稀土类络合物、稀土类络合物溶液、发光性成型体、制造发光性物品的方法、发光片和农业用塑料大棚技术

技术编号:31081535 阅读:28 留言:0更新日期:2021-12-01 12:03
本发明专利技术公开了一种稀土类络合物,其具有稀土类离子和氧化膦配体,所述氧化膦配体与所述稀土类离子配位并且由下述式(I)表示,R1、R2、R3、R4、R5和R6分别独立地表示任选具有取代基的烷基。烷基。烷基。烷基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】稀土类络合物、稀土类络合物溶液、发光性成型体、制造发光性物品的方法、发光片和农业用塑料大棚


[0001]本专利技术涉及稀土类络合物、稀土类络合物溶液、发光性成型体、制造发光性物品的方法、发光片和农业用塑料大棚。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了通过光照射而以较高的亮度发光的稀土类络合物。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:国际公开第2018/155557号

技术实现思路

[0006]专利技术所解决的技术问题
[0007]现有的以较高的亮度发光的稀土类络合物,存在其溶解性较低或容易发生结晶化这样的问题,因此难以形成包含稀土类络合物的透明发光性成型体。
[0008]本专利技术提供一种稀土类络合物,该络合物不仅以较高的亮度发光,而且能够容易地形成结晶化得到抑制的透明发光性成型体。本专利技术还提供一种方法,该方法抑制稀土类络合物的结晶化,由此能够容易地形成包含稀土类络合物的透明发光性成型体。
[0009]解决问题的技术手段
[0010]本专利技术的一个方面涉及稀土类络合物,其具有:
[0011]稀土类离子、和
[0012]氧化膦配体,
[0013]所述氧化膦配体与所述稀土类离子配位,并且所述氧化膦配体由下述式(I)表示:
[0014][化学式1][0015][0016]R1、R2、R3、R4、R5和R6分别独立地表示任选具有取代基的烷基。
[0017]本专利技术的另一个方面涉及稀土类络合物溶液,其含有:
[0018]所述稀土类络合物、和
[0019]溶解所述稀土类络合物的溶剂。
[0020]本专利技术的又一个方面涉及一种稀土类络合物溶液,其含有:
[0021]稀土类络合物、
[0022]使所述稀土类络合物的结晶性降低的芳香族化合物、和
[0023]溶解所述稀土类络合物和所述芳香族化合物的溶剂。
[0024]本专利技术的又一个方面涉及一种制造发光性物品的方法,其包含:
[0025]在基材上形成所述稀土类络合物溶液的膜;和
[0026]从所述膜中除去所述溶剂,由此形成包含所述稀土类络合物的膜状发光性成型体。
[0027]本专利技术的又一个方面涉及一种发光性成型体,其包含具有式(I)表示的氧化膦配体的稀土类络合物。
[0028]本专利技术的又一个方面涉及一种发光性成型体,其包含:
[0029]稀土类络合物、和
[0030]使所述稀土类络合物的结晶性降低的芳香族化合物。
[0031]本专利技术的又一个方面涉及一种发光片,其具备:
[0032]透明基材膜、和
[0033]设置在该透明基材膜上的膜状发光性成型体。
[0034]所述发光性成型体为上述发光性成型体。
[0035]本专利技术的又一个方面涉及农业用塑料大棚,其具备所述发光片。
[0036]专利技术效果
[0037]根据本专利技术,提供一种稀土类络合物,其不仅以较高的亮度发光,而且能够容易地形成结晶化得到抑制的透明发光性成型体。根据本专利技术,还提供一种方法,其抑制稀土类络合物的结晶化,由此能够容易地形成包含稀土类络合物的透明发光性成型体。
附图说明
[0038][图1]是表示发光片的一种实施方式的截面图。
[0039][图2]是表示农业用塑料大棚的一种实施方式的立体图。
[0040][图3]是包含Eu(hfa)3(tdmpo)2的稀土类络合物溶液的发射光谱。
[0041][图4]是包含Eu(hfa)3(tdmpo)2的稀土类络合物溶液的发光衰减曲线。
[0042][图5]是包含Eu(hfa)3(tdmpo)2的稀土类络合物溶液的发射光谱。
[0043][图6]是包含Eu(hfa)3(tdmpo)2的稀土类络合物溶液的发光衰减曲线。
具体实施方式
[0044]以下,将对本专利技术的一些实施方式详细地进行说明。但是,本专利技术不限于以下实施方式。
[0045]一种实施方式的稀土类络合物具有稀土类离子和氧化膦配体,所述氧化膦配体与所述稀土类离子配位,并且所述氧化膦配体由下述式(I)表示:
[0046][化学式2][0047][0048]稀土类离子通常为三价的稀土类离子。稀土类离子可根据发光颜色等进行适宜选择。稀土类离子例如为选自以下离子中的至少一种:Eu(III)离子、Tb(III)离子、Gd(III)离子、Sm(III)离子、Yb(III)离子、Nd(III)离子、Er(III)离子、Y(III)离子、Dy(III)离子、Ce(III)离子和Pr(III)离子。从得到较高的发光强度的观点出发,稀土类离子可以为Eu(III)离子、Tb(III)离子或Gd(III)离子。
[0049]式(I)中的R1、R2、R3、R4、R5和R6分别独立地表示任选具有取代基的烷基。作为R1~R6的烷基可以为直链状、支链状、环状或这些的组合,其碳原子数可以为1~20、1~15、1~10、1~5或1~3。与烷基键合的取代基,例如可以为卤素基团。R1~R6可以分别独立地为甲基、乙基或丙基。
[0050]除了式(I)的氧化膦配体之外,一种实施方式的稀土类络合物还可以进一步具有其它配体。例如,稀土类络合物可以具有1个稀土类离子、2个式(1)的氧化膦配体和3个其它配体。
[0051]其它配体可以是具有光敏化作用的配体。具有光敏化作用的配体可以从对稀土类离子具有光敏化作用的化合物中任意选择。具有光敏化作用的配体可以为单齿配体或双齿配体。
[0052]具有光敏化作用的配体可以是具有包含配位原子(例如,氮原子)的杂芳香族基团的杂芳香族化合物。作为可用作具有光敏化作用的配体的杂芳香族化合物的实例,可举出下述式(21)表示的化合物。
[0053][化学式3][0054][0055]在式(21)中,R
21
、R
22
、R
23
、R
24
、R
25
、R
26
、R
27
和R
28
分别独立地表示氢原子、碳原子数为1~3的烷基或碳原子数为6~12的芳基、或彼此连接并与它们所键合的吡啶环一起形成稠环的基团。烷基的碳原子数可以为1~3或1。芳基的碳原子数可以为6~12或6~10。
[0056]式(21)表示的化合物可以是下述式(21a)表示的菲咯啉化合物。
[0057][化学式4][0058][0059]在式(21a)中,R
21
、R
22
、R
23
、R
25
、R
26
和R
27
的定义与式(1)相同。R
29
和R
30
分别独立地表示氢原子、碳原子数为1~3的烷基或碳原子数为6~12的芳基。烷基的碳原子本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种稀土类络合物,其具有:稀土类离子、和氧化膦配体,所述氧化膦配体与所述稀土类离子配位,并且所述氧化膦配体由下述式(I)表示:[化学式1]R1、R2、R3、R4、R5和R6分别独立地表示任选具有取代基的烷基。2.根据权利要求1所述的稀土类络合物,其中,除了所述氧化膦配体之外,还具有与所述稀土类离子配位并且具有光敏化作用的配体。3.一种稀土类络合物溶液,其含有:权利要求1或2所述的稀土类络合物、和溶解所述稀土类络合物的溶剂。4.一种稀土类络合物溶液,其含有:稀土类络合物、使所述稀土类络合物的结晶性降低的芳香族化合物、和溶解所述稀土类络合物和所述芳香族化合物的溶剂。5.根据权利要求4所述的稀土类络合物溶液,其中,所述芳香族化合物为下述式(10)、(11)、(12)或(13)表示的化合物:[化学式2][化学式3][化学式4]
[化学式5]X表示氢原子、卤素基团、任选具有取代基的烷氧基、羟基、硝基、任选具有取代基的氨基、任选具有取代基的烷基磺酰基、任选具有取代基的芳基磺酰基、氰基、三烷氧基甲硅烷基、三烷基甲硅烷基、膦酸基、重氮基、任选具有取代基的烷基羰氧基、任选具有取代基的芳基羰氧基、任选具有取代基的烷氧基羰基、任选具有取代基的芳氧基羰基、醛基或巯基,同一分子中的多个X可以相同或不同,同一分子中的多个X中的1个以上为包含氧原子或氮原子的基团。6.一种制造发...

【专利技术属性】
技术研发人员:北川裕一岛佳央莉和田智志长谷川靖哉伏见公志
申请(专利权)人:国立大学法人北海道大学
类型:发明
国别省市:

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