高居里点无铅PTC陶瓷电阻材料的制备方法技术

一种高居里点无铅ＰＴＣ陶瓷电阻材料的制备方法，将Ｎａ↓［２］ＣＯ↓［３］、Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］和ＴｉＯ↓［２］混合得到混合物Ａ；将ＴｉＯ↓［２］和ＢａＣＯ↓［３］混合得到混合物Ｂ，然后分别将混合物Ａ、混合物Ｂ球磨后合成Ｎａ↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］ＴｉＯ↓［３］粉体和ＢａＴｉＯ↓［３］粉体；将合成的Ｎａ↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］ＴｉＯ↓［３］粉体、ＢａＴｉＯ↓［３］粉体、半导化元素和ＴｉＯ↓［２］混合球磨、干燥、造粒、成型坯体；将成型的坯体在还原气氛下烧结得到半导化的陶瓷样品；将半导性的陶瓷样品在空气中氧化得到高居里点无铅ＰＴＣ陶瓷电阻材料。本发明专利技术实现无铅化，避免了电阻材料制造和使用中铅对环境的污染、人体的伤害，并且解决了无铅高居里点陶瓷材料实现半导化的技术难题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷电阻材料的制备方法，具体涉及一种高居里点无 铅PTC陶瓷电阻材料的制备方法。技术背景PTCR (Positive Temperature Coe伤cientResistivity正温度系数电阻)陶瓷材料已被广泛应用于定温发热、彩电及彩色显示器的消磁、用作电路的 温度补偿元件、异步电机的启动、照明灯具的延时启动、电机的过流过热 保护、通讯电路过流保护等方面。另外，作为自控温发热体，尤其是高居 里点(rc)大功率的PTCR发热体，在家电方面的需求量将以每年27%的速 度增长。目前国内外对高rc的PTC陶瓷的研究主要有三个系统(Ba^Pb)Ti03 系统、PbTiOrTi02系统以及BaPb03系统，上述三个系统中对(Ba，Pb)Ti03 系PTC陶瓷的研究较为广泛和深入。然而，迄今为止，绝大多数可实用化 的压电和铁电材料仍然是含铅的。其中氧化铅的含量约占原材料总质量的 70% ，由于含铅材料在制备过程中存在PbO的挥发，不仅造成陶瓷中的 化学计量比的偏离，使得产品的一致性和重复性降低，而且PbO的挥发对 人体产生危害。此外，含铅材料的废弃物的处理过程也会对环境本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高居里点无铅ＰＴＣ陶瓷电阻材料的制备方法，其特征在于：　　　　１）首先按质量份数将２６．２份的Ｎａ↓［２］ＣＯ↓［３］、１１６．５份的Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］和７９．９份的ＴｉＯ↓［２］混合得到混合物Ａ；再按质量份数将７９．９份的ＴｉＯ↓［２］和１９７．４份的ＢａＣＯ↓［３］混合得到混合物Ｂ，然后分别将混合物Ａ、混合物Ｂ加入去离子水中球磨３－５小时，过滤后将球磨的粉料在８０－１００℃烘干；　　　　２）然后将烘干后的混合物Ａ在８００－８５０℃保温１－２小时合成Ｎａ↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］ＴｉＯ↓［３］粉体，将烘干后的混合物Ｂ在１２８０－１３５０℃保温１－２ｈ合成ＢａＴｉＯ↓［３］粉体；　　...

【技术特征摘要】
1、一种高居里点无铅PTC陶瓷电阻材料的制备方法，其特征在于1)首先按质量份数将26.2份的Na2CO3、116.5份的Bi2O3和79.9份的TiO2混合得到混合物A；再按质量份数将79.9份的TiO2和197.4份的BaCO3混合得到混合物B，然后分别将混合物A、混合物B加入去离子水中球磨3-5小时，过滤后将球磨的粉料在80-100℃烘干；2)然后将烘干后的混合物A在800-850℃保温1-2小时合成Na0.5Bi0.5TiO3粉体，将烘干后的混合物B在1280-1350℃保温1-2h合成BaTiO3粉体；3)将合成的Na0.5Bi0.5TiO3粉体、BaTiO3粉体、半导化元素Ln和TiO2按照(Na0.5Bi0.5)x(Ba1-x-z)TiO3+zLn+2mol...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲永平，王瑾菲，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]