掩模组件和相关联的方法技术

技术编号:31088285 阅读:20 留言:0更新日期:2021-12-01 12:46
一种方法,包括以下步骤:接收包括掩模和由表膜框架保持的可去除的EUV透明表膜的掩模组件,将表膜框架和EUV透明表膜从掩模上去除,使用检查工具检查掩模上的掩模图案以及随后将由表膜框架保持的EUV透明表膜附接至掩模。方法还可以包括以下步骤:在将表膜框架和EUV透明表膜从掩模上去除之后,将保持着备选表膜的备选表膜框架附接至掩模,备选表膜由对于检查工具的检查射束基本上透明的材料形成;以及在使用检查工具检查掩模上的掩模图案之后,将由备选表膜框架保持的备选表膜从掩模上去除,以便将由表膜框架保持的EUV透明表膜附接至掩模。模。模。

【技术实现步骤摘要】
掩模组件和相关联的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请为申请号为201680008470.X、申请日为2016年2月1日的专利技术名称为“掩模组件和相关联的方法”的中国专利申请的分案申请。
[0003]本申请是2020年2月24日提交的美国申请第16/798,688号的延续申请,该申请是进入日为2017年7月21日的美国申请第15/545,390号(美国专利号10,571,800,2020年2月25日公告)的分案,其是国际申请第PCT/EP/2016/052055号、国际申请日为2016年2月1日的国家阶段,该专利要求2015年2月3日提交的美国申请第62/111,380号和2015年2月20日提交的美国申请第62/118,922号和2015年12月21日提交的美国申请第62/270,330号的权益,这些申请通过引用全部并入本文。


[0004]本专利技术涉及掩模组件,并且特别地但非排除性地涉及使用掩模组件的方法。掩模组件可以包括掩模和表膜。本专利技术具有与EUV光刻设备和EUV光刻工具有关的特别但非排他性的使用。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于EUV透明表膜的表膜检查工具,所述表膜检查工具包括:支撑结构,用于支撑:a)表膜,所述表膜包括由衬底周界支撑的所述EUV透明表膜薄膜,所述衬底周界与所述薄膜交界;或b)表膜组件,所述表膜组件包括所述EUV透明表膜薄膜和被附接到与所述薄膜交界的所述衬底周界的表膜框架;或c)掩模组件,所述掩模组件包括所述EUV透明表膜薄膜、被附接到与所述薄膜交界的所述衬底周界的表膜框架、以及被附接到所述表膜框架的掩模;以及用于测量所述EUV透明表膜的属性以及监测所述属性的改变的装置,所述属性的所述改变与表膜破裂的增加的风险相关联;其中所述EUV透明表膜被配置成透射入射的EUV辐射的至少65%。2.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置被布置为使用一种或多种测量技术来测量所述表膜的属性,所述测量技术选自由EUV反射测量、EUV透射测量、双折射测量、椭偏仪、傅立叶变换红外光谱法、拉曼光谱法、X射线反射测量、显微镜检查、共振测量、扫描热负荷测量、归因于压力差的表膜位移的测量、以及抽吸或排气期间的表膜偏转构成的组。3.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置是红外传感器,所述红外传感器被布置为:(1)测量由所述表膜发出的红外辐射,其中该辐射的波长与所述表膜的温度有关联;或(ii)监测所述表膜的膜的红外吸收的改变,以便检测所述表膜的发射率的局部改变。4.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置是传感器,所述传感器被布置成监测所述表膜的所述EUV反射中的全局或局部变化。5.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置是传感器,所述传感器被布置成确定由所述表膜透射的EUV辐射的量。6.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置被布置成在一系列波长内测量所述表膜的反射中的改变,其中所测量的改变指示所述表膜的材料属性中的改变。7.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置被布置成测量所述辐射束的极化中的改变,以确定所述表膜的应力中的全局或局部改变。8.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置被布置成测量来自所述表膜的x射线的镜面反射的强度。9.根据权利要求8所述的表膜检查工具,还包括x射线束的源,所述x射线束的源被布置成将x射线的束以掠入射角引导到所述表膜上。10.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置被布置成测量所述表膜组件或所述掩模组件的共振频率中的变化。11.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置是传感器,所述传感器被布置成测量所述表膜的归因于压力差的偏转...

【专利技术属性】
技术研发人员:D
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司
类型:发明
国别省市:

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