【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种磁记录/再现设备和在其中装备的磁头,具体地,涉及一种用于高密度磁记录/再现设备的磁头及其制造方法。
技术介绍
在主要由硬盘构成的高密度磁记录技术中,磁阻磁头用于读传感器,并且是对磁记录技术的性能施加强烈影响的部件。在使磁记录设备的记录密度快速地增高的构架内,现有技术不能实现具有足够高的记录密度的磁记录设备;具体地,不能获得用作读元件的具有足够的输出和相对于外部磁场的灵敏度以及具有足够稳定性的优异性能磁阻磁头,,以致实现记录设备的功能是困难的。最近,众所周知其中通过非磁性金属层即所谓的巨磁阻层叠铁磁性金属层的多层膜的磁阻较大。过去,当该磁阻用于磁头时,电流在层状薄膜的平面中流动,使用所谓的CIP-GMR。而且,最近对垂直于该平面电流巨磁阻进行研究,即所谓的CPP-GMR,其中电流在层状薄膜的薄膜厚度方向上流动。本专利技术涉及一种磁阻自旋-阀门传感器和使用CPP-GMR的磁头。JP-A No.204094/2003[专利文献2]JP-A No.208744/2002[专利文献3]JP-A No.355682/2004
技术实现思路
[专利技术解决的问 ...
【技术保护点】
一种磁阻读磁头,包括:由软磁性自由层、非磁性中间层以及GMR-筛网层构成的层状结构,其中软磁性自由层的磁化方向对应于外部磁场而变化,其中所述GMR-筛网层由铁磁性金属层和氧化层的复合体构成,所述氧化层具有覆盖所述铁磁性金属层的孔,在所述氧化层的孔中,中凸地填充所述铁磁性金属层,以及其中提供一种功能,该功能中通过部分地穿过所述孔部件,在薄膜厚度方向上的电流流动被限制,以及提供功能,该功能中对应于GMR-筛网层的磁化和所述软磁性自由层的磁化之间的相对角差产生磁阻效应。
【技术特征摘要】
JP 2005-10-20 2005-3062511.一种磁阻读磁头,包括由软磁性自由层、非磁性中间层以及GMR-筛网层构成的层状结构,其中软磁性自由层的磁化方向对应于外部磁场而变化,其中所述GMR-筛网层由铁磁性金属层和氧化层的复合体构成,所述氧化层具有覆盖所述铁磁性金属层的孔,在所述氧化层的孔中,中凸地填充所述铁磁性金属层,以及其中提供一种功能,该功能中通过部分地穿过所述孔部件,在薄膜厚度方向上的电流流动被限制,以及提供功能,该功能中对应于GMR-筛网层的磁化和所述软磁性自由层的磁化之间的相对角差产生磁阻效应。2.一种磁阻读磁头,包括磁阻膜,具有软磁性自由层、非磁性中间层、GMR-筛网层、分离-耦合层、铁磁性固定层,其中该软磁性自由层的磁化方向对应于外部磁场而变化,GMR-筛网层由铁磁性金属层和氧化层的复合体构成,且在铁磁性固定层中磁化方向被固定在一个方向上,在所述磁阻膜的薄膜厚度方向上流动电流的一对电极,其中所述GMR-筛网形成在所述铁磁性固定层和所述非磁性中间层之间,以及所述GMR-筛网通过所述分离-耦合层与所述铁磁性固定层磁性耦合。3.根据权利要求2的磁阻读磁头,其中所述氧化层用孔覆盖所述铁磁性金属层,以及所述铁磁性金属层的部分通过所述氧化层的孔部分暴露给相邻非磁性中间层。4.根据权利要求2的磁阻读磁头,其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员:星屋裕之,星野胜美,目黑贤一,佐藤阳,片田裕之,
申请(专利权)人:日立环球储存科技荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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