基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器制造技术

本实用新型专利技术涉及吸波器领域，具体是基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其包括由下至上依次设置的理想电导体层、介质层和双金属圆环，介质层内设置石墨烯层，双金属圆环由同心的第一金属圆环和第二金属圆环构成。石墨烯的表面电导率随费米能级变化，当改变石墨烯的化学势时，本实用新型专利技术可以实现宽带可调性，从而达到可调谐吸收的目的；本实用新型专利技术将双金属圆环和石墨烯层结合设计了一种超材料吸波体，使其不仅具有金属超材料吸波体的高吸收率，又具有石墨烯超材料的调控特性，具有宽带高吸收的特性。本实用新型专利技术结构简单，通过尺寸的比例变换，也可以实现其他波段的电磁波吸收。收。收。

【技术实现步骤摘要】
基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器


[0001]本技术涉及吸波器领域，具体是基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器。

技术介绍

[0002]超材料具有超越天然材料电磁特性，是继高分子材料和纳米材料之后最具影响力的新材料，是实现完美透镜和负折射率等光学器件的基础，也因其可行性受到隐身、通信等领域专家的广泛关注。然而完美吸波器又是超材料一个重要分支。自Landy等人在2008年首次提出薄而近乎完美的吸波超材料后，超材料吸收体(MAs)开始了蓬勃的发展。由于很难找到强频率选择性太赫兹吸收器,以至于MAs在太赫兹波段受到重点关注。
[0003]太赫兹是指0.1GHz
‑
10THz，太赫兹的频率高、脉冲短，具有很高的时域频谱信噪比，且光子能量低、穿透性强对物质与人体的破坏较小，所以与X射线相比，太赫兹成像技术更具优势，独特的性质在医学成像、安全检查、宽带通信等方面具有广阔的前景。因此，发展研究工作于太赫兹波段相关的功能器件具有重要意义。在太赫兹波段，石墨烯电磁波支持表面等离子体激元(Surface Plasmon P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：包括由下至上依次设置的理想电导体层（1）、介质层和双金属圆环，介质层内设置石墨烯层，双金属圆环由同心的第一金属圆环（2）和第二金属圆环（3）构成。2.如权利要求1所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的介质层有第一介质层（4）和第二介质层（5），第一介质层（4）与理想电导体层（1）相触，第二介质层（5）与双金属圆环相触，石墨烯层位于第一介质层（4）和第二介质层（5）之间。3.如权利要求1或2所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的石墨烯层有正方形的第一石墨烯层（6）和四个长条形的第二石墨烯层（7）。4.如权利要求3所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的四个长条形的第二石墨烯层（7）的一端均与第一石墨烯层（6）连接，四个长条形的第二石墨烯层（7）的另一端端面均与介质层的外边缘平齐。5.如权利要求3所述的基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器，其特征在于：所述的理想电导体层（1）的中心、介质层的中心、石墨烯层的中心和双金属圆环的中心位于同一条竖直的直线...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢桐，杨俊波，张振荣，陈丁博，徐艳红，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：新型
国别省市：