用于表面声波器件的复合基板及其制造方法技术

提供了一种具有小损耗的用于SAW器件的压电复合基板。根据本发明专利技术的一个实施方式的用于表面声波器件的复合基板具有：压电单晶薄膜，支撑基板，以及在压电单晶薄膜和支撑基板之间的第一中间层。在所述复合基板中，第一中间层与压电单晶薄膜接触，并且第一中间层中的横波的声速比压电单晶薄膜中的快横波的声速快。的声速比压电单晶薄膜中的快横波的声速快。的声速比压电单晶薄膜中的快横波的声速快。

【技术实现步骤摘要】
用于表面声波器件的复合基板及其制造方法
相关申请的交叉引用
[0001]该非临时申请根据35 U.S.C.
§
119(a)要求2020年5月15日提交的日本专利申请No.2020
‑
086299的优先权，其全部内容以引用的方式并入本文。


[0002]本专利技术涉及用于表面声波器件的复合基板及其制造方法，其中，压电单晶基板与支撑基板粘合。

技术介绍

[0003]近年来，在以智能手机为代表的移动通信市场中，数据通信量迅速增加。为了应对这一点，必须增加通信频段的数量，并且必不可少的是使各种器件(例如，表面声波器件)小型化并实现器件的高性能。
[0004]压电材料(例如，钽酸锂(LT)和铌酸锂(LN))广泛用作用于表面声波(SAW)器件(例如表面声波滤波器)的材料。尽管这些材料具有较大的机电耦合系数并且可以扩大器件的带宽，但是存在的问题是材料的温度稳定性低，因此适用频率随温度变化而偏移。这是因为钽酸锂或铌酸锂具有非常高的热膨胀系数。
[0005]为了解决该问题，已经提出了一种复合基板，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于表面声波器件的复合基板，包括：压电单晶薄膜，支撑基板，以及在所述压电单晶薄膜和所述支撑基板之间的第一中间层，其中：所述第一中间层与所述压电单晶薄膜接触；并且所述第一中间层的横波的声速比所述压电单晶薄膜的快横波的声速快。2.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述第一中间层的水蒸气透过率为10
‑3(g/m2/天)以下。3.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述第一中间层是氮氧化硅、氮化硅、非晶氮化铝或氧化铝中的任一种。4.根据权利要求1所述的复合基板，其中：在所述第一中间层和所述支撑基板之间设置有第二中间层；并且所述第二中间层的横波的声速比所述压电单晶薄膜的快横波的声速慢。5.根据权利要求4所述的复合基板，其中，所述第二中间层包含二氧化硅、二氧化钛、五氧化钽、五氧化铌和二氧化锆中的任一种。6.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述第一中间层和与所述第一中间层相邻的至少一个层之间的粘合界面具有凹凸结构，并且所述凹凸结构的横截面曲线中的单元的平均长度RSm与当用作所述表面声波器件时的表面声波的波长λ的比率为0.2以上且5.0以下。7.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述复合基板的体积电阻率为1
×
10
12
Ω
...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹野雅行，秋山昌次，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：