纳米聚焦Ｘ射线组合透镜的制作方法技术

纳米聚焦Ｘ射线组合透镜的制作方法，包括步骤如下：（Ａ）用电子束刻蚀技术制作玻璃基底金属铬材料的光刻掩模版；（Ｂ）对硅衬底进行常规清洁处理；（Ｃ）在经步骤（Ｂ）处理的硅衬底表面自旋涂覆一层厚度为１－３微米的普通紫外负性光刻胶；（Ｄ）使用步骤（Ａ）制成的光刻掩模版；（Ｅ）在光刻胶图形结构上生长一层厚度为１００－２５０纳米的铝金属薄膜；（Ｆ）去除光刻胶膜，形成与步骤（Ａ）制成的光刻掩模版图形结构相同的铝材料图形结构；（Ｇ）进行深度硅材料刻蚀，制成硅材料一维纳米聚焦Ｘ射线组合透镜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
纳米聚焦Ｘ射线组合透镜的制作方法，其工艺步骤如下：（Ａ）用电子束刻蚀技术制作玻璃基底金属铬材料的光刻掩模版，所述光刻掩模版图形为，由多个依次同轴排布的组合透镜折射单元组成，所述折射单元由通孔状空气隙与透镜主体材料一起构成，所述空气隙的截面形状为椭圆形，所述空气隙对应椭圆短轴方向的最大口径尺寸小于椭圆短轴尺寸，所述透镜单元的椭圆形空气隙的长轴位于同一直线上，所述空气隙对应的椭圆尺寸逐渐减小，由大到小顺序排列；（Ｂ）对硅衬底进行常规清洁处理；（Ｃ）在经步骤（Ｂ）处理的硅衬底表面自旋涂覆一层厚度为１－３微米的普通紫外负性光刻胶；（Ｄ）对涂覆好的紫外负性光刻胶进行曝光、显影、坚膜，使用步骤（Ａ）制成的光刻掩模版，形成与步骤（Ａ）制成的光刻掩模版图形结构相反的光刻胶图形结构；（Ｅ）在光刻胶图形结构上生长一层厚度为１００－２５０纳米的铝金属薄膜，作为深度刻蚀硅的保护层；（Ｆ）去除光刻胶膜，形成与步骤（Ａ）制成的光刻掩模版图形结构相同的铝材料图形结构；（Ｇ）进行深度硅材料刻蚀，刻蚀深度按所设计的一维纳米聚焦Ｘ射线组合透镜的厚度设定，范围在３０－６０微米，制成硅材料一维纳米聚焦Ｘ射线组合透镜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董文，乐孜纯，梁静秋，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]