【技术实现步骤摘要】
一种制备三氯氢硅的合成炉
[0001]本技术属于化工
,具体地涉及一种制备三氯氢硅的合成炉。
技术介绍
[0002]直接氯化法是生产三氯氢硅的主要方法,目前通常是使冶金级工业硅粉与干燥的氯化氢气体在合成炉内进行反应,反应生成三氯氢硅及副产物四氯化硅、二氯二氢硅等,同时还会生成氯硅烷高聚物、金属氯化物等。现有的合成炉在使用时,投入设备内的硅粉易堆积在一处,影响了硅粉与氯化氢气体的接触面积,导致反应不充分,副产物多;除此之外,现有的合成炉没有过滤装置,无法对硅粉及氯化氢气体中的杂质进行滤除,影响产品质量。为此,亟需加以改进。
技术实现思路
[0003]为了解决现有技术中存在的上述问题,本技术提供了一种制备三氯氢硅的合成炉,包括炉体、散料装置、过滤机构和螺旋输送机,所述炉体的顶部设置有加料口和出气口,且炉体的底部设置有排渣口和进气口,所述进气口连接有气体管道,且气体管道的外部设置有第一加热套,所述炉体的外壁设置有观察窗和控制面板,所述炉体的壳体上设置有第二加热套,所述炉体内设置有温度计和多孔布风板,所述多孔布风板 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制备三氯氢硅的合成炉,包括炉体、散料装置、过滤机构和螺旋输送机,其特征在于:所述炉体的顶部设置有加料口和出气口,且炉体的底部设置有排渣口和进气口,所述进气口连接有气体管道,且气体管道的外部设置有第一加热套,所述炉体的外壁设置有观察窗和控制面板,所述炉体的壳体上设置有第二加热套,所述炉体内设置有温度计和多孔布风板,所述多孔布风板设置在靠近进气口的位置、且与进气口相对应,所述温度计与控制面板电连接;所述散料装置包括转轴和设置在炉体外部的减速电机,所述转轴水平设置在炉体内,且转轴的左端贯穿炉体的左侧壁与减速电机的输出轴传动连接,所述转轴的右端通过轴承座转动连接在炉体的右侧壁上,所述转轴的周围沿径向设置有多块平行的散料板,多块所述散料...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈建祥,秦小勇,陈鹏飞,陈军峰,
申请(专利权)人:河南尚宇新能源股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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