【技术实现步骤摘要】
一种改善光纤衰减均匀性的生产工艺
[0001]本专利技术涉及光纤
，具体涉及一种改善光纤衰减均匀性的生产工艺。
技术介绍
[0002]衰减作为光纤的重要指标一直是光纤预制棒及光纤生产的重中之重，需要通过稳定的工艺来控制光纤衰减来提高光纤质量，控制方法不完善使得光纤结构不规则时要发生模变换，将部份传输能量射出纤芯外而变成辐射模，光纤芯包层界面上存在着微小结构波动和光纤内部波导结构不均匀而引起的部份损耗，使损耗增加。
[0003]控制方法不完善导致VAD生产过程中生长速度不稳定，需要随时有人关注，目前的控制方法都是人为关注光线预制棒的生长直径，当人为直径变化时其误差已经很大，且控制调节时都是单纯的对芯棒的提升或者喷灯的喷射量进行调节，控制方式单一，难以稳定光线预制棒尺寸。
技术实现思路
[0004]针对上述存在的技术不足，本专利技术的目的是提供一种改善光纤衰减均匀性的生产工艺。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术提供一种改善光纤衰减均匀性的生产工艺，包括如...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改善光纤衰减均匀性的生产工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1、生长速度关系确定将芯棒通过三抓卡盘固定在石英腔体内，先保持芯棒提升速度恒定，然后调节喷灯与芯棒轴线夹角θ，使得预制棒生长直径满足配方要求，然后加快提升速度，再次调节喷灯与芯棒轴线夹角使得预制棒生长直径满足配方要求，通过多点测试得到满足配方生长要求的芯棒提升速度与喷灯角度关系；S2、芯棒安装预热将芯棒通过三抓卡盘固定在石英腔体内，通过提升机构将芯棒降低，使得芯棒底部与激光线路对齐，调节喷灯角度，使得喷灯轴线与芯棒轴线相交与芯棒底部圆心，然后将氢气和氧气通入喷灯，并在石英腔体内点燃，产生温度为900
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1000℃的氢氧焰，对反应腔体和芯棒预热；S3、预制棒生长将SiCl4和GeCl4原料气体经喷灯送入氢氧焰中，发生水解反应，氧化生成的SiO2、GeO2粉末由于热泳运动沉积于芯棒下端，形成预制棒的芯层；同时SiCl4原料气体通入喷灯进入氢氧焰，令其发生水解反应，氧化生成的SiO2粉末沉积在芯层周围，形成预制棒的光学包层；S4、生长控制S401、根据需要生产的预制棒直径，将激光照射同直径预制棒标准件，并通过激光接收器接收得到激光功率a，将a定为标准激光透过率，设定控制参数b和限制参数c；S402、当激光透过率为a+b时，提升机构减小芯棒上升速度，同时调节机构带动喷灯向沉积速率快的方向移动，即θ减小，使得θ与芯棒提升速度满足步骤S1中确定的配方生长要求的芯棒提升速度与喷灯角度关系；当激光透过率为a
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b时，提升机构增大芯棒上升速度，同时调节机构带动喷灯向沉积速率慢的方向移动，即θ增大，使得θ与芯棒提升速度满足步骤S1中确定的配方生长要求的芯棒提升速度与喷灯角度关系；当激光透过率为a+c时，提升机构携带芯棒以固定慢速往上生长；当激光透过率为a
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c时，提升机构携带芯棒以固定快速往上生长；S5、预制棒收尾预制棒生长结束后，喷灯先停止SiCl4和GeCl4原料气体的供入，然后停止氢气和氧气的供应，待石英腔体内温度自然降低至室温后开启石英腔体并取出预制棒。2.如权利要求1所述的一种改善光纤衰减均匀性的生产工艺，其特征在于：所述芯棒始终处于转动状态，所述芯棒的转速在15
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25r/min，提升速度在40
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70mm/h。3.如权利要求1所述的一种改善光纤衰减均匀性的生产工艺，其特征在于：所述石英腔体外壁设有排风和补风，所述石英腔体内保持负压，且负压大小为40
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50Pa。4.如权利要求1所述的一种改善光纤衰减均匀性的生产工艺，其特征在于：步骤S401中，所述限制参数为b/100
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b/10；步骤S402中，所述预制棒生长速度S＝x...
【专利技术属性】
技术研发人员：张玉棋，张学军，王强强，章海峰，吴志元，刘世浩，
申请(专利权)人：杭州金星通光纤科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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