一种测定块状氮化铝中痕量杂质元素含量的方法技术

本发明专利技术涉及分析检测技术领域，公开了一种测定块状氮化铝中痕量杂质元素含量的方法。该方法包括：（1）将钽片与第一酸性溶剂进行第一接触，得到腐蚀钽片；以及将待测块状氮化铝样品与第二酸性溶剂进行第二接触，得到腐蚀待测块状氮化铝样品；其中，所述钽片上每间隔1

【技术实现步骤摘要】
一种测定块状氮化铝中痕量杂质元素含量的方法


[0001]本专利技术涉及分析检测
，具体地涉及一种测定块状氮化铝中痕量杂质元素含量的方法。

技术介绍

[0002]氮化铝作为第三代半导体材料，具有导热性能好、体积电阻率高、介电常数和介电损耗小的特点，使得它在超大规模集尘电路基板及封装、大功率通讯器材等方面具有广泛的应用前景。
[0003]然而，氮化铝的纯度，如某些金属元素（Mg、Fe、Si等）的含量会直接影响氮化铝的性能，因此，如何有效的检测氮化铝的杂质变得至关重要。
[0004]目前，对于氮化铝杂质测定的主要方法有火焰原子吸收光谱法、等离子体发射光谱法。此两种方法都需要对样品进行消解，而氮化铝具有很好的耐高温和耐腐蚀性，导致消解过程复杂，很容易引入其它杂质污染，降低检测结果的准确性。
[0005]辉光放电质谱仪可直接分析固体样品，避免了样品的消解过程，它具有较高的灵敏度和极宽的线性动态范围，可以一次性测定超痕量到主体含量的杂质元素，已经在超纯固体材料中得到了广泛的应用。
[0006]CN109239179A公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测定块状氮化铝中痕量杂质元素含量的方法，其特征在于，该方法包括：（1）将钽片与第一酸性溶剂进行第一接触，得到腐蚀钽片；以及将待测块状氮化铝样品与第二酸性溶剂进行第二接触，得到腐蚀待测块状氮化铝样品；其中，所述钽片上每间隔1
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2mm设有直径为1
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2mm的通孔；所述第一酸性溶剂、所述第二酸性溶剂均为用量体积比为5
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10:1的硝酸和氢氟酸混合溶液；（2）将所述腐蚀钽片放置于所述腐蚀待测块状氮化铝样品上，并采用直流辉光放电质谱仪进行分析；其中，所述直流辉光放电质谱仪的条件至少包括：放电电流为1.5
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2mA，放电电压为1000
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1100V，预溅射时间为5
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10min。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤（1）中，所述通孔的直直径为1mm或2mm。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在步骤（1）中，所述第一酸性溶剂、所述第二酸性溶剂均为用量体积比为8
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10:1的硝酸和氢氟酸混合溶液。4.根据权利要求1
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3中任意一项所述的方法，其中，在步骤（1）中，所述第一接触的条件至少包括：温度为20
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40℃，时间为2
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5min。5.根据权利要求1
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4任意一项所述的方法，其中，在步骤（1）中，所述第二接触的条件至少包括：温度为20
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【专利技术属性】
技术研发人员：谭秀珍，李江霖，李瑶，邓育宁，朱刘，
申请(专利权)人：广东先导稀材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：