晶片的制造方法技术

本申请提供了一种晶片的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：借助激光的照射，在所述晶锭内距离第一表面相当于所述晶片厚度的深度位置上沿着C面形成剥离层；将所述晶锭的第一表面通过粘结层粘附于固体衬底上；对所述固体衬底和/或所述剥离层远离第一表面一端的晶锭施加外力，使所述剥离层两端的晶锭产生相对运动，由此以所述剥离层为界面将晶锭的一部分剥离而生成晶片；以及降低粘结层的粘结性，将生成的所述晶片与固体衬底分离。上述制造方法中晶锭的剥离过程简单可靠，降低了生产成本，提高了生产效率。提高了生产效率。提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
晶片的制造方法


[0001]本申请属于半导体元件制造
，更具体地说，是涉及一种晶片的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体行业中，通常使用碳化硅(SiC)、硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、玻璃等材料的晶片作为制备器件的衬底。传统的晶片制备方法为使用线锯切割的方式或“冷分离”的方式将晶锭剥离成片。
[0003]但是采用线锯切割的方式存在严重的材料损耗，分片过程会导致晶锭的大部分(70～80％)被废弃。特别是对于高硬度的SiC材料(莫氏硬度9.5)，锯线切割的方式不仅材料损耗大，还存在效率过低、刀具磨损严重和环境污染等诸多难题，严重制约了SiC产业的发展。
[0004]而采用“冷分离”的方式中，需要通过旋体胶水的方法将SiC晶锭材料与PDMS粘结到一起。胶水的旋涂工艺增加了工艺复杂度，不利于批量生产。另外，上述分离方案中采用液氮制冷，液氮作为耗材会增加额外的生产成本。同时，制冷装置的引入也会使得装备制造过程更为复杂。上述问题限制该方案在工业生产中的应用。

技术实现思路

[0005]本申请在于提供晶片的制造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的制造方法，用于把晶锭分离制得晶片，所述晶锭具有C轴以及与所述C轴垂直的C面，且所述晶锭还具有第一表面，所述第一表面与所述C面相互平行或呈现有夹角，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：借助激光的照射，在所述晶锭内距离第一表面相当于所述晶片厚度的深度位置上沿着C面形成剥离层；将所述晶锭的第一表面通过粘结层粘附于固体衬底上；对所述固体衬底和/或所述剥离层远离第一表面一端的晶锭施加外力，由此以所述剥离层为界面将晶锭的一部分剥离而生成晶片；以及降低粘结层的粘结性，将生成的所述晶片与固体衬底分离。2.如权利要求1所述的晶片的制造方法，其特征在于，所述粘性层为热分离胶、光分离胶、或可溶性粘附材料。3.如权利要求2所述的晶片的制造方法，其特征在于，其中，所述粘性材料层为热分离胶，所述降低粘结层的粘结性，将生成的所述晶片与固体衬底分离的步骤包括：对所述粘性材料层加热使所述粘性材料层受热熔化，进而失去或降低粘性；以及将所述晶片与所述固体衬底分离。4.如权利要求2所述的晶片的制造方法，其特征在于，其中，所述粘性材料层为光分离胶，所述降低粘结层的粘结性，将生成的所述晶片与固体衬底分离的步骤包括：对所述粘性材料层进行光照使所述粘性材料层进行光分解，进而失去或降低粘性；以及将所述晶片与所述固体衬底分离。5.如权利要求2所述的晶片的制造方法，其特征在于，其中，所述粘性材料层为可溶性粘附材料，所述降低粘结层的粘结性，将生成的所述晶片与固体衬底分离的步骤包括：向所述粘性材料层通入腐蚀液使所述粘性材料层溶解于腐蚀液中，进而失去或降低粘性；以及将所述晶片与所述固体衬底分...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春昊，郝宏伟，巫礼杰，任达，仰瑞，贺少鹏，童灿钊，尹建刚，高云峰，
申请(专利权)人：大族激光科技产业集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：