一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路制造技术

本发明专利技术具体涉及一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路。其技术方案是：浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路由四个电流传输器和五个阻抗元件组成，结构简单，在不改变电路拓扑结构的情况下，通过改变第一阻抗元件(3)、第二阻抗元件(5)、第三阻抗元件(1)、第四阻抗元件(6)和第五阻抗元件(8)的元件类型，能将任意一种接地型分数阶记忆元件转换成任意一种浮地型分数阶记忆元件，通用性强；浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路在端子A和端子B之间施加激励电压信号v(t)后，能够保证端子A的电流i1(t)和端子B的电流i2(t)相等，使用时浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A和端子B都能与其他电路中的元件进行任意连接，灵活性高。灵活性高。灵活性高。

【技术实现步骤摘要】
一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路


[0001]本专利技术属于记忆元件的等效电路
具体涉及一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路。

技术介绍

[0002]2009年，在忆阻器的基础上，蔡少棠教授和Ventra等人提出了忆容器和忆感器的概念，并称它们为记忆元件(Ventra M D,Pershin Y V,Chua L O.Circuit Elements With Memory:Memristors,Memcapacitors,and Meminductors[J].Proceedings of the IEEE,2009,97(10):1717
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1724.)，其中，忆阻器表征磁通和电荷的关系、忆容器表征电荷的积分和磁通的关系、忆感器表征磁通的积分和电荷的关系。由于受限于严苛的实验环境和精密的纳米技术，目前仅忆阻器的实物制备成功，但也没有实现商品化的生产，而忆容器和忆感器更是还未能制备出实物。因此，为了便于广大科研人员分析和研究记忆元件的特性及其相关应用，设计等效电路来实现不同的记忆元件成为一种方便、高效的办法。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路，其特征在于所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路由第三阻抗元件(1)、第一电流传输器(2)、第一阻抗元件(3)、第二电流传输器(4)、第二阻抗元件(5)、第四阻抗元件(6)、第四电流传输器(7)、第五阻抗元件(8)和第三电流传输器(9)组成；浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路分别设有浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A、浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子B和浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子GND；所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A和第一电流传输器(2)的端子E1i连接，第一电流传输器(2)的端子E1o和第一阻抗元件(3)的端子Z11连接，第一电流传输器(2)的端子E1
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和第三阻抗元件(1)的端子Z31连接，第一电流传输器(2)的端子E1+和第四电流传输器(7)的端子E4o连接，第四电流传输器(7)的端子E4
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和第五阻抗元件(8)的端子Z52连接，第四电流传输器(7)的端子E4i和第四阻抗元件(6)的端子Z42连接，第四电流传输器(7)的端子E4+和第二电流传输器(4)的端子E2o连接；所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子B和第三电流传输器(9)的端子E3i连接，第三电流传输器(9)的端子E3
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和第三阻抗元件(1)的端子Z32连接，第三电流传输器(9)的端子E3o和第二电流传输器(4)的端子E2+连接，第二电流传输器(4)的端子E2
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和第一阻抗元件(3)的端子Z12连接，第二电流传输器(4)的端子E2i和第二阻抗元件(5)的端子Z21连接；所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子GND与第二阻抗元件(5)的端子Z22、第三电流传输器(9)的端子E3+、第四阻抗元件(6)的端子Z41、第五阻抗元件(8)的端子Z51分别连接；所述第一阻抗元件(3)为电阻、电容和电感中的一种，所述第三阻抗元件(1)为电阻、电容和电感中的一种，所述第二阻抗元件(5)为电阻、电容、电感和接地型分数阶记忆元件中的一种，所述第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感和接地型分数阶记忆元件中的一种，所述第五阻抗元件(8)为电阻、电容、电感和接地型分数阶记忆元件中的一种；所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A和浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子B之间的等效阻抗Z
AB
(t)为：式(1)中：Z1表示第一阻抗元件(3)的阻抗值，Z2表示第二阻抗元件(5)的阻抗值，Z3表示第三阻抗元件(1)的阻抗值，Z4表示第四阻抗元件(6)的阻抗值，Z5表示第五阻抗元件(8)的阻抗值；a)凡符合下述条件之一时，所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路为浮地型分数阶忆阻器的等效电路：条件1：第五阻抗元件(8)为接地型分数阶忆阻器，第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种，第二阻抗元件(5)为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件(1)为电阻、电容、
电感中的一种，第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感中的一种，无量纲；条件2：第二阻抗元件(5)为接地型分数阶忆容器，第一阻抗元件(3)为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件(1)为电阻、电容、电感中的一种，第四阻抗元件(6)为电阻、电容、电感中的一种，第五阻抗元件(8)为电阻、电容、电感中...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚涛，甘朝晖，余磊，
申请(专利权)人：武汉科技大学，
类型：发明
国别省市：