一种CMP金刚石修整器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种CMP金刚石修整器的制造方法，包括以下步骤：步骤一，清洗；步骤二，涂敷；步骤三，镀覆；步骤四，筛选；步骤五，平铺；步骤六，覆膜；步骤七，除膜；其中上述步骤一中，首先对不锈钢基底进行清洗；其中上述步骤二中，在不锈钢基底上涂敷的光刻胶，利用光刻技术进行图案化，在所需图案上保留光刻胶；步骤三中，利用PVD法代替电镀法覆膜固定金刚石；该发明专利技术，大幅缩减生产步骤；利用电镀法制备时，需经过多次电镀以及检测，充分的缩短生产时间，PVD法通过改变时间、功率，优化工艺调整微观组织，控制薄膜厚度和成分，提高生产效率，PVD法对环境更加友好，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强，对于金刚石的固定效果更好。对于金刚石的固定效果更好。对于金刚石的固定效果更好。

【技术实现步骤摘要】
一种CMP金刚石修整器的制造方法


[0001]本专利技术涉及CMP金刚石修整器
，具体为一种CMP金刚石修整器的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体工业飞速发展，电子器件逐渐趋于小型化，光刻技术的解析度要求越来越高，晶片表面平整度需达到纳米级，传统的平坦化技术仅能实现局部平坦化，而当最小特征尺寸达到0.35μm以下时，必须实现全局平坦化。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是一种在当前和未来制造中均表现突出的平面化技术，可从加工性能和速度上同时满足硅片图形加工要求，有效降低缺陷密度，同时提高成品率，因而已广泛应用于半导体制造业，对半导体晶圆进行打磨以获得镜面光洁度。
[0003]在CMP中，从晶片和抛光垫中去除的浆液和碎屑可以“釉化”抛光垫表面，使抛光垫表面光滑。如果没有抛光垫表面重塑的过程，抛光垫将退化甚至失效。抛光垫调整器在维持晶片材料去除率的方面起着关键作用。可以通过再生抛光垫表面粗糙度和重塑表面轮廓来延长抛光垫的寿命，使抛光垫的材料去除率(MRR)保持在稳定的水平，并提高抛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMP金刚石修整器的制造方法，包括以下步骤：步骤一，清洗；步骤二，涂敷；步骤三，镀覆；步骤四，筛选；步骤五，平铺；步骤六，覆膜；步骤七，除膜；其特征在于：其中上述步骤一中，首先对不锈钢基底进行清洗；其中上述步骤二中，在不锈钢基底上涂敷的光刻胶，利用光刻技术进行图案化，在所需图案上保留光刻胶；其中上述步骤三中，在光刻后的不锈钢基底上利用PVD(物理气相沉积法)镀覆Ni薄膜/Cr薄膜/NiCr合金膜，将镀覆薄膜后的基盘在丙酮中浸泡，形成图案化微孔；其中上述步骤四中，分别利用180μm、200μm、220μm的三种大小的筛网筛选出形状大小较为一致的金刚石；其中上述步骤五中，将所筛选的金刚石平铺在图案化的不锈钢基底中，并在震动台上进行水平、垂直方向的交互震动，使金刚石均匀排列于微孔中；其中上述步骤六中，在排列好金刚石的基底上镀覆薄膜，镀覆薄膜采用物理气相沉积技术；其中上述步骤七中，利用研磨法...

【专利技术属性】
技术研发人员：田悦，王轩，王曲歌，杨阳，杜运达，王旭阳，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：