【技术实现步骤摘要】
半导体激光器封装结构
[0001]本技术涉及激光器
,特别涉及一种半导体激光器封装结构。
技术介绍
[0002]半导体激光器是激光器的一种,由于其体积小、重量轻、电压低、功率大等特点,应用广泛,例如,被广泛应用于光纤通信、光电集成、光盘存储、泵浦光源、大气环境检测、痕量有毒气体分析及分子光谱学等,与人类生活息息相关,给人们的生活带来很多便利。
[0003]然而,当半导体激光器用于一些特殊领域时,对于半导体激光器的输出功率有着更高的要求,通过需要在大功率下进行使用,但是,与此同时也会导致半导体激光器有源区在工作时温度的升高,半导体激光器在工作时的温度对其阈值电流密度、斜率效率和光谱稳定性等有显著影响,发光区过热会导致发光区腔面损伤甚至是器件退化,最终造成器件失效,因此,需要有效地进行散热,对半导体激光器的散热性能提出来更高的要求,从而满足更多特殊领域的使用要求。
技术实现思路
[0004]基于此,有必要提供一种半导体激光器封装结构。
[0005]本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种半导体 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器封装结构,其特征在于,包括:热沉,所述热沉开设有安装槽;陶瓷基板,所述陶瓷基板设置于所述安装槽中,所述陶瓷基板远离所述热沉的一面设置有第一导电层及第二导电层,所述第一导电层与所述第二导电层间隔设置;及激光芯片,所述激光芯片分别与所述第一导电层及所述第二导电层电性连接,所述激光芯片设置于所述第一导电层及所述第二导电层的其中一个上,所述激光芯片的表面设置有散热层。2.如权利要求1所述的半导体激光器封装结构,其特征在于,还包括金属线,所述激光芯片设置于所述第一导电层上,所述散热层远离所述激光芯片的一面设置有电极,所述电极与所述激光芯片电性连接,所述金属线的一端与所述电极连接,所述金属线的另一端与所述第二导电层连接。3.如权利要求1所述的半导体激光器封装结构,其特征在于,还包括导电线体,所述激光芯片设置于所述第二导电层上,所述散热层远离所述激光芯片的一面设置有金属镀层,所述金属镀层与所述激光芯片电性连接,所述导电线体的一端与所述金属镀层连接,所述导电线体的另一端与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:李适宇,许超,鲍锋辉,
申请(专利权)人:西安嘉合超亿光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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