氟化物皮膜形成用铝合金构件和具有氟化物皮膜的铝合金构件制造技术

提供没有黑色点状隆起部的产生而平滑性优异并且针对腐蚀性气体和等离子体等具备优异耐蚀性的氟化物皮膜形成用铝合金构件。一种氟化物皮膜形成用铝合金构件(1)，含有Si：0.01质量％～0.3质量％、Mg：0.5质量％～5.0质量％、Fe：0.05质量％～0.5质量％，Cu含有率为0.5质量％以下，Mn含有率为0.30质量％以下，Cr含有率为0.30质量％以下，余量由Al和不可避免的杂质构成，在将铝合金构件中的Fe系结晶物的平均长径设为“D”(μm)，并将所述铝合金构件中的平均晶体粒径设为“Y”(μm)时，满足log

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氟化物皮膜形成用铝合金构件和具有氟化物皮膜的铝合金构件


[0001]本专利技术涉及可在至少部分表面形成氟化物皮膜从而作为半导体制造装置的构件(部件)等使用的氟化物皮膜形成用铝合金构件以及可作为半导体制造装置的构件(部件)等使用的具有氟化物皮膜的铝合金构件。
[0002]再者，在本说明书和权利要求书中，“氟化物皮膜”这一术语是指“至少含有氟而构成的皮膜”，并非仅指“仅由氟化物构成的皮膜”。
[0003]另外，在本说明书和权利要求书中，“平均晶体粒径”是指采用在JIS G0551中规定的切断法(Heyn法)测定出的平均晶体粒径。

技术介绍

[0004]作为构成半导体、LCD等的制造装置的腔室、基座、背板等的构件材料，大多使用由铝合金、特别是Al
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Mg系的JIS 5052铝合金、Al
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Si
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Mg系的JIS 6061铝合金构成的形变合金材料、铸件材料。另外，这些制造装置在高温下使用，而且在硅烷(SiH4)、氟系气体、氯系的卤素气体等腐蚀性气体氛围中使用，因此对各构件实施阳极氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氟化物皮膜形成用铝合金构件，其特征在于，含有Si：0.01～0.3质量％、Mg：0.5～5.0质量％、Fe：0.05～0.5质量％，Cu含有率为0.5质量％以下，Mn含有率为0.30质量％以下，Cr含有率为0.30质量％以下，余量由Al和不可避免的杂质构成，在将所述铝合金构件中的Fe系结晶物的平均长径设为Dμm，并将所述铝合金构件中的平均晶体粒径设为Yμm时，满足下述式(1)的关系式，log
10
Y<－0.320D+4.60
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式(1)。2.根据权利要求1所述的氟化物皮膜形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：村濑功，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：