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一种对小角度变化超敏感的薄膜及其制备方法和应用技术

技术编号:30968121 阅读:36 留言:0更新日期:2021-11-25 20:42
本发明专利技术涉及角度敏感膜制备技术领域,公开了一种对小角度变化超敏感的薄膜及其制备方法和应用。所述薄膜为特征尺寸7.16nm的Ni

【技术实现步骤摘要】
一种对小角度变化超敏感的薄膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及角度敏感膜制备
,具体涉及一种对小角度变化超敏感的薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]传感器可以进行非电信号到电信号的转换,在各种精密仪表和自动化设备中扮演不可替代的角色。磁电阻传感器是将磁场信息转换为电流信号的一种设备,具有高精度、高灵敏度、环境稳定性高等优点,被广泛应用于低磁场、角度、位置等参数测量。其灵敏度和线性度已经超过霍尔传感器,成为下一代传感器的最佳选择。现今常用的磁电阻传感器主要有巨磁电阻传感器、各向异性磁电阻传感器以及隧道磁电阻传感器。其中巨磁电阻传感器的原件制备和器件制作所需要的工艺都比较复杂,因此成本较高。隧道磁电阻为多种物质组成的多层膜结构,不仅制备复杂并且应用在传感器技术难度高。而各向异性磁电阻传感器的制备工艺简单且具备更好的温度稳定性和更低的功耗,同时其加工工艺可以很好的与现有半导体工艺结合,因此具有更广阔的应用前景。最重要的是其独特地角度敏感特性具有不可替代的优点,因此它倍受相关领域科研人员的关注。
>[0003]各向异本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对小角度变化超敏感的薄膜,其特征在于,所述薄膜为特征尺寸7.16nm的Ni
0.8
Fe
0.2
合金团簇组装而成。2.根据权利要求1所述的薄膜,其特征在于,所述薄膜的制备方法如下:1)前期准备:将纯度为99.9%的Ni
0.8
Fe
0.2
合金靶材清理干净后安装到溅射区,将厚度为500μm的Si/SiO2片衬底放入无水乙醇中并超声清洗30min,并放入到沉积区的样品架上,同时利用无尘纸将团簇冷凝腔内擦拭干净;2)设备开启:检查团簇设备的充气阀以及侧位角阀保证其分别处于密封和放气状态;开启冷却水循环系统保持15℃以避免分子泵温度过高,随后相继开启机械泵、罗茨泵以及分子泵,当背底真空环境低于8E
‑5Pa后,开启溅射气体开关对团簇仪器腔体进行20min的洗涤以将杂气去除;3)薄膜制备:调整靶材与衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵世峰蒋宁白玉龙杨波
申请(专利权)人:内蒙古大学
类型:发明
国别省市:

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