一种晶片吸嘴结构制造技术

本实用新型专利技术属于晶片生产技术领域，涉及一种晶片吸嘴结构，包括吸嘴座、设于吸嘴座上的吸嘴头、设于吸嘴头中间的吸嘴孔，所述吸嘴头端面上设有与晶片外形相匹配的弧形面。本实用新型专利技术解决了弧形晶片吸取不稳的问题，减少了晶片掉落与损伤，进而提升了生产效率。进而提升了生产效率。进而提升了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片吸嘴结构


[0001]本技术涉及晶片生产
，特别涉及一种适用于弧形晶片的吸嘴结构。

技术介绍

[0002]现有晶片吸嘴大多数为末端水平，在吸嘴中间开一个吸孔，吸取晶片时，直接将吸嘴末端的平面贴在晶片表面，仅靠吸嘴的吸孔通过真空的吸力作用于晶片表面完成吸附，这类吸嘴存在以下缺陷：吸嘴吸嘴头端面为平面，当吸取表面带弧形的晶片时，贴合性不好，导致晶片吸取不稳、晶片容易掉落。针对该缺陷，现有方法主要通过放慢设备的速度来减少晶片的掉落，但严重影响了设备的生产效率。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术的目的在于解决弧形晶片吸取不稳，容易掉落，影响生产效率的问题，提供一种晶片吸嘴结构。
[0004]为达到上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0005]一种晶片吸嘴结构，包括吸嘴座、设于吸嘴座上的吸嘴头、设于吸嘴头中间的吸嘴孔，所述吸嘴头端面上设有与晶片外形相匹配的弧形面。
[0006]本基础方案的原理在于：在吸嘴头端面上设置弧形面，以匹配弧形晶片的外形，让吸嘴和晶片之间最大程度贴合，增加负压作用面积。
[0007]本基础方案的有益效果在于：在吸嘴头端面上设置弧形面，以适应弧形晶片的外形，让吸嘴和晶片之间最大程度贴合，负压作用在晶片上的面积增大，晶片吸取更稳定，从而避免晶片掉落。
[0008]进一步，所述弧形面上设有凹槽，所述凹槽数量至少为1个，有益效果：开设凹槽使得晶片与弧形面由面接触变为线接触或点接触，并且接触点或接触线对称分布在晶片四周，使晶片受力均匀，不易晃动，同时避免晶片因局部压力过大而造成损坏；根据晶片大小、重量情况，设置不同的凹槽数量；晶片越大、越重，所需的负压吸力越大，需要更多的接触点分散压力，以避免晶片因局部压力过大而造成损坏。
[0009]进一步，所述凹槽上还设有多个辅助吸孔，并对称分布于弧形面两侧，有益效果：凹槽上设置多个吸孔，并对称分布在弧形面的两侧，起辅助吸附作用，使吸附更加稳定，防止单孔因负压不稳导致晶片掉落。
[0010]进一步，所述吸嘴头与吸嘴座之间通过衔接面连接，所述衔接面为斜面或锥面，有益效果：减少因平台反光，避免影响辨识。
[0011]进一步，所述吸嘴头呈矩形或圆形，有益效果：规则外形，利于确定吸嘴在设备上的坐标位置。
[0012]本技术的有益效果在于：在吸嘴吸嘴头端面上设置弧形面，以适应弧形晶片的外形，让吸嘴和晶片之间最大程度贴合，提高晶片吸取稳定性，避免晶片掉落；开设凹槽使得晶片与弧形面由面接触变为线接触或点接触，并且接触点或接触线对称分布在晶片四
周，使晶片受力均匀，不易晃动，同时避免晶片因局部压力过大而造成损坏，减少了晶片掉落与损伤，进而提升了生产效率；将衔接面设为斜面或锥面以减少平台反光，避免影响辨识。
[0013]本技术的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本专利技术的实践中得到教导。本专利技术的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
附图说明
[0014]为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作优选的详细描述，其中：
[0015]图1为本技术整体结构示意图；
[0016]图2为图1中A处的一种结构示意图；
[0017]图3为图1中A处的另一种结构示意图。
[0018]附图标记：1
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吸嘴座；2
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吸嘴头；3
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吸嘴孔；4
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吸嘴头端面；5
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衔接面；6
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弧形面；7
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凹槽；8
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辅助吸孔。
具体实施方式
[0019]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0020]其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本技术的限制；为了更好地说明本技术的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
[0021]本技术实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本技术的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0022]实施例1
[0023]请参阅图1～图2，为一种晶片吸嘴结构，包括吸嘴座1、吸嘴头2、吸嘴孔3，吸嘴头2呈矩形，并通过4个衔接面5与吸嘴座1连接，其中衔接面5为斜面；吸嘴孔3位于吸嘴头2中间，贯穿吸嘴座1与吸嘴头2，并与负压装置相连；吸嘴头端面4上设置有向下凹的弧形面6；弧形面6中间开有1个凹槽7。
[0024]使用时将吸嘴安装在点胶机上，启动负压装置，吸嘴孔3产生的负压将弧形晶片吸附在弧形面6上，弧形面6与弧形晶片之间形成4个对称接触点，4个接触点对弧形晶片提供支撑，使晶片受力均匀，吸附牢靠，而后进行作业。
[0025]实施例2
[0026]实施例2与实施例1的区别在于：弧形面6上凹槽7数量为3个，并列设置在弧形面6上。
[0027]本实施例适用于较大、较重的弧形晶片，此类晶片需要更大的吸附力，增加凹槽7的数量，晶片与弧形面6的接触点增多，吸附力均匀分散到各接触点上，使得局部压力变小，因而避免了晶片局部压力过大而损坏。
[0028]实施例3
[0029]请参阅图3，本实施例与实施例1的区别在于：凹槽7上还设置有2个辅助吸孔8，2个吸嘴孔8对称分布在弧形面6两侧，辅助吸孔8与吸嘴孔3在吸嘴头2内部相通，以辅助吸附晶片，减少晶片因负压不稳定产生的晃动。
[0030]最后说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本技术的权利要求范围当中。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片吸嘴结构，包括吸嘴座、设于吸嘴座上的吸嘴头、设于吸嘴头中间的吸嘴孔，其特征在于：所述吸嘴头端面上设有与晶片外形相匹配的弧形面。2.根据权利要求1所述的一种晶片吸嘴结构，其特征在于：所述弧形面上设有凹槽；所述凹槽的数量至少为1个。3.根据权利要求2所述的一种晶片吸嘴结...

【专利技术属性】
技术研发人员：况明全，
申请(专利权)人：台晶重庆电子有限公司，
类型：新型
国别省市：