硼硅酸盐光提取区域制造技术

本发明专利技术涉及具有光提取层(16)的光提取基底(10)。所述光提取层(16)包含硼、硼酸盐和/或硼硅酸盐以及纳米颗粒(18)。硼硅酸盐以及纳米颗粒(18)。硼硅酸盐以及纳米颗粒(18)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硼硅酸盐光提取区域
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2019年3月7日提交的美国专利申请第16/295,566号的优先权，通过引用将其公开内容整体并入本文。专利技术背景
专利

[0002]本专利技术涉及在基底(例如玻璃或玻璃带)之内或上方形成硼硅酸盐层，并且任选地将纳米颗粒嵌入于硼硅酸盐层中。本专利技术还涉及有机发光二极管、太阳能电池或光伏(PV)电池、采光窗，并且更具体地涉及具有增加的光散射的基底，以实现改善的光利用。相关技术的描述
[0003]有机发光二极管(“OLED”)是具有包含有机化合物的发射电致发光层的发光装置。有机化合物响应于电流而发光。典型地，有机半导体材料的发射层位于两个电极(阳极和阴极)之间。当电流在阳极和阴极之间通过时，有机材料发光。OLED用于许多应用中，例如电视屏幕、计算机监视器、移动电话、PDA、手表、照明和各种其它电子装置。
[0004]OLED提供优于常规无机装置(例如液晶显示器)的许多优点。例如，OLED在不需要背光的情况下起作用。在诸如黑暗房间的低环境光中，OLED屏幕能够实现比常规液晶显示器更高的对比度。OLED也比液晶显示器和其它照明装置更薄、更轻和更柔韧。
[0005]在制造OLED中，人们典型添加光提取区域，其中纳米颗粒部分地或完全地嵌入该光提取区域内。例如，纳米颗粒可以嵌入基底内。当基底是玻璃时，必须在基底温度大于725℃、典型大于800℃时嵌入纳米颗粒。需要在玻璃带处于较低温度(例如小于或等于725℃)时将纳米颗粒嵌入到玻璃基底中。专利技术概述
[0006]本专利技术涉及一种光提取基底。该基底包括玻璃。所述玻璃具有第一表面和与第一表面相反的第二表面。光提取层位于第一表面上方。光提取层包含硼硅酸盐。光提取层可以包含纳米颗粒或可以不包含纳米颗粒。光提取基底可进一步包含在基底的第二表面上方或者在第二表面上的外部光提取层。内部光提取层可以是基底的一部分，或者可以是基底上方的分离层。
[0007]在另一实施方案中，本专利技术涉及一种有机发光二极管(“OLED”)。所述OLED包含具有第一表面和第二表面的基底。所述第二表面与第一表面相反。光提取层位于基底的第一表面上方。所述光提取层包含硼硅酸盐层。透明导电氧化物层位于光提取层的至少一部分上方。发射层位于透明导电氧化物层的至少一部分上方。阴极层位于发射层的至少一部分上方。
[0008]本专利技术的另一实施方案涉及一种制造光提取基底的方法。该方法包括将玻璃熔体倒在熔融金属浴上。在玻璃熔体具有至少600℃且不大于725℃的温度时，在玻璃熔体上方施加硼前体。
[0009]本专利技术的另一实施方案涉及一种制造光提取基底的方法。该方法包括将玻璃熔体
倒在熔融金属浴上。所述玻璃熔体包含硅。在玻璃熔体具有至少600℃且不大于725℃的温度时，在玻璃熔体上方施加硼前体。玻璃熔体内的硅与硼前体反应从而在玻璃熔体上方形成硼硅酸盐。
[0010]本专利技术的另一实施方案涉及一种制造光提取基底的方法。该方法包括将玻璃熔体倒在熔融金属浴上。该玻璃熔体包含硅。在玻璃熔体具有小于725℃的温度时，在玻璃熔体上方施加硼前体。在玻璃熔体上方施加硅前体，其中所述玻璃熔体具有小于725℃的温度。硅前体和硼前体在玻璃熔体上方或之内形成硼硅酸盐。
附图说明
[0011]图1a是在基底的第一表面上方具有光提取层的基底的侧视截面图。
[0012]图1b是在第一表面处具有嵌入基底内的光提取层的基底的侧视截面图。
[0013]图2a是基底的侧视截面图，其中该基底的第一表面上方具有光提取层，并且该基底的第二表面之上或上方具有外部光提取区域层。
[0014]图2b是基底的侧视截面图，其中该基底具有在第一表面处嵌入该基底内的光提取层，以及在该基底的第二表面之上或上方的外部光提取区域层。
[0015]图3a是根据本专利技术的在基底的第一表面上方具有光提取层的隐私玻璃的侧视截面图。
[0016]图3b是根据本专利技术的在第一表面处具有嵌入基底内的光提取层的隐私玻璃的侧视截面图。
[0017]图4a是根据本专利技术的在基底的第一表面上方具有光提取层的有机发光二极管的侧视截面图。
[0018]图4b是根据本专利技术的具有嵌入基底的第一表面内的光提取层的有机发光二极管的侧视截面图。本专利技术的描述
[0019]如本文中所使用的，空间或方向性术语，诸如“左”，“右”，“内部”，“外部”，“上方”，“下方”等，与本专利技术相关，如附图所示。然而，应当理解，本专利技术可以采取各种替代取向，因此，这些术语不应被认为是限制性的。此外，如本文所用，在说明书和权利要求书中使用的表示尺寸、物理特性、加工参数、成分量、反应条件等的所有数字在任何情况下应被理解为由术语“约”修饰。因此，除非相反指出，否则以下说明书和权利要求书中列出的数值可以根据试图通过本专利技术获得的期望特性而变化。至少，且并不意图限制将等同原则应用于权利要求的范围，至少应根据所报告的有效数字的数量并通过应用普通的舍入技术来解释每个数值。此外，应理解本文公开的所有范围涵盖范围起始值和范围结束值以及其中包含的任何和所有子范围。例如，“1到10”的所述范围应被认为包括最小值1和最大值10之间(包括所述最小值和最大值)的任何和所有子范围；也就是说，以最小值1或更大值开始并且以最大值10或更小值结束的所有子范围，例如1到3.3、4.7到7.5、5.5到10等。此外，本文提及的所有文献(例如但不限于授权专利和专利申请)应被认为以其整体“通过引用并入”。对数量的任何提及都是“按重量百分比”，除非另有说明。
[0020]当提及一层涂层时，术语“上方”是指“更远离基底表面”。例如，位于第一层“上方”的第二层是指第二层位于比第一层更远离其上存在层的基底表面。第二层可以与第一层直
接接触，或者一个或多个其它层可以位于第二层和第一层之间。
[0021]本文提及的所有文献应被认为以其整体“通过引用并入”。
[0022]对数量的任何提及均是“按重量百分比”，除非另有说明。
[0023]术语“膜”是指具有所需或所选组成的区域。“层”包括一个或多个“膜”。“涂层”由一个或多个“层”构成。术语“有机材料”包括可用于制造有机光电装置的聚合物以及小分子有机材料。
[0024]术语“可见光”是指具有在380nm至780nm范围内的波长的电磁辐射。术语“红外辐射”是具有在大于780nm至100,000nm范围内的波长的电磁辐射。术语“紫外辐射”是指具有在100nm至小于380nm范围内的波长的电磁能量。
[0025]术语“金属”和“金属氧化物”分别包括硅和氧化硅，以及传统上公认的金属和金属氧化物，尽管硅在常规上可能不被认为是金属。术语“可固化”是指能够聚合或交联的组合物。“固化”是指材料至少部分地聚合或交联，优选完全地聚合或交联。“至少”是指“大于或等于”。“不大于”是指“小于或等于”。术语“上游”和“下游”涉及玻璃带的行进方向。
[0026]本文的雾度和透射率值是使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光提取基底，其包含：玻璃，所述玻璃包含第一表面和第二表面；以及在所述第一表面上方的光提取层，其中所述光提取层包含硼硅酸盐。2.根据条款1所述的光提取基底，其中所述光提取层还包含纳米颗粒。3.根据条款1或2所述的光提取基底，其中所述纳米颗粒是高折射率材料。4.根据条款2或3所述的光提取基底，其中所述纳米颗粒是氧化钛。5.根据条款1至4中任一项所述的光提取基底，其中所述光提取层具有小于5nm的平均表面粗糙度。6.根据条款2至5中任一项所述的光提取基底，其中所述纳米颗粒具有至多40nm的直径。7.根据条款1至6中任一项所述的光提取基底，其中所述光提取层具有至多2μm的厚度。8.根据条款1至7中任一项所述的光提取基底，还包含在所述第二表面上或邻近所述第二表面的第二光提取层，所述第二光提取层具有至少10nm的表面粗糙度。9.根据条款8所述的光提取基底，其中所述第二光提取层的表面粗糙度为至少50n...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪正宏，
申请(专利权)人：维特罗平板玻璃有限责任公司，
类型：发明
国别省市：