【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有用于对故障进行补救的冗余电路的半导体存储器。
技术介绍
一般半导体存储器具有冗余电路，用于对衬底中的晶格缺陷以及由于 生产工序中产生的异物而发生的故障进行补救并且提高合格率。更具体地说，DRAM等半导体存储器除了正规的字线和位线以外，还具有冗余字线 和冗余位线。并且，当在测试工序中检测到存储单元有故障的情况下，为 了将发生故障的字线和位线替换为冗余字线或冗余位线，形成在半导体存 储器中的熔丝电路会被进行编程。通过使用冗余电路对故障的存储单元进 行补救，提高半导体存储器的成品率。熔丝电路需要分别与冗余字线和冗余位线对应。此外，各熔丝电路为 了对故障地址进行编程，需要按地址的每一位设置熔丝。因此，熔丝电路 成了使半导体存储器的芯片尺寸增大的主要原因。另一方面，如果冗余字 线或冗余位线中存在故障，则对应的熔丝电路便不能使用，因而补救效率 下降。例如，专利文献1、 2等记载了通过减少熔丝电路的个数而削减芯 片面积，并通过使各个熔丝电路可对多个冗余字线或位线使用来提高补救 效率的方法。专利文献1:日本专利文献特开平6—44795号公报； 专利文献2:日...
【技术保护点】
一种半导体存储器，其特征在于，包括： 单元阵列，具有存储单元、以及与存储单元连接的字线和位线； 多个冗余熔丝电路，对多个故障地址分别进行编程； 标准冗余线，分别对应于所述冗余熔丝电路而专门设置，用于对故障进行补救； 备用冗余线，被设置为由所述冗余熔丝电路共享，用于对故障进行补救； 多个地址比较电路，分别对应于所述冗余熔丝电路而设置，将所述冗余熔丝电路中被编程的故障地址与存储地址进行比较，在比较结果一致时分别输出冗余信号； 开关电路，响应所述 冗余信号，使对应的标准冗余线或者所述备用冗余线中的某一个有效；以...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体存储器，其特征在于，包括单元阵列，具有存储单元、以及与存储单元连接的字线和位线；多个冗余熔丝电路，对多个故障地址分别进行编程；标准冗余线，分别对应于所述冗余熔丝电路而专门设置，用于对故障进行补救；备用冗余线，被设置为由所述冗余熔丝电路共享，用于对故障进行补救；多个地址比较电路，分别对应于所述冗余熔丝电路而设置，将所述冗余熔丝电路中被编程的故障地址与存储地址进行比较，在比较结果一致时分别输出冗余信号；开关电路，响应所述冗余信号，使对应的标准冗余线或者所述备用冗余线中的某一个有效；以及选择熔丝电路，输出用于对所述开关电路的切换进行控制的冗余选择信号。2. 根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，包括 寄存器，可改写地保存有多个故障地址；以及故障地址选择部，将所述各个冗余熔丝电路中被编程的故障地址或者 所述寄存器中保存的对应的故障地址的某一个输出给所述各地址比较电 路。3. 根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述半导体存 储器包括编程控制电路，按照从半导体存储器的外部提供的编程信息而输 出用于对所述选择熔丝电路进行编程的电信号。4. 根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于， 所述标准冗余线和所述备用冗余线是用于对故障的字线进行补救的冗余线。5. 根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述半导体存 储器包括多个冗余线，用于对故障的位线进行补救；以及 冗余列开关，分别与所述冗余位线连接，所述标准冗余线和所述备用冗余线是传输所述冗余开关的开/关的列线 控制信号的冗余列线。6. —种半导体存储器，其特征在于，包括存储器内核，包括存储单元、用于对存储...
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