一种非隔离打嗝短路保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及短路保护电路技术领域，公开了一种非隔离打嗝短路保护电路，包括：电流采样电路，输入端连接主电路的输出端，用于检测主电路的输出电流；延时电路，用于延长短路保护周期；控制电路，包括输入端、第一输出端和第二输出端，其中输入端连接电流采样电路的输出端，第一输出端连接主电路，第二输出端连接延时电路；所述控制电路用于在主电路的输出电流大于设定电流时，控制主电路停止输出电压，同时启动延时电路开启延长短路保护周期，完成一次打嗝短路保护，本实用新型专利技术通过电流采样电路检测短路保护信号，当有短路保护信号时，通过延时电路延长短路保护周期，达到降低短路保护时的短路损耗。护时的短路损耗。护时的短路损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种非隔离打嗝短路保护电路


[0001]本技术涉及短路保护电路
，特别涉及一种非隔离打嗝短路保护电路。

技术介绍

[0002]传统的短路保护电路中，短路保护电路的保护周期短，模块反复重启时自身短路损耗增大，长期短路时很容易导致模块损坏，轻则模块部分功能失效，严重的导致系统失效。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种非隔离打嗝短路保护电路，可以解决现有技术中的上述问题。
[0004]本技术提供了一种非隔离打嗝短路保护电路，包括：电流采样电路，输入端连接主电路的输出端，用于检测主电路的输出电流；
[0005]延时电路，用于延长短路保护周期；
[0006]控制电路，包括输入端、第一输出端和第二输出端，其中输入端连接电流采样电路的输出端，第一输出端连接主电路，第二输出端连接延时电路；所述控制电路用于在主电路的输出电流大于设定电流时，控制主电路停止输出电压，同时启动延时电路开启延长短路保护周期，完成一次打嗝短路保护。
[0007]所述控制电路包括：电阻R6、电阻R7、MOSFET管Q3、二极管D3、二极管D5和稳压管DZ4；
[0008]电流采样电路GL端连接二极管D5的正极，二极管D5的负极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接MOSFET管Q3的栅极，电阻R7的一端接地，电阻R7的另一端连接MOSFET管Q3的栅极，稳压管DZ4的正极接地，稳压管DZ4的负极连接MOSFET管Q3的栅极，MOSFET管Q3的源极接地，二极管D3的负极连接MOSFET管Q3的漏极，二极管D3的正极连接主电路的功率MOSFET管。
[0009]所述延时电路包括：三极管VT2，电阻R2、电阻R3、电阻R4，电阻R5，电容C4，稳压管DZ2、稳压管DZ3、二极管D2、二极管D4和三极管VT3，三极管VT2的发射极连接输入电源+Vin，电阻R2连接在三极管VT2的发射极和基极之间，电阻R3的一端连接三极管VT2的基极，电阻R3的另一端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极连接MOSFET管Q3的漏极，二极管D4的正极连接三极管VT2集电极，二极管D4的负极连接二极管D5的负极，电阻R4一端连接三极管VT2集电极，电阻R4的另一端连接稳压管DZ2的负极，稳压管DZ2的正极连接三极管VT3的基极，三极管VT3的发射极接地，三极管VT3的集电极连接MOSFET管Q3的栅极，稳压管DZ3的负极连接稳压管DZ2的负极，稳压管DZ3的正极接地，电容C4一端连接稳压管DZ2的负极，电容C4的另一端接地，电阻R5的一端连接稳压管DZ2的负极，电阻R5的另一端接地。
[0010]所述三极管VT2和三极管VT3用MOSFET管替代。
[0011]所述电流采样电路包括：电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电容C6、电容C7、运算放大器IC2A和运算放大器IC3A，电阻R16一端连接主电路的输出负端，电阻R16的另一端接地，电阻R13的一端连接运算放大器IC2A的反相输入端，电阻R13的另一端接地，电阻R15的一端连接运算放大器IC2A的正相输入端，电阻R15的另一端连接主电路的输出负端，电阻R10连接在运算放大器IC2A的输出端和反相输入端之间，电容C6连接在运算放大器IC2A的输出端和反相输入端之间，电容C7的一端连接运算放大器IC2A的正相输入端，电容C7的另一端接地，电阻R14的一端连接运算放大器IC2A的正相输入端，电阻R14的另一端接地，电阻R11连接在运算放大器IC2A的输出端和运算放大器IC3A的正相输入端之间，电阻R12一端连接运算放大器IC3A的反相输入端，另一端连接参考电压V电阻Refl，运算放大器IC3A的输出端连接二极管D5的正极。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果在于：
[0013]本技术电路通过电流采样电路检测短路保护信号，当有短路保护信号时，控制电路控制主电路停止输出电压，同时通过延时电路延长短路保护周期，达到降低短路保护时的短路损耗。
[0014]本技术通过调节延迟电路的延迟时间，可以有效改变持续性短路保护时重复上电的周期；灵活的延迟时间和较少的器件，为不同的具有短路保护功能的模块提供不同短路保护周期，该线路可以拓展应用于开关电源、其它线性电路中。
附图说明
[0015]图1为本技术提供的一种非隔离打嗝短路保护电路的原理框图。
[0016]图2为本技术提供的一种非隔离打嗝短路保护电路中控制电路的电路图。
[0017]图3为本技术提供的一种非隔离打嗝短路保护电路中延时电路的电路图。
[0018]图4为本技术提供的一种非隔离打嗝短路保护电路中电流采样电路的电路图。
具体实施方式
[0019]下面结合附图1
‑
4，对本技术的一个具体实施方式进行详细描述，但应当理解本技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。
[0020]如图1所示，短路保护的延时电路的原理框图，包括：电流采样电路，输入端连接主电路的输出端，用于检测主电路的输出电流；
[0021]延时电路，用于延长短路保护周期；
[0022]控制电路，包括输入端、第一输出端和第二输出端，其中输入端连接电流采样电路的输出端，第一输出端连接主电路，第二输出端连接延时电路；所述控制电路用于在主电路的输出电流大于设定电流时，控制主电路停止输出电压，同时启动延时电路开启延长短路保护周期，完成一次打嗝短路保护。
[0023]延时电路的开通是为了维持控制电路的持续开通，直到设定的时间。
[0024]如图1所示，控制电路通过控制MOSDET管的栅极，关断主电路的输出电压。
[0025]电流采样电路输出高电平，开启控制电路，电流采样电路输出低电平时，控制电路不工作。
[0026]如图1所示，在正常情况下，由于没有短路保护信号，主电路工作；当有短路保护信号时，控制电路关闭主电路的功率MOSFET管Q1和功率MOSFET管Q2，同时延时电路工作。达到短路保护损耗低的设计要求。
[0027]如图2所示，控制电路部分的功能是发生短路保护后关闭主电路的主功率MOSFET管Q1和功率MOSFET管Q2，保证后级线路不会损坏，控制电路由电阻R6、R7、MOSFET管Q3、二极管D3、二极管D5和稳压管DZ4组成。其中，电阻R6和电阻R7是MOSFET管Q3栅极电压的分压电阻，DZ4是MOSFET管Q3栅极的限幅稳压二极管，二极管D3是功率MOSFET管的漏极的反向保护二极管，二极管D5为短路保护信号反向保护二极管。
[0028]延时电路的功能是控制主电路关闭的时间周期。
[0029]延时电路的具体工作原理：
[0030]如图3所示，当电流采样电路的输出端为高电平时，通过所述二极管D5、电阻R6和电阻R7分压后，将MOSFET管Q3导通，延时电路中的BH信号拉低(0～0.7V)；此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非隔离打嗝短路保护电路，其特征在于，包括：电流采样电路，输入端连接主电路的输出端，用于检测主电路的输出电流；延时电路，用于延长短路保护周期；控制电路，包括输入端、第一输出端和第二输出端，其中输入端连接电流采样电路的输出端，第一输出端连接主电路，第二输出端连接延时电路；所述控制电路用于在主电路的输出电流大于设定电流时，控制主电路停止输出电压，同时启动延时电路开启延长短路保护周期，完成一次打嗝短路保护。2.如权利要求1所述的非隔离打嗝短路保护电路，其特征在于，所述控制电路包括：电阻R6、电阻R7、MOSFET管Q3、二极管D3、二极管D5和稳压管DZ4；电流采样电路的输出端连接二极管D5的正极，二极管D5的负极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接MOSFET管Q3的栅极，电阻R7的一端接地，电阻R7的另一端连接MOSFET管Q3的栅极，稳压管DZ4的正极接地，稳压管DZ4的负极连接MOSFET管Q3的栅极，MOSFET管Q3的源极接地，二极管D3的负极连接MOSFET管Q3的漏极，二极管D3的正极连接主电路的功率MOSFET管。3.如权利要求2所述的非隔离打嗝短路保护电路，其特征在于，所述延时电路包括：三极管VT2，电阻R2、电阻R3、电阻R4，电阻R5，电容C4，稳压管DZ2、稳压管DZ3、二极管D2、二极管D4和三极管VT3，三极管VT2的发射极连接输入电源+Vin，电阻R2连接在三极管VT2的发射极和基极之间，电阻R3的一端连接三极管VT2的基极，电阻R3的另一端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极连接MOSFET管Q3的漏极，二极管D4的正极连接三极管VT2集电极，二极管D4的负极连接二极管D5的...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐福淼，王磊，白海斌，郭鹏，王勇，贺磊，王旭辉，
申请(专利权)人：西安市新雷能电子科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：