【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及采用金属、稀土金属、高熔点金属、非金属以及类似材料的快速凝固的铸造方法以及铸造设备和铸造合金。
技术介绍
近年来,由于个人计算机的外围设备-诸如HDDs(硬盘驱动器)-AV设备,家用电子设备和类似设备具有重量更轻、结构更紧凑以及性能要求更高的趋势,因此以Nd基(钕基)磁体为代表的烧结稀土磁体的需要日益增长。对于这样的磁体的典型合金是Nd-Fe-B类型合金,这种合金含有铁和硼并且用成份Nd2Fe14B表示。在许多这些的稀土磁体中,为了提高磁性、通过有效地使用资源有限的稀土元素来提高经济效益以及提高与使用相关的性能(诸如耐热和耐腐蚀性能),加入Dy(镝)、Pr(镨)或类似的稀土元素以代替Nd的部分,并且加入Co、Al、Cu或类似的元素以代替Fe的部分。当没有因特别的原因将包含在稀土磁体中的上述稀土元素限制为Nd的情况下,稀土磁体被统称为R-T-B类型磁体(R稀土元素;T过渡金属元素)。一般说来,所有工业生产的R-T-B类型磁体中所含的R的量略超过成份R2T14B的化学计算量。这样,在磁体合金铸坯中,形成包含高浓度的稀土元素(用R表示)的相(下文中称之为富R相)。人们已经知道,富R相在R-T-B类型磁体中具有下列重要的作用。(1)由于富R相的熔点低,因此在磁体生产步骤中的烧结过程中,该相变成液相,因此能够促使所得到的磁体具有高密度,从而可使所得到的磁体在剩磁方面得到提高。(2)富R相用于使晶界光滑,从而减少在逆磁畴中的成核点的数量。另外,由于是非磁性的,因此富R相能够与主相磁绝缘,从而提高矫顽性。(3)由于通过吸附氢能够使富R相扩展,因此该特征 ...
【技术保护点】
一种离心铸造方法,该方法包括下列步骤:将熔融材料浇注到旋转体上;利用旋转体的转动来喷淋熔融材料;以及使被喷淋的熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内表面上, 使旋转体的转动轴线R和圆筒形铸型的转动轴线L不相互平行。
【技术特征摘要】
JP 2000-8-31 262605/00;US 2000-9-22 60/234,350;US 1.一种离心铸造方法,该方法包括下列步骤将熔融材料浇注到旋转体上;利用旋转体的转动来喷淋熔融材料;以及使被喷淋的熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内表面上,使旋转体的转动轴线R和圆筒形铸型的转动轴线L不相互平行。2.如权利要求1所述的离心铸造方法,其特征在于,旋转体采用具有底部和侧壁的容器形式;侧壁中形成有孔部;以及熔融材料被浇注到容器状旋转体的开口部分以能够通过孔部喷淋熔融材料。3.如权利要求1所述的离心铸造方法,其特征在于,旋转体和圆筒形铸型沿着相同的方向转动。4.一种离心铸造方法,该方法包括下列步骤通过提供热量使包含金属的材料体熔化同时使材料体转动;利用转动来喷淋熔融材料;以及使被喷淋的熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内表面上,使包含金属的材料体的转动轴线R和圆筒形铸型的转动轴线L不相互平行。5.如权利要求4所述的离心铸造方法,其特征在于,包含金属的材料体和圆筒形铸型沿着相同的方向转动。6.如权利要求1所述的离心铸造方法,其特征在于,使熔融材料经受由于旋转体的转动而产生的不小于1G的作用力。7.如权利要求4所述的离心铸造方法,其特征在于,使熔融材料经受由于金属的材料体的转动而产生的不小于1G的作用力。8.如权利要求1所述的离心铸造方法,其特征在于,使熔融材料经受由于圆筒形铸型的转动而产生的不小于3G的离心力。9.如权利要求4所述的离心铸造方法,其特征在于,使熔融材料经受由于圆筒形铸型的转动而产生的不小于3G的离心力。10.如权利要求1所述的离心铸造方法,其特征在于,由旋转体的转动轴线R和圆筒形铸型的转动轴线L所形成的倾斜角θ在5度至40度的范围内。11.如权利要求4所述的离心铸造方法,其特征在于,由包含金属的材料体的转动轴线R和圆筒形铸型的转动轴线L所形成的倾斜角θ在5度至40度的范围内。12.如权利要求1所述的离心铸造方法,其特征在于,当使熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内壁上时,平均沉积速率不大于0.015厘米/秒。13.如权利要求4所述的离心铸造方法,其特征在于,当使熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内壁上时,平均沉积速率不大于0.015厘米/秒。14.如权利要求1所述的离心铸造方法,其特征在于,当使熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内壁上时,平均沉积速率不大于0.010厘米/秒。15.如权利要求4所述的离心铸造方法,其特征在于,当使熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内壁上时,平均沉积速率不大于0.010厘米/秒。16.如权利要求1所述的离心铸造方法,其特征在于,当使熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内壁上时,平均沉积速率不大于0.005厘米/秒。17.如权利要求4所述的离心铸造方法,其特征在于,当使熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内壁上时,平均沉积速率不大于0.005厘米/秒。18.如权利要求1所述的离心铸造方法,其特征在于,当使熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内壁上时,铸坯的平均表面温度为0.4T至0.8T,其中T(K)是熔融材料的凝固开始温度。19.如权利要求4所述的离心铸造方法,其特征在于,当使熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内壁上时,铸坯的平均表面温度为0.4T至0.8T,其中T(K)是熔融材料的凝固开始温度。20.一种离心铸造设备,该设备包括可转动的圆筒形铸型;设置在圆筒形铸型内的旋转体;以及用于将熔融材料浇注到旋转体上的供给装置,旋转体是这样设置的,即,使旋转体的转动轴线R和圆筒形铸型的转动轴线L不相互平行,利用旋转体的转动使浇注到旋转体上的熔融材料喷淋并且使被喷淋的熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内表面上。21.一种离心铸造设备,该设备包括可转动的圆筒形铸型;转动驱动机构,所述转动驱动机构与包含金属的材料体相连以使包含金属的材料体的至少一端位于圆筒形铸型内并且所述转动驱动机构适于使包含金属的材料体转动;以及通过产生电弧或等离子体电弧来熔化包含金属的材料体的熔炼装置,使圆筒形铸型的转动轴线L和包含金属的材料体的转动轴线R不相互平行,利用包含金属的材料体的转动使熔融的包含金属的材料喷淋并且使被喷淋的熔融材料沉积并凝固在转动的圆筒形铸型的内表面上。22.如权利要求20所述的离心铸造设备,其特征在于,在熔融材料的沉积过程中可使由圆筒形铸型的转动轴线L和旋转体的转动轴线R所形成的倾斜角θ被改变。23.如权利要求21所述的离心铸造设备,其特征在于,在熔融材料的沉积过程中可使由圆筒形铸型的转动轴线L和包含金属的材料体的转动轴线R所形成的倾斜角θ被改变。24.如权利要求20所述的离心铸造设备,其特征在于,在熔融材料的沉积过程中可使圆筒形铸型和/或旋转体沿着转动轴线L往复运动。25.如权利要求21所述的离心铸造设备,其特征在于,在熔融材料的沉积过程中可使圆筒形铸型和/或包含金属的材料体沿着转动轴线L往复运动。26.如权利要求1所述的离心铸造方法,其特征在于,在熔融材料的沉积过程中使由圆筒形铸型的转动轴线L和旋转体的转动轴线R所形成的倾斜角θ被改变。27.如权利要求4所述的离心铸造方法,其特征在于,在熔融材料的沉积过程中使由圆筒形铸型的转动轴线L和包含金属的材料体的转动轴线R所形成的倾斜角θ被改变。28.如权利要求1所述的离心铸造方法,其特征在于,在熔融材料的沉积过程中使圆筒形铸型和/或旋转体沿着转动轴线L往复运动。29.如权利要求4所述的离心铸造方法,其特征在于,在熔融材料的沉积过程中使圆筒形铸型和/或包含金属的材料体沿着转动轴线L往复运动。30.如权利要求26所述的离心铸造方法,其特征在于,在熔融材料的沉积过程中使圆筒形铸型和/或旋转体沿着转动轴线L往复运动。31.如权利要求27所述的离心铸造方法,其特征在于,在熔融材料的沉积过程中使圆筒形铸型和/或包含金属的材料体沿着转动轴线L往复运动。32.如权利要求1所述的离心铸造方法,其特征在于,所述方法适于铸造稀土磁体合金。33.如权利要求4所述的离心铸造方法,其特征在于,所述方法适于铸造稀土磁体合金。34.如权利要求32所述的离心铸造方法,其特征在于,稀土磁体合金所包含的稀土元素是从Nd、Pr和Dy中选择的一种或多种元素。35.如权利要求33所述的离心铸造方法,其特征在于,稀土磁体合金所包含的稀土元素是从Nd、Pr和Dy中选择的一种或多种元素。36.如权利要求34所述的离心铸造方法,其特征在于,稀土磁体合金包含总量为11.0at.%至15.2at.%的从Nd、Pr和Dy中选择的一种或多种元素。37.如权利要求35所述的离心铸造方法,其特征在于,稀土磁体合金包含总量为11.0at.%至15.2at.%的从Nd、Pr和Dy中选择的一种或多种元素。38.如权利要求34所述的离心铸造方法,其特征在于,稀土磁体合金包含总量为11.8at.%至14.4at.%的从Nd、Pr和Dy中选择的一种或多种元素。39.如权利要求35所述的离心铸造方法,其特征在于,稀土磁体合金包含总量为11.8at.%至14.4at.%的从Nd、Pr和Dy中选择的一种或多种元素。40.如权利要求34所述的离心铸造方法,其特征在于,稀土磁体合金包含总量为11.8at.%至13.5at.%的从Nd、Pr和Dy中选择的一种或多种元素。41.如权利要求35所述的离心铸造方法,其特征在于,稀土磁体合金包含总量为11.8at.%至13.5at.%的从Nd、Pr和Dy中选择的一种或多种元素。42.如权利要求32所述的离心铸造...
【专利技术属性】
技术研发人员:长谷川宽,宇都宫正英,细野宇礼武,広濑洋一,
申请(专利权)人:昭和电工株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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