一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法技术

本发明专利技术涉及一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法，属于硅提纯技术领域。本发明专利技术将冶金级硅加热熔融得到含B的Si熔体，将复合亲硼添加剂加入到含B的Si熔体得到混合熔体；将氩气通入到混合熔体中并在温度为1414～1600℃下精炼1～3h，随炉冷却至室温得到精炼硅；精炼硅研磨成150～200目的硅粉，硅粉依次经王水、HF

【技术实现步骤摘要】
一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法


[0001]本专利技术涉及一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法，属于硅提纯


技术介绍

[0002]到目前为止，太阳能级硅(SOG
‑
Si)主要由冶金级硅(MG
‑
Si)通过各种提纯工艺制成。而杂 质去除是从冶金级硅中获得太阳能级硅所需的纯化过程，对硅基太阳能电池的制备至关重要。
[0003]太阳能电池生产过程中对硼的去除要求越来越高，当B浓度高于0.3ppmw时，少数载 流子的寿命就会因B
–
O缺陷而急剧缩短，进而严重影响电池的光电转换效率。
[0004]冶金法生产SOG
‑
Si，有效降低生产成本、降低光伏发电成本，促进太阳能电池行业水平 的高速发展和整体提高。冶金法中的各种冶金净化工艺主要包括气体吹炼、炉渣处理、等离 子体精炼、酸浸、溶剂精炼等，气体吹炼能够有效去除硅中的硼，但部分硅会被氧化成二氧 化硅和一氧化硅，造成少量的硅损失。除此之外，硼化物的饱和蒸气压在正常情况下都很低， 这限制了除B本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)将冶金级硅加热熔融得到含B的Si熔体，将复合亲硼添加剂加入到含B的Si熔体得到混合熔体；(2)将氩气通入到混合熔体中并在温度为1414～1600℃下精炼1～3h，随炉冷却至室温得到精炼硅；(3)精炼硅研磨成150～200目的硅粉，硅粉依次经王水、HF
‑
HCl混酸清洗0.5～6h得到高纯硅。2.根据权利要求1所述利用复合亲硼添加剂去...

【专利技术属性】
技术研发人员：任永生，曾毅，马文会，雷云，魏奎先，伍继君，吕国强，谢克强，颜恒维，刘战伟，李绍元，于洁，万小涵，陈正杰，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：