基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器制造技术

技术编号:3102929 阅读:224 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器,它是绝缘基底上面沉积的金属电极-氧化锌薄膜-金属电极单元;氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体膜。本发明专利技术的低压氧化锌压敏电阻器具有制作工艺简单,阈值电压低,重复性好,工艺可控性强的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及低压电子线路的保护元件,特别地,涉及一种基于C轴取向柱 状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器。
技术介绍
氧化锌压敏电阻器是一种以氧化锌为主体的多晶半导体陶瓷元件,具有通 流容量大、响应速度快、无续流、无极性等优点。但是目前商用的压敏电阻的阈值电压一般都在5V以上,例如AVX公司的0402型片式压敏电阻器有5. 6V、 9V、 14V和18V等规格。随着半导体集成电路工艺的不断发展,目前集成电路的 芯片的尺寸越来越小,工作电压也越来越低,因此极需能够在5V以下的低压起 保护作用的压敏电阻器。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足,提供一种基于c轴取向柱状氧化锌 薄膜的低压薄膜压敏电阻器。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的 一种基于c轴取向柱状氧化 锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器,它由金属电极、氧化锌薄膜和金属电极依次连 接组成,其中,所述氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体薄膜;所述金属电 极为金属铝膜。本专利技术的有益效果是1. 本专利技术采用薄膜制作工艺制作柱状氧化锌膜,薄膜的取向性控制十分方便,只要简单地控制氧化锌膜的生长工艺,使得氧化锌薄膜为高度c轴取本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器,其特征在于,它由金属电极(1)、氧化锌薄膜(2)和金属电极(3)依次连接组成,其中,所述氧化锌薄膜(2)为高度c轴取向的柱状晶体薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器,其特征在于,它由金属电极(1)、氧化锌薄膜(2)和金属电极(3)依次连接组成,其中,所述氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员:季振国席俊华黄东
申请(专利权)人:杭州电子科技大学
类型:发明
国别省市:86[中国|杭州]

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