使用绝缘膜成膜用原料的成膜方法技术

本发明专利技术提供用旋转喷涂法、喷雾沉积法或ＣＶＤ法在各种基板的表面形成高质量、高纯度的含有锂的绝缘膜或者含有硅酸锂的绝缘膜的绝缘膜成膜用原料及使用该原料的成膜方法。本发明专利技术的绝缘膜成膜用原料由锂的烷氧基化合物和、从醚、酮、酯、醇或烃选出的１种以上的有机溶剂组成，或者由锂的烷氧基化合物或锂的羧酸盐、四甲氧基硅烷或者四乙氧基硅烷及有机溶剂组成，本发明专利技术的成膜方法是使用这些原料进行成膜的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用旋转喷涂法、喷雾沉积法或CVD法在各种基板的表面形成含有锂的绝缘膜或者含有硅酸锂的绝缘膜的。
技术介绍
作为用于液晶显示器(LCD)等的纯平显示器(FPD)的绝缘薄膜，有SiO2、Si3N4、PSG(磷硅玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)。另外，近年，从这些绝缘膜开发了耐热性优良的Li2SiO3(硅酸锂)。(例如，特开平8-45723号公报、特开2002-265817号公报)。另外，作为在基板的表面形成硅酸锂膜的方法，特开平8-45723号公报及特开2002-265817号公报公开了将由Li2O及SiO2组成的硅酸锂水溶液被覆在基板上进行干燥的方法。进而，特表2000-509100号公报公开了用溅射法形成含有锂膜的成膜方法。另外，也考虑用旋转喷涂法、喷雾沉积法或CVD法形成硅酸锂膜的成膜方法，但如果绝缘膜成膜用原料为如上所述的水溶液则为凝胶状，存在不能以均匀状态雾化或气化的缺点。另外，即使只将原料中的水替换成有机溶剂其溶解度也较小，不能均匀地混合。为此，用这些方法成膜绝缘膜时，反而制成比溶胶-凝胶法或者溅射法品质低的绝缘膜。所以不能用这些方法进行硅酸锂膜的成膜。特别是在用CVD法将把固体原料溶解在四氢呋喃等的溶剂的液体原料供给到气化器进行气化时，除了上述的原料难以均匀化的问题之外，由于固体原料的气化温度和溶剂的气化温度有很大不同，所以存在由于加热仅是溶剂气化固体原料容易析出的问题。专利文献1特开平8-45723号公报专利文献2特开2000-509100号公报专利文献3特开2002-265817号公报
技术实现思路
综上所述，硅酸锂绝缘膜从以前开始被认为使用旋转喷涂法、喷雾沉积法或CVD法形成膜是困难的，但可期待用这些方法进行绝缘膜的成膜，特别是用CVD法形成的绝缘膜是高质量、高纯度的。因此，本专利技术要解决的课题在于提供用旋转喷涂法、喷雾沉积法或CVD法在各种基板的表面形成高质量、高纯度的含锂的绝缘膜或者含有硅酸锂的绝缘膜用的。本专利技术者们为了解决这些课题进行锐意研究的结果发现，锂的烷氧基化合物容易均匀地溶解在醚、酮、酯、醇或烃中、锂的烷氧基化合物或锂的羧酸盐、四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷及有机溶剂可容易均匀地混合，以及通过作为原料使用这些的混合物，可防止在气化时仅是溶剂气化、固体原料和溶剂分离等而完成本专利技术。即，本专利技术是绝缘膜成膜用原料，其特征是由(A)锂的烷氧基化合物和、从醚、酮、酯、醇或烃选出的1种以上的(B)有机溶剂组成的。另外，本专利技术是上述的绝缘膜成膜用原料，其是进而含有(C)四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。另外，本专利技术是绝缘膜成膜用原料，其特征是由(A’)锂的羧酸盐、(C)四甲氧基硅烷或者四乙氧基硅烷、及(B)有机溶剂组成的。另外，本专利技术是成膜方法，其特征是使用上述的绝缘膜成膜用原料，用旋转喷涂法、喷雾沉积法或CVD法在基板的表面形成含有锂的绝缘膜或含有硅酸锂的绝缘膜。按照本专利技术，可以将以往不能均匀成膜的含锂的绝缘膜的原料、含硅酸锂的绝缘膜的原料均匀地配制。其结果，使用这些原料用旋转喷涂法、喷雾沉积法或CVD法可在基板的表面均匀地形成上述的膜，得到高质量、高纯度的绝缘膜。附图说明图1是表示用旋转喷涂法实施本专利技术的成膜方法的装置的一个例子的构成图。图2是表示用喷雾沉积法实施本专利技术的成膜方法的装置的一个例子的构成图。图3是表示用CVD法实施本专利技术的成膜方法的装置的一个例子的构成图。图4是表示用CVD法实施本专利技术的成膜方法的装置的图3以外的一个例子的构成图。图5是表示用CVD法实施本专利技术的成膜方法的装置的图3、图4以外的一个例子的构成图。图6是表示用于本专利技术的CVD的成膜方法的气化器的一个例子的构成图。具体实施例方式本专利技术适用于在各种基板的表面形成含有硅酸锂等的锂的绝缘膜的绝缘膜成膜用原料及使用其原料在各种基板的表面形成绝缘膜的方法。在本专利技术的绝缘膜成膜用原料中，作为锂源可使用(A)锂的烷氧基化合物或(A’)锂的羧酸盐。另外，使用硅源时，作为硅源，可使用(C)四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。进而，为了将原料作成均匀的液体，在上述原料中添加醚、酮、酯、醇、烃等的(B)有机溶剂。作为在本专利技术中使用的(A)锂的烷氧基化合物，可举出甲醇锂、乙醇锂、正丙醇锂、异丙醇锂、正丁醇锂、异丁醇锂、仲丁醇锂、叔丁醇锂等。另外，作为(A’)锂的羧酸盐，可举出甲酸锂、乙酸锂、丙酸锂等。另外，醚、酮、酯、醇、烃等的(B)有机溶剂通常是具有40℃～180℃的沸点的，也可使用这些中的1种或2种以上的。作为上述的醚，可举出丙醚、甲基丁基醚、乙基丙基醚、乙基丁基醚、氧杂环丁烷、四氢呋喃、四氢吡喃等，作为酮，可举出丙酮、乙基甲基酮、异丙基甲基酮、异丁基甲基酮等，作为酯，可举出甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸异丁酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丙酯、醋酸丁酯、醋酸异丁酯、丙酸甲酯、丙酸丙酯、丁酸甲酯、丁酸乙酯等，作为醇，可举出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等，作为烃，可举出己烷、庚烷、辛烷等。本专利技术的由(A)锂的烷氧基化合物及(B)有机溶剂组成的绝缘膜成膜用原料中，锂的烷氧基化合物相对于原料总量的含量，通常是5～80wt％、优选的是20～80wt％。另外，在由(A)锂的烷氧基化合物(锂源)、(C)四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷(硅源)及(B)有机溶剂组成的绝缘膜成膜用原料中，锂源相对于总量的含量，通常是5～80wt％、优选的是20～80wt％，硅源相对于原料总量的含量，通常是5～75wt％、优选的是20～75wt％。另外，在由(A’)锂的羧酸盐(锂源)、(C)四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷(硅源)及(B)有机溶剂组成的绝缘膜成膜用原料中，锂源相对于总量的含量，通常是1～50wt％、优选的是2～30wt％，硅源相对于原料总量的含量，通常是5～75wt％、优选的是20～75wt％。对于配制这些的方法没有特别限制，例如在配制由(A’)锂的羧酸盐、(C)四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷及(B)有机溶剂组成的原料中，可在这些锂源、硅烷源、有机溶剂中，混合任何2成分后，添加剩余的1成分、混合后配制原料或者将所有成分同时混合后进行配制。可是，四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷由于因水分容易分解，所以最好是预先将这些以外的成分进行混合后，最后混合四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。这样配制的原料是均匀的，在室温或室温附近的温度(0～40℃)、常压或常压附近的压力(80～120kPa)、惰性气体的氛围下是稳定的。另外，在本专利技术中，进而也可添加表面活性剂。在添加表面活性剂时，相对于总液量，通常添加5wt％以下、优选的是1wt％以下。另外，本专利技术的绝缘膜成膜用原料实质上是由上述成分组成的原料，即使在作为锂源含有少量的除锂的烷氧基化合物、锂的羧酸盐以外的原料时，或者作为硅源含有少量的除四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷以外的原料时，只要不对于混合后的均匀性有大的坏影响，也是本专利技术的绝缘膜成膜用原料的范围。进而，即使含有少量不对于原料的均匀性、绝缘膜的品质有坏影响的其他成分，也是本专利技术的绝缘膜成膜用原料的范围。例如，在绝缘膜成膜用原料中作为掺杂剂也可以适宜的添加量添加P2O5、PO(OCH3)3。本专利技术的成膜方法是使用如上所述配制的绝缘膜成膜用原料，用旋转喷涂法、喷雾沉积法或CVD法在硅基板、陶瓷基板、玻璃基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘膜成膜用原料，其特征是由锂的烷氧基化合物和、从醚、酮、酯、醇、烃选出的１种以上的有机溶剂组成的。

【技术特征摘要】
JP 2003-10-30 370074/03;JP 2004-3-31 102151/041.一种绝缘膜成膜用原料，其特征是由锂的烷氧基化合物和、从醚、酮、酯、醇、烃选出的1种以上的有机溶剂组成的。2.根据权利要求1所述的绝缘膜成膜用原料，其进而含有四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。3.根据权利要求1或者2所述的绝缘膜成膜用原料，其中锂的烷氧基化合物是甲醇锂、乙醇锂、正丙醇锂、异丙醇锂、正丁醇锂、异丁醇锂、仲丁醇锂、叔丁醇锂。4.一种绝缘膜成膜用原料，其特征是由锂的羧酸盐、四甲氧基硅烷或者四乙氧基硅烷及有机溶剂组成的。5.根据权利要求4所述的绝缘膜成膜用原料，其中锂的羧酸盐是甲酸锂、醋酸锂、或者丙酸锂。6.根据权利要求4所述的绝缘膜成膜用原料，其中有机溶剂是从醚、酮、酯、醇、烃中选择出的一种以上的有机溶剂。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：高松勇吉，米山岳夫，十七里和昭，副岛宜胜，桐山晃二，石井隆史，
申请(专利权)人：日本派欧尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]