONTROL引脚，电阻R1和电容C12的公共端、电阻R3和电容C13公共端、电阻R5和电容C14公共端均与SIM1卡座相连，电阻R6和电容C18的公共端、电阻R7和电容C17公共端、电阻
R8和电容C16公共端均与SIM2卡座相连，单刀双掷模拟开关芯片U3的VDD引脚接 3.3V电压。
[0008]进一步地，所述供电切换模拟开关包括型号为NLAS5223MNR2G的单刀双掷模拟开关芯片U4，以及一端与单刀双掷模拟开关芯片U4的VDD引脚相连且另一端接地的电容C19；其中，单刀双掷模拟开关芯片U4的COM引脚与4G/5G 模块的UIM_PWR引脚相连，单刀双掷模拟开关芯片U4的IN2引脚与CPU模块的SWITCH_CONTROL引脚相连，单刀双掷模拟开关芯片U4的NC2引脚与 SIM1卡座的供电端相连，单刀双掷模拟开关芯片U4的NO2引脚与SIM2卡座的供电端相连；单刀双掷模拟开关芯片U4的VCC引脚接3.3V电压。
[0009]进一步地，所述SIM1卡座包括标准的Mrcro SIM Card卡座芯片J1，串联后一端与卡座芯片J1的I/O引脚相连且另一端接地的电阻R11、电容C21，一端与卡座芯片J1的Reserved引脚相连且另一端接地的电阻R13，并联后一端与卡座芯片J1的VCC引脚相连且另一端接地的电容C22、C23，并联后一端与卡座芯片J1的CD引脚相连且另一端接地的电阻R15、电容C24，以及一端与卡座芯片J1的CD引脚相连且另一端与4G/5G模块的供电端相连的电阻R14；其中，卡座芯片J1的RST、CLK、CD引脚分别对应连接电阻R1和电容C12 的公共端、电阻R3和电容C13公共端、电阻R5和电容C14公共端；
[0010]进一步地，所述开关管模块A1包括三极管Q1，与三极管Q1的基极相连的电阻R2、R4，以及一端与三极管Q1的集电极相连且另一端接地的电容C15；其中，电阻R2的另一端与CPU模块的GPIO1引脚相连，电阻R4的另一端与三极管Q1的发射极相连并接地，三极管Q1的集电极还与4G/5G模块的RESET 引脚相连。
[0011]进一步地，所述开关管模块A2包括三极管Q2，与三极管Q2的基极相连的电阻R21、R23，以及一端与三极管Q2的集电极相连且另一端与CPU模块的供电端相连的电阻R19；其中，电阻R21的另一端与卡座芯片J1的CLK引脚相连，电阻R23的另一端与三极管Q2的发射极相连并接地，三极管Q1的集电极还与CPU模块的GPIO2引脚相连。
[0012]进一步地，所述开关管模块A3包括三极管Q3，与三极管Q3的基极相连的电阻R22、R24，以及一端与三极管Q3的集电极相连且另一端与CPU模块的供电端相连的电阻R20；其中，电阻R22的另一端与卡座芯片J2的CLK引脚相连，电阻R24的另一端与三极管Q2的发射极相连并接地，三极管Q1的集电极还与CPU模块的GPIO3引脚相连。
[0013]与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
[0014]本技术通过设置SIM卡切换模拟开关、供电切换模拟开关，利用CPU 模块的相关控制引脚根据用户需要来切换需要使用的SIM卡卡座，SIM卡切换模拟开关切换SIM卡CLK，DATA，RESET到不同的SIM卡座上，同时供电切换模拟开关切换给对应的卡座供电。使用通用的二个模拟开关等分立元器件，简单可靠的实现了单SIM卡到双SIM卡的支持，适用性强。
附图说明
[0015]图1为本技术中CPU模块和只支持单SIM卡的4G/5G模块连接结构示意图。
[0016]图2为本技术中SIM卡切换模拟开关的电路原理图。
[0017]图3为本技术中供电切换模拟开关的电路原理图。
[0018]图4为本技术中SIM1卡座的电路原理图。
[0019]图5为本技术中SIM2卡座的电路原理图。
[0020]图6为本技术中开关管模块A2的电路原理图。
[0021]图7为本技术中开关管模块A3的电路本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种从单SIM卡实现双SIM卡功能的电路，其特征在于，包括通讯终端的CPU模块，与CPU模块相连的只支持单SIM卡的4G/5G模块，与CPU模块和4G/5G模块均相连的SIM卡切换模拟开关、供电切换模拟开关及开关管模块A1、A2、A3，以及与CPU模块、4G/5G模块、SIM卡切换模拟开关和供电切换模拟开关均相连的SIM1卡座及SIM2卡座；其中，开关管模块A2还与SIM1卡座相连、开关管模块A3还与SIM2卡座相连。2.根据权利要求1所述的一种从单SIM卡实现双SIM卡功能的电路，其特征在于，所述SIM卡切换模拟开关包括型号为ADG733BRU的内置三个独立可选的单刀双掷模拟开关芯片U3，一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的VDD引脚相连且另一端接地的电容C11，一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的EN引脚相连且另一端接地的电阻R9，串联后一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的S1A引脚相连且另一端接地的电阻R1、电容C12，串联后一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的S2A引脚相连且另一端接地的电阻R3、电容C13，串联后一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的S3A引脚相连且另一端接地的电阻R5、电容C14，串联后一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的S1B引脚相连且另一端接地的电阻R6、电容C18，串联后一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的S2B引脚相连且另一端接地的电阻R7、电容C17，以及串联后一端与单刀双掷模拟开关芯片U3的S3B引脚相连且另一端接地的电阻R8、电容C16；其中，单刀双掷模拟开关芯片U3的D1、D2、D3引脚对应连接4G/5G模块的UIM_CLK、UIM_RESET、UIM_DATA引脚，单刀双掷模拟开关芯片U3的A0、A1、A2引脚均连接CPU模块的SWITCH_CONTROL引脚，电阻R1和电容C12的公共端、电阻R3和电容C13公共端、电阻R5和电容C14公共端均与SIM1卡座相连，电阻R6和电容C18的公共端、电阻R7和电容C17公共端、电阻R8和电容C16公共端均与SIM2卡座相连，单刀双掷模拟开关芯片U3的VDD引脚接3.3V电压。3.根据权利要求2所述的一种从单SIM卡实现双SIM卡功能的电路，其特征在于，所述供电切换模拟开关包括型号为NLAS5223MNR2G的单刀双掷模拟开关芯片U4，以及一端与单刀双掷模拟开关芯片U4的VDD引脚相连且另一端接地的电容C19；其中，单刀双掷模拟开关芯片U4的COM引脚与4G/5G模块的UIM_PWR引脚相连，单刀双掷模拟开关芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：高琪，刘松辉，
申请(专利权)人：深圳市网是科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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