CD电感器磁芯及CD电感器制造技术

本实用新型专利技术涉及电感器技术领域，尤其是一种CD电感器磁芯及CD电感器，该CD电感器磁芯包括上盖、中柱和下盖，上盖、中柱和下盖构成“工”字形结构，上盖的外表面设有隔离柱以及位于隔离柱左右两侧的电极位，两电极位分别覆盖在上盖的外表面并沿隔离柱的长度方向延展至上盖的边缘，电极位的中部向下凹沉，上盖的左右两侧边缘的中部位置设有向内凹进的挂线槽，电极位的下沉深度为0.32mm

【技术实现步骤摘要】
CD电感器磁芯及CD电感器


[0001]本技术涉及电感器
，尤其是一种CD电感器磁芯及CD电感器。

技术介绍

[0002]CD电感器是贴片电感器的一种，与常规的电感器相比，具有小型化，高品质，高能量储存和低电阻等特性。
[0003]现有技术中，为了追求电子电路以及电子器件体积的小型化，往往会将CD电感器的体积设计得很小，CD电感器的电极位面积过小，导致实际使用时的散热性能差，以及不利于上锡和焊接效果，容易导致虚焊；另外，CD电感器的体积过小还会造成电感器两个电极位之间的间隔过窄，电感器上锡时，易造成电感器进出线与线包里漆包线形成短路。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种CD电感器磁芯及CD电感器，以解决现有技术中所存在的一个或多个技术问题，至少提供一种有益的选择或创造条件。
[0005]第一方面，提供了一种CD电感器磁芯，包括上盖、中柱和下盖，上盖、中柱和下盖构成“工”字形结构，上盖的外表面设有隔离柱以及位于隔离柱左右两侧的电极位，两电极位分别覆盖在上盖的外表面并沿隔离柱的长度方向延展至上盖的边缘，电极位的中部向下凹沉，上盖的左右两侧边缘的中部位置设有向内凹进的挂线槽，电极位的下沉深度为0.32mm
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0.47mm。
[0006]进一步，电极位包括两个第一电极面和两个第二电极面，两第一电极面分别沿隔离柱的长度方向相对设置，形成向中部下沉的斜面凹槽结构，第二电极面与第一电极面远离所述斜面凹槽结构的一端相接并沿隔离柱的长度方向延展至上盖的边缘。r/>[0007]进一步，第二电极面的高度与隔离柱的高度相等。
[0008]进一步，隔离柱的左右两侧分别形成有第一斜面和第二斜面，第一斜面和第二斜面沿隔离柱的长度方向相对设置，形成向下凹沉结构。
[0009]进一步，隔离柱的左右两侧还形成有第三斜面，第三斜面自隔离柱向电极位方向下沉延展，形成外倾凹沉结构。
[0010]第二方面，提供了一种CD电感器，其包括绕线组以及第一方面所述的CD电感器磁芯，绕线组绕接在中柱上，绕线组的两端分别沿挂线槽挂接在电极位上。
[0011]本技术的有益效果：采用延长电极位长度来增大电极位的面积，有效提高电极位的吸锡能力、焊接效果以及散热性能，同时加深电极位的下沉深度，进一步提高吸锡能力，避免出现虚焊以产出不良品。
附图说明
[0012]图1是一示例性实施例提供的CD电感器磁芯的结构示意图。
[0013]图2是一示例性实施例提供的CD电感器的结构示意图。
具体实施方式
[0014]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清晰，下面将结合实施例和附图，对本技术作进一步的描述。
[0015]第一方面，提供了一种CD电感器磁芯。
[0016]图1是一示例性实施例提供的CD电感器磁芯的结构示意图。
[0017]如图1所示，该CD电感器磁芯包括上盖100、中柱200和下盖300，上盖100、中柱200和下盖300构成“工”字形结构，作为CD电感器磁芯的主体。
[0018]具体地，上盖100的外表面设有隔离柱400以及两个电极位500，电极位500用于上锡和焊接，隔离柱400用于阻隔两电极位500接触，防止发生短路。其中，隔离柱400位于上盖100外表面的中部，两电极位500分别排布于隔离柱400的左右一侧，两电极位500分别覆盖在上盖100的外表面并沿隔离柱400的长度方向延展至上盖100的边缘，电极位500的中部向下凹沉，上盖100的左右两侧边缘的中部位置设有向内凹进的挂线槽600，电极位500的下沉深度为0.32mm
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0.47mm。
[0019]本实施例提供的CD电感器磁芯采用延长电极位500长度的手段来增大电极位500的面积，有效提高电极位500的吸锡能力、焊接效果以及散热性能，同时将电极位500的下沉深度设置为0.32mm
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0.47mm，与现有技术的CD电感器相比，电极位500的下沉更深，进一步提高吸锡能力，避免出现虚焊以产出不良品。
[0020]本实施例所述的电极位500包括两个第一电极面501和两个第二电极面502。两第一电极面501分别沿隔离柱400的长度方向相对设置，形成向中部下沉的斜面凹槽结构，第二电极面502与第一电极面501远离所述斜面凹槽结构的一端相接并沿隔离柱400的长度方向延展至上盖100的边缘。
[0021]在本实施例中，第二电极面502的高度与隔离柱400的高度相等。
[0022]两第一电极面501形成的斜面凹槽结构增大挂线槽600位置的吸锡量，避免上锡不足而虚焊，第二电极面502作为第一电极面501的延展，拓展了电极位500面积。另外，生产时可能会造成斜面凹槽结构的上锡量不足，电感焊接在电路板时也可能出现虚焊，而与第一电极面501连通的第二电极面502更容易与电路板连接，可有效避免该种情况出现。
[0023]本实施例所述的隔离柱400的左右两侧分别形成有第一斜面401和第二斜面402，第一斜面401和第二斜面402沿隔离柱400的长度方向相对设置，形成向下凹沉结构。
[0024]隔离柱400用于分隔两电极位500，尤其是避免上锡或焊接时，两电极位500通过锡液连通。隔离柱400自身不容易粘锡，当电极位500过量附锡时，隔离柱400两侧由第一斜面401和第二斜面402构成的凹沉结构形成的空间可有效阻隔一部分锡液，隔离柱400两边的锡液接触。
[0025]更进一步的，本实施例所述的隔离柱400的左右两侧还形成有第三斜面403，第三斜面403自隔离柱400向电极位500方向下沉延展，形成外倾凹沉结构。该外倾凹沉结构自隔离柱400方向往电极位500方向下沉，进一步阻隔锡液。
[0026]第二方面，提供了一种CD电感器。
[0027]图2是一示例性实施例提供的CD电感器的结构示意图。
[0028]如图2所示，该CD电感器包括绕线组700以及第一方面所述的CD电感器磁芯，其中，绕线组700绕接在中柱200上，绕线组700的两端分别沿挂线槽600挂接在电极位500上，并进
行上锡(图2为未上锡效果)。
[0029]该CD电感器磁芯的具体结构参照上述实施例，由于本CD电感器采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
[0030]在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，除了包含所列的那些要素，而且还可包含没有明确列出的其他要素。
[0031]以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CD电感器磁芯，包括上盖(100)、中柱(200)和下盖(300)，所述上盖(100)、中柱(200)和下盖(300)构成“工”字形结构，其特征在于，所述上盖(100)的外表面设有隔离柱(400)以及位于隔离柱(400)左右两侧的电极位(500)，两所述电极位(500)分别覆盖在上盖(100)的外表面并沿隔离柱(400)的长度方向延展至上盖(100)的边缘，所述电极位(500)的中部向下凹沉，所述上盖(100)的左右两侧边缘的中部位置设有向内凹进的挂线槽(600)，所述电极位(500)的下沉深度为0.32mm
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0.47mm。2.根据权利要求1所述的CD电感器磁芯，其特征在于，所述电极位(500)包括两个第一电极面(501)和两个第二电极面(502)，两所述第一电极面(501)分别沿隔离柱(400)的长度方向相对设置，形成向中部下沉的斜面凹槽结构，所述第二电极面(502)与第一电极面(501)远离所述斜面凹槽结构的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭伟红，
申请(专利权)人：佛山市道磁电子有限公司，
类型：新型
国别省市：