本实用新型专利技术公开了一种保护电源避免被高压测试损坏的保护电路，其包括变压器等，第一二极管、第一电容、第一三极管的源极都与变压器的次级主绕组连接，第一电容的负极与第一三极管的源极连接，第一二极管的负极、第一电容的正极、接头都与第一开关连接，接头、第一三极管的漏极都与第二开关连接，第一电阻与第一三极管的栅极连接，第二电容、第二二极管、第三电容都与变压器的次级副绕组连接，第二电容的正极、第二二极管的负极、第二电阻的一端都与第二三极管的发射极连接。本实用新型专利技术有效地解决输出端口使用继电器的电源在耐高压测试时损坏元器件的情况，保护元器件，提高使用寿命。提高使用寿命。提高使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
保护电源避免被高压测试损坏的保护电路
[0001]本技术涉及一种保护电路，特别是涉及一种保护电源避免被高压测试损坏的保护电路。
技术介绍
[0002]当前动力电池的电压越来越高，充电器安规要求越来越严格，有部分产品在电源输出端口使用继电器控制输出来完成安规测试和实现某种功能。目前充电器和适配器都要求了充电器耐高压测试（HI
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POT），此测试是用以验证电源的初次级绝缘强度。目前的产品一般只有两颗电容，缺点是做耐高压测试时，容易损坏元器件。
技术实现思路
[0003]针对上述情况，为了克服现有技术的缺陷，本技术提供一种保护电源避免被高压测试损坏的保护电路。
[0004]本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种保护电源避免被高压测试损坏的保护电路，其特征在于，其包括变压器、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、电感、接头、第一开关、第二开关，第一二极管、第一电容、第一三极管的源极都与变压器的次级主绕组连接，第一电容的负极与第一三极管的源极连接，第一二极管的负极、第一电容的正极、接头都与第一开关连接，接头、第一三极管的漏极都与第二开关连接，第一电阻与第一三极管的栅极连接，第二电容、第二二极管、第三电容都与变压器的次级副绕组连接，第二电容的正极、第二二极管的负极、第二电阻的一端都与第二三极管的发射极连接，第二电阻的另一端、第三三极管的集电极都与第二三极管的基极连接，电感的一端与第二三极管的集电极连接，电感的另一端与第三三极管的发射极连接，第三电阻与第三三极管的发射极连接，第三电容、第四电容、第五电容、第六电容依次串联，第六电容与变压器的初级主绕组、初级副绕组连接，第六电容接地。
[0005]优选地，所述第一三极管是CMOS管，第二三极管是PNP型三极管，第三三极管是NPN型三极管，方便区分和使用。
[0006]优选地，所述第一电容、第二电容都是极性电容，第三电容、第四电容、第五电容、第六电容都是无极性电容，方便区分和使用，提高滤波效果。
[0007]优选地，所述第一开关、第二开关都为继电器开关，方便断开和使用。
[0008]优选地，所述第一二极管为主输出回路的整流二极管，第二二极管为辅助回路的整流二极管，提高整流效果。
[0009]本技术的积极进步效果在于：本技术有效地解决输出端口使用继电器的电源在耐高压测试时损坏元器件的情况，保护元器件，提高使用寿命。
附图说明
[0010]图1为本技术保护电源避免被高压测试损坏的保护电路的电路图。
具体实施方式
[0011]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0012]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0013]如图1所示，本技术保护电源避免被高压测试损坏的保护电路包括变压器T1、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、电感L1、接头CN1、第一开关K1、第二开关K2，第一二极管D1、第一电容C1、第一三极管Q1的源极都与变压器T1的次级主绕组连接，第一电容C1的负极与第一三极管Q1的源极连接，第一二极管D1的负极、第一电容C1的正极、接头CN1都与第一开关K1连接，接头CN1、第一三极管Q1的漏极都与第二开关K2连接，第一电阻R1与第一三极管Q1的栅极连接，第二电容C2、第二二极管D2、第三电容C3都与变压器T1的次级副绕组连接，第二电容C2的正极、第二二极管D2的负极、第二电阻R2的一端都与第二三极管Q2的发射极连接，第二电阻R2的另一端、第三三极管Q3的集电极都与第二三极管Q2的基极连接，电感L1的一端与第二三极管Q2的集电极连接，电感L1的另一端与第三三极管Q3的发射极连接，第三电阻R3与第三三极管Q3的发射极连接，第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6依次串联，第六电容C6与变压器T1的初级主绕组、初级副绕组连接，第六电容C6接地。
[0014]第一三极管Q1是CMOS管，第二三极管Q2是PNP型三极管，第三三极管Q3是NPN型三极管，方便区分和使用。
[0015]第一电容C1、第二电容C2都是极性电容，第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6都是无极性电容，方便区分和使用，提高滤波效果。
[0016]第一开关K1、第二开关K2都为继电器开关，方便断开和使用。
[0017]第一二极管D1为主输出回路的整流二极管，第二二极管D2为辅助回路的整流二极管，提高整流效果。
[0018]本技术的工作原理如下：本技术的变压器T1、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、电感L1、接头CN1、第一开关K1、第二开关K2等部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。使用时，充电器输出回路上正负端分别经过第一开关K1、第二开关K2，第一电容C1为充电器的高压电源供电电容，第一三极管Q1为输出回路中的控制MOS管，第一电阻R1为第一三极管Q1的驱动电阻，GATE1为第一三极管Q1栅极的驱动端。第二电容C2为电源的辅助回路滤波电容。第二三
极管Q2为扩流三极管，第三三极管Q3为驱动三极管，GATE2为第三三极管Q3基极的驱动端。在做电源的耐高压测试时，接头CN1电源输出正负端需接在一起，初级输入端短接在一起。此时测试的电压及漏电流会经由第六电容C6、第五电容C5，再经由第四电容C4、第三电容C3流出接头CN1，此电源回路给施加在第一开关K1、第二开关K2两端的电压一个回流路径，避免在耐高压测试时，引起第一开关K1、第二开关K2的拉弧，以及第一三极管Q1及回路中的其他耐压敏感的半导体元器件由于高压损坏。
[0019]综上所述，本技术有效地解决输出端口使用继电器的电源在耐高压测试时损坏元器件的情况，保护元器件，提高使用寿命。
[0020]以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点，对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种保护电源避免被高压测试损坏的保护电路，其特征在于，其包括变压器、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、电感、接头、第一开关、第二开关，第一二极管、第一电容、第一三极管的源极都与变压器的次级主绕组连接，第一电容的负极与第一三极管的源极连接，第一二极管的负极、第一电容的正极、接头都与第一开关连接，接头、第一三极管的漏极都与第二开关连接，第一电阻与第一三极管的栅极连接，第二电容、第二二极管、第三电容都与变压器的次级副绕组连接，第二电容的正极、第二二极管的负极、第二电阻的一端都与第二三极管的发射极连接，第二电阻的另一端、第三三极管的集电极都与第二三极管的基极连接，电感的一端与第二三极管的集电极连接，电感的另一端与第三三极管...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱理贤，
申请(专利权)人：昆山硕通电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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