【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氧化铽的用途。
技术介绍
压敏电阻是上世纪七十年代末发展起来的 一种很有应用前景的半导体器 件，它具有不遵从欧姆定律的非线性电学行为，即在转变电压以下其电阻很大,电流很小；超过转变电压其电阻急剧减小，电流急剧增大。用于过电压保护、 防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪等保护半导体元 器件及电路。目前使用的压敏电阻主要由氧化锌(ZnO)材料制成，其转变电压高， 通常为180V以上，能量吸收能力较低，约为150-270J/cm3,介电性能低，介电常 数为500 1500。而目前的电子电路与早期的由继电器和真空管组成的电路相比， 更容易受到的破坏，因此要求压敏电阻具有更低的转变电压，更高的能量吸收 能力和介电'〖生能。参见文献1、 Effect of sinter temperature on the electrical properties of TiO厂based capacitor—visitors, C P Li of s/， Mater. Lett. 57, 1400, 2003;文献2、 The role of si...
【技术保护点】
一种氧化铽的用途，是将氧化铽粉末压片、烧结后用于制作压敏电阻的材料。
【技术特征摘要】
1、一种氧化铽的用途，是将氧化铽粉末压片、烧结后用于制作压敏电阻的材料。2、 根据权利要求l所述的一种氧化铽的用途，其特征在于所述的氧化铽 粉末压片、烧结的具体步骤是将氧化铽粉末中加入粘结剂造粒，在100~3...
【专利技术属性】
技术研发人员：李统业，王豫，赵勇，董亮，郭娜，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]
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