【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及偏磷酸盐玻璃组合物,特别是涉及到那些在厚膜或带烧结条件下可结晶的玻璃,以及涉及到以这些玻璃为基础的玻璃陶瓷或填充了的玻璃陶瓷组合物。众所周所,电路的封装对集成电路(ICs)的性能具有极大的影响,降低ICs中基体材料的介电常数(K)可增加电路运行速度,减少能量消耗,而且也能使电子串音降至最小,因此,为提高功能密度创造了条件。聚合物材料通常具有比陶瓷材料更低的介电常数,但是,在许多应用中,陶瓷封装体的可靠性和良好的热传导性使得它们更为令人满意。目前使用的低K值陶瓷介电材料主要是填充的玻璃系统,其中的玻璃一般为硼硅酸盐组合物(如JP-62-138357中所公开的那样)或铝硅酸盐组合物(如JP62-150856中所公开的那样)。这种类型的玻璃系统由于如导体砂眼、生锈和导体“游动”(渗透穿过其部件表面)现象,从而已引起一些可靠性和/或产量问题。在重新烧结期间,尺寸的控制也是常常要考虑的问题,此外,通常用来降低玻璃粘度的碱离子的掺入也会使玻璃具有极大的离子导电率,而且会导致电解反应和/或高介电损耗。降低该介电系统反应性的一种方法是使用可结晶玻璃。这些材料,如果正确设计的话,首先烧结成一种密封体,然后在该烧结工艺过程中晶化,在以后的完成电路加工的烧结过程中,绝大部分已晶化的基体比普通的填充玻璃基体的化学和机械性能更稳定。晶体材料一般也比非晶体材料具有更高的热传率和更高的机械强度。对于所选择的以该结晶玻璃为基础的系统来说,所希望的性能包括具有低介电常数和低介电损耗、热膨胀系数(TEC)与96%氧化铝(6.2ppm/℃)或硅(3.5ppm/℃)相一致、密 ...
【技术保护点】
一种可结晶玻璃组合物,其软化为550-800℃,介电常数小于约5.8,它由下列组分组成(以摩尔百分数mole%计):41-70%P↓[2]O↓[5];10-48%MgO,ZnO或它们的混合物;2-20%Al↓[2]O↓[3],C r↓[2]O↓[3]或它们的混合物;0-10%碱金属氧化物;0-10%CaO,SrO,BaO或它们的混合物;0-10%SiO↓[2]0-20%B↓[2]O↓[3]0-10%ZrO↓[2]、TiO↓[2]或它们的混合物; 0-10%选自Fe↓[2]O↓[3]和稀土金属氧化物或它们的混合物;其附加条件如下:(i)a=n(b+3c+d+e+2f+3g),其中n=0.8-1.0,而且a=mole%P↓[2]O↓[5];b=mole%MgO,ZnO 或它们的混合物;c=mole%Al↓[2]O↓[3],Cr↓[2]O↓[3]或它们的混合物;d=mole%M↓[2]O,其中M=Na,K,Rb,Cs;e=mole%M′O,其中M′=Ca,Sr,Ba;f=mole%ZrO↓[ ...
【技术特征摘要】
US 1990-1-16 465,4031.一种可结晶玻璃组合物,其软化点为550-800℃,介电常数小于约5.8,它由下列组分组成(以摩尔百分数mole%计)41-70% P2O5;10-48% MgO,ZnO或它们的混合物;2-20% Al2O3,Cr2O3或它们的混合物;0-10% 碱金属氧化物;0-10% CaO,SrO,BaO或它们的混合物;0-10% SiO20-20% B2O30-10% ZrO2、TiO2或它们的混合物;0-10% 选自Fe2O3和稀土金属氧化物或它们的混合物;其附加条件如下(ⅰ)a=n(b+3c+d+e+2f+3g),其中n=0.8-1.0,而且a=mole%P2O5;b=mole%MgO,ZnO或它们的混合物;c=mole%Al2O3,Cr2O3或它们的混合物;d=mole%M2O,其中M=Na,K,Rb,Cs;e=mole%M′O,其中M′=Ca,Sr,Ba;f=mole%ZrO2,TiO2或它们的混合物;g=mole%Fe2O3和稀土金属氧化物;(ⅱ)碱性金属氧化物,CaO,SrO和BaO的总量不超过10mole%;(ⅲ)ZrO2、TiO2、Fe2O3和稀土金属氧化物的总量不超过10mole%。2.权利要求1所述的组合物,它含有不大于5%的SiO2,其a=n(b+3c),而其中a=54-65%P2O5,b=17-30%MgO,c=10-17%Al2O3和n=0.9-1.0。3.权利要求2所述的组合物,它具有600-800℃的软化点,其中a=54-65%P2O5,b=17-21%MgO,和c=13-17%Al2O3。4.权利要求2所述的组合物,它具有550-750℃的软化点,其中a=54-62%P2O5,b=20-30%MgO,和c=10-14%Al2O3。5.一...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡永浩,迈克尔A萨尔茨伯格,罗伯特D香农,
申请(专利权)人:EI内穆尔杜邦公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。