图形修正方法技术

一种图形修正方法，包括：提供底层结构，所述底层结构包括若干平行排列的导电层；提供待修正版图，所述待修正版图具有若干待修正图形，所述待修正版图用于在所述底层结构上形成图形化层；通过所述待修正图形获取第一信息；通过所述导电层获取第二信息；根据所述第一信息和第二信息获取刻蚀偏差；根据刻蚀偏差对待修正图形进行修正，获取目标图形。所述方法获取的目标图形，图形精准度较高。图形精准度较高。图形精准度较高。

【技术实现步骤摘要】
图形修正方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种图形修正方法。

技术介绍

[0002]为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
[0003]在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。
[0004]为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(OPC：Opti本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图形修正方法，其特征在于，包括：提供底层结构，所述底层结构包括若干平行排列的导电层；提供待修正版图，所述待修正版图具有若干待修正图形，所述待修正版图用于在所述底层结构上形成图形化层；通过所述待修正图形获取第一信息；通过所述导电层获取第二信息；根据所述第一信息和第二信息获取刻蚀偏差；根据刻蚀偏差对待修正图形进行修正，获取目标图形。2.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，根据所述第一信息和第二信息获取刻蚀偏差的方法包括：获取卷积神经网络模型；采用卷积神经网络模型，对所述第一信息和第二信息进行处理以获取刻蚀偏差。3.如权利要求2所述的图形修正方法，其特征在于，对所述第一信息和第二信息进行处理以获取刻蚀偏差的方法包括：根据第一信息和第二信息获取输入向量v；采用卷积神经网络模型，对输入向量v进行处理以获取刻蚀偏差。4.如权利要求3所述的图形修正方法，其特征在于，根据第一信息和第二信息获取输入向量v的方法包括：根据第一信息获取第一向量v0；根据第二信息获取第二向量v
g
；将所述第一向量v0和第二向量v
g
串接，获取输入向量v＝v0+v
g
。5.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，所述待修正图形包括：相对的第一短边LE1和第二短边LE2；与第一短边LE1和第二短边LE2垂直的第二边，所述第二边两端分别与第一短边LE1和第二短边LE2相接。6.如权利要求5所述的图形修正方法，其特征在于，获取所述待修正图形的第一信息的方法包括：获取第一尺寸CD，所述第一尺寸CD为所述第一短边LE1和第二短边LE2的边长；获取第二尺寸L，所述第二尺寸L为所述第二边的边长，第二尺寸L大于所述第一尺寸CD；获取第一间距space，所述第一间距space为相邻平行待修正图形之间的间距。7.如权利要求6所述的图形修正方法，其特征在于，获取第一向量v0的方法包括：根据第一尺寸CD、第二尺寸L和第一间距space获取第一向量v0；所述第一向量v0＝[CD，space，L]。8.如权利要求6所述的图形修正方法，其特征在于，获取所述待修正图形的第一信息的方法还包括：将所述第二边分割成若干线段；获取第二间距dist1，所述第二间距dist1为任一所述线段的中点与所述第一短边LE1的距离；获取第三间距dist2，所述第三间距dist2为任一所述线段的中点与所述第二短边LE2的距离；所述线段类型type包括：第一类线段、第二类线段或第三类线段，所述第一类线段为若干线段中与所述第一短边LE1或第二短边LE2相接的线段，所述第二类线段为若干线段中与所述第一短边LE1和第二短边LE2不相接的线段，所述第三类线段包括所述第一短边LE1和第二短边LE2。9.如权利要求8所述的图形修正方法，其特征在于，获取第一向量v0的方法还包括：根据第一尺寸CD、第二尺寸L、第一间距space、线段类型type、第二间距dist1和第三间距dist2获取第一向量v0，所述第一向量v0＝[CD，space，L，type，dist1，dist2]。10.如权利要求9所述的图形修正方法，其特征在于，获取所述导电层的第二信息的方法包括：获取所述导电层在底层结构中的密度函数P(x,y)；提供第一高斯函数G
S1
、第二高斯函数G
S2
、第三高斯函数G
S3
和第四高斯函数G
S4
，所述第一高斯函数G
S1
具有第一方差S1，所述
第二高斯函数G
S2
具有第二方差S2，所述第三高斯函数G
S3
具有第三方差S3，所述第四高斯函数G
S4
具有第四方差S4，所述第一方差S1、第二方差S2、第三方差S3和第四方差S4互不相同；对所述密度...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杳隽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：