一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及低介电聚酰亚胺复合材料技术领域，具体涉及一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜及其制备方法和应用。低介电常数的聚酰亚胺薄膜按照如下步骤制备：以均苯四甲酸二酐和4,4'

【技术实现步骤摘要】
一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于低介电聚酰亚胺复合材料
，具体涉及一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]信息技术的高速发展与社会需求的不断提高对器件小型化和超高集成度提出了越来越高的要求。随着超大规模集成电路(ULSI)器件集成度、小型化的提高，晶体管密度的不断提升，布线之间的电感
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电容效应逐渐增强，导线电流的相互影响导致电路信号的互连延迟逐渐增大，串扰和功率损耗增加，这已成为制约集成电路速度进一步提高的瓶颈，这主要是因为传统的SiO2(k＝3.9～4.2)作为微电子电路中线间和层间介质材料其介电性能无法满足要求。研究表明，采用超低介电常数(1owk)材料作为金属线间和层间绝缘介质能有效的降低电路的互连延迟、串扰和能耗，因此新型低介电(k<2.5)及超低介电(k≤2.0)层间介质材料的开发和应用显得尤为重要。
[0003]降低介质材料介电常数的方法有多种，其中向介质基体中引入孔洞结构是一种非常有效的途径。多孔材料分无机和有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(1)、采用4,4'
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二氨基二苯醚和均苯四甲酸二酐制备聚酰亚胺酸溶液；步骤(2)、将纳米笼型苯基倍半硅氧烷加入至步骤(1)的聚酰亚胺酸溶液中，于冰浴环境下搅拌2
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3h，得到混合液；步骤(3)、将步骤(2)的混合液均匀涂覆成膜后，将涂膜后的玻璃片置于真空干燥箱内，于真空条件下，于60
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70℃下保温10h，100
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120℃下保温6h，200
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210℃下保温6h，300
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330℃下保温2h，然后冷却至室温，得到低介电聚酰亚胺基复合薄膜；所述纳米笼型苯基倍半硅氧烷在低介电聚酰亚胺基复合薄膜中的质量分数为5
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30％。2.根据权利要求1所述的一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，纳米笼型苯基倍半硅氧烷在低介电聚酰亚胺基复合薄膜中的质量分数为15
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25％。3.根据权利要求1所述的一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，纳米笼型苯基倍半硅氧烷在低介电聚酰亚胺基复合薄膜中的质量分数为25％。4.根据权利要求1所述的一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中聚酰亚胺酸溶液的黏度系数为9000<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李涛，孙煜，代海洋，陈靖，薛人中，刘德伟，
申请(专利权)人：郑州轻工业大学，
类型：发明
国别省市：