弱荧光成像条件下的熔石英亚表面缺陷高分辨成像方法技术

本发明专利技术公开了一种弱荧光成像条件下的熔石英亚表面缺陷高分辨成像方法，包括构建一缺陷检测装置；连续激光束60

【技术实现步骤摘要】
弱荧光成像条件下的熔石英亚表面缺陷高分辨成像方法


[0001]本专利技术涉及一种成像方法，尤其涉及一种弱荧光成像条件下的熔石英亚表面缺陷高分辨成像方法。

技术介绍

[0002]为了获得最大输出，大型高功率/高能量激光装置都在接近于光学元件损伤阈值的通量下运行，因此光学元件损伤性能尤其重要，是决定这类激光装置输出能力的关键。目前高通量下光学元件的损伤问题大部分都可归结于光学元件亚表面各类缺陷，光学材料经过切割、研磨、抛光等过程加工成光学元件，尽管表面看起来近乎完美无瑕，粗糙度在1nm以下，但其表面和亚表面层不可避免存在亚表面微裂纹和杂质污染等微观缺陷。这些缺陷深度在几微米到数百微米，当激光辐照时会吸收激光能量导致局部材料高温进而引发损伤。研究表明利用氢氟酸刻蚀处理可以有效去除亚表层缺陷，从而大幅度提高光学元件的抗损伤性能，但氢氟酸深度刻蚀会影响光学元件面形、表面疵病及引发再次污染。
[0003]采用现有的荧光成像测试技术，可以实现对光学元件亚表面缺陷的无损、快速检测，但存在只能对大尺度的亚表面缺陷进行检测的问题，对用于高功率激光装置的光学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种弱荧光成像条件下的熔石英亚表面缺陷高分辨成像方法，其特征在于：包括以下步骤；（1）构建一缺陷检测装置，所述缺陷检测装置包括样品台、激光器和图像采集单元；所述样品台水平设置，用于放置样品并带动其三维移动；所述激光器用于发出连续激光束，经整形、聚焦后形成激发光源至样品表面及亚表面；所述图像采集单元位于样品台正上方，用于对样品表面激发的荧光信号成像，包括从上到下依次设置的EMCCD、滤波片和可变倍显微成像镜头；（2）选取一熔石英材料的样品，安装在样品台上，连续激光束倾斜入射到样品表面，且与样品表面呈60
°‑
70
°
夹角，可变倍显微成像镜头位于样品正上方，并与样品表面垂直，用于获取连续激光束在样品表面产生的荧光信号并荧光成像，所述可变倍显微成像镜头采用5
‑
45倍光学放大成像镜头，可变倍显微成像...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红婕，董瑞，王方，陈元，郑天然，袁晓东，胡东霞，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心，
类型：发明
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