一种钒掺杂铌酸钠压电陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种钒掺杂铌酸钠压电陶瓷，属于介电陶瓷材料技术领域。本发明专利技术的钒掺杂铌酸钠压电陶瓷具有式1所示结构：NaNb1‑

【技术实现步骤摘要】
一种钒掺杂铌酸钠压电陶瓷及其制备方法


[0001]本专利技术涉及介电陶瓷材料
，尤其涉及一种钒掺杂铌酸钠压电陶瓷及其制备方法。

技术介绍

[0002]钙钛矿氧化物电介质陶瓷是一种兼具良好的热稳定性和化学稳定性的功能材料，其晶体结构和电子结构可通过元素掺杂实现有效调控，因此吸引了许多研究人员的注意。其中，铅基钙钛矿固溶体Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电陶瓷是研究最为广泛的一类化合物体系，在此体系基础上，研究人员利用元素掺杂手段，发展出一系列掺杂改性的PZT陶瓷材料，其显示出优异的介电、铁电和压电性能并已在工业领域得到广泛应用。众所周知，PZT材料中的铅元素属于有毒重金属，其大量使用将会对人体健康及生态环境造成严重损害。自2001年以来世界各国相继制定了限制铅污染的相关法律。因此，可以有效替代PZT体系的无铅电介质功能陶瓷的研发具有重要意义。
[0003]NaNbO3电介质陶瓷是一类经典的铌基无铅反铁电材料。目前关于NaNbO3体系的离子掺杂改性研究主要集中在对A位的Na
+
离子进行Li、K等元素掺杂以及对B位的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钒掺杂铌酸钠压电陶瓷，由具有式1所示化学组成的物质形成：NaNb1‑
x
V
x
O3式1，其中，0<x≤0.15；所述钒掺杂铌酸钠压电陶瓷为钙钛矿晶体结构。2.权利要求1所述钒掺杂铌酸钠压电陶瓷的制备方法，包括以下步骤：将Na2CO3、Nb2O5和V2O5混合，得到混合料；所述Na2CO3中Na的摩尔量在根据式1计算得到的Na的理论摩尔量的基础上增加5～7％；所述Nb2O5中Nb的摩尔量对应式1中Nb的理论摩尔量；所述V2O5中V的摩尔量对应式1中V的理论摩尔量；将所述混合料进行煅烧，得到煅烧料；将所述煅烧料依次进行第一压制和第一烧结，将得到的烧结片坯处理成粉，得到烧结粉料；将所述烧结粉料在H2‑
Ar混合气体中进行低温还原处理，得到中间陶瓷粉；所述低温还原处理的温度为450℃；将所述中间陶瓷粉和粘结剂混合，将所得混合料进行第二压制，将所得压制片坯依次进行排胶和第二烧结，得到钒掺杂铌酸钠压电陶瓷。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：白一甲，程啟祥，孟利艳，张安荔，李晶，
申请(专利权)人：内蒙古工业大学，
类型：发明
国别省市：