小型记忆卡制造技术

技术编号:3088310 阅读:128 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术提供了一种小型记忆卡,包括线路板和通讯端口,线路板的一面上设有FLASH,FLASH的长边与小型记忆卡的长边平行;当小型记忆卡按照长边方向为水平方向的方式放置时,FLASH和控制器在线路板上的位置关系为上下排列关系。小型记忆卡还包括外框,外框相应边的内缘设有一级台阶和二级台阶。这种记忆卡可以采用TSOP封装形式封装的FLASH以提高小型记忆卡的最大存储容量,成本降低,记忆卡结构更加紧凑。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种记忆卡,尤其是一种可采用TSOP封装形式FLASH的记忆卡。
技术介绍
小型记忆卡,英文名称为Mini SD,是一种小型移动存储设备。它的一种结构形式是由壳体和贴有电子元器件的线路板组合而成,线路板上贴装一个控制器,一个或多个FLASH,以及若干电容和电阻。在这种小型记忆卡的线路板上,FLASH的排版采用FLASH的长边与小型记忆卡的短边平行的方向,当小型记忆卡按照长边方向为水平方向的方式放置时,控制器和FLASH在线路板上的位置关系为左右排列关系。小型记忆卡尺寸规格的行业标准为21.5mm*20mm,这也是小型记忆卡壳体的外形尺寸,因此装设在壳体中的长方形线路板的尺寸应小于该尺寸标准,即线路板的短边长度是小于20mm的。以TSOP封装形式封装的FLASH的外形尺寸为20mm*12.4mm,上述现有技术小型记忆卡FLASH的排版方式(FLASH的长边与线路板的短边平行)决定了这种小型记忆卡不能采用以TSOP封装形式封装的FLASH。通常情况下,这种小型记忆卡采用的是封装外形尺寸为15.4mm*12.4mm的以WSOP封装形式封装的FLASH。小型记忆卡的储存容量取决于FLASH的容量,而FLASH的容量又在一定程度上受限于FLASH的尺寸。TSOP封装形式的FLASH的最大存储容量比WSOP的大,现有技术这种小型记忆卡不能采用以TSOP封装形式封装的FLASH,因而限制了记忆卡的储存容量。另外,以WSOP封装形式封装的FLASH比以TSOP封装形式封装的FLASH成本高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种可采用TSOP封装形式FLASH的记忆卡。为解决上述技术问题,本技术提供一种小型记忆卡,包括线路板和通讯端口;线路板的一面上设有控制器和FLASH;FLASH的长边与小型记忆卡的长边平行;当小型记忆卡按照长边方向为水平方向的方式放置时,FLASH和控制器在线路板上的位置关系为上下排列关系。FLASH在线路板上采用这样的排列方式,使得本技术小型记忆卡可采用TSOP封装形式封装的FLASH。这种排列方式不会影响小型记忆卡选用采用WSOP封装形式封装的FLASH。采用TSOP封装形式FLASH的本技术小型记忆卡,存储容量比采用WSOP封装形式FLASH的现有技术小型记忆卡大。作为本技术的改进,小型记忆卡可配置与线路板相适配的外壳。线路板被包覆在外壳中,外壳可起到标识、保护和方便使用的作用。同时,外壳也兼具外观装饰的作用。外壳可包括与线路板相适配的外框,外框内缘的形状和尺寸与线路板的外形尺寸相适配,线路板可装设在外框上。作为本技术的进一步改进,外框各边的内缘设有与线路板的相应边相适配的一级台阶。线路板可卡紧在外框的一级台阶上,也可以通过胶水、螺钉等固定方式固定在外框上。外框相应边的内缘设有分别与线路板上的FLASH和控制器相适配的二级台阶。当线路板装设在外框上时,线路板各边与外框相应边上的一级台阶相配合,线路板上的FLASH和控制器分别与外框相应边的二级台阶相配合。还可在线路板设有控制器和FLASH的一面上设置电容和电阻,当线路板按照长边方向为水平方向的方式放置时,FLASH与电容和电阻的位置关系为上下排列关系。此时电容和电阻可以排布在控制器的一侧,也可以在控制器的两侧排布。线路板的长宽尺寸可选择为20.5mm*18.5mm,采用TSOP封装形式封装的FLASH的长宽尺寸为20mm*12.4mm。本技术小型记忆卡的通讯端口可以选用金手指,金手指布置在线路板的背向FLASH的一面上。本技术小型记忆卡,可以采用TSOP封装形式封装的FLASH以提高小型记忆卡的最大存储容量,并且使小型记忆卡的成本降低;通过设置一级台阶和二级台阶,可以方便线路板在外框上的装配,使得整个小型记忆卡的结构更加紧凑,厚度变薄。附图说明为了便于说明,本技术使用下述的较佳实施例及附图作以详细描述。图1是本技术一种实施方式的立体示意图。图2是图1的装配分解示意图。图3是图1和图2中的线路板1的立体示意图。图4是图3中的线路板1的另一个方向的立体示意图。图5是图3中的线路板1的主视、侧视和后视示意图。图6是图1和图2中的外框2的立体示意图。图7是图1和图2中的外框2的另一个方向的立体示意图。具体实施方式图1-图7示出了本技术小型记忆卡的一种实施方式。为方便示意,该小型记忆卡的外壳在附图中只示出了外框2。图1为该小型记忆卡的立体示意图,该小型记忆卡包括线路板1和外框2,线路板1卡设在外框2上。线路板1的结构如图2、图3、图4和图5所示,线路板1的一面上贴装有控制器4和以TSOP封装形式封装的FLASH3,另一面上设有金手指5(通讯端口)。图5的左图是线路板1的主视图,右图是线路板1的后视图,左、右图的中间是线路板1的右视图。FLASH3、控制器4和电容电阻6贴装在线路板1的一面(即主视图中线路板1的上表面,在主视图中虚线所示为贴装于主视图中线路板1下表面的金手指5),金手指5贴装在线路板1的另一面(即后视图中线路板1的上表面,在后视图中虚线所示分别为贴装于后视图中线路板1下表面的FLASH3、控制器4和电容电阻6)。如右图(后视图)所示,a、b、c和d为线路板1的边,a和c之间的垂直距离为18.5mm,b和d之间的垂直距离为20.5mm。FLASH3的长宽尺寸为20mm*12.4mm,FLASH3的长边(20mm)与线路板1的长边(a和c)平行。图5中线路板1的长边(a和c)为水平方向,控制器4位于FLASH3的下方,在控制器4的两侧,线路板1上贴装有电容电阻6。这种小型记忆卡,采用以TSOP封装形式封装的FLASH3,提高了小型记忆卡的最大存储容量,并且使小型记忆卡的成本降低。图6和图7示出了该小型记忆卡的外框2,图6的左图是外框2的立体示意图,右图是图6中局部A的放大示意图;图7的左图是外框2另一个方向的立体示意图,右图是图7中局部B的放大示意图。图6所示的外框2的方向与图4中线路板1的方向相适配。图6和图7中,7、8、9和10为外框2上的一级台阶,7和9与图5中线路板1的边a和c对应,8和10与图5中线路板1的边b和d对应;11、12和13为外框2上的二级台阶,11和控制器4对应,12和13与FLASH3对应。通过设置一级台阶和二级台阶,可以方便线路板在外框上的装配,使得整个小型记忆卡的结构更加紧凑,厚度变薄。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小型记忆卡,包括线路板和通讯端口;所述线路板的一面上设有控制器和FLASH;其特征在于:所述FLASH的长边与该小型记忆卡的长边平行;当该小型记忆卡按照长边方向为水平方向的方式放置时,所述FLASH和所述控制器在所述线路板上的位置关系为上下排列关系。

【技术特征摘要】
1.一种小型记忆卡,包括线路板和通讯端口;所述线路板的一面上设有控制器和FLASH;其特征在于所述FLASH的长边与该小型记忆卡的长边平行;当该小型记忆卡按照长边方向为水平方向的方式放置时,所述FLASH和所述控制器在所述线路板上的位置关系为上下排列关系。2.根据权利要求1所述的小型记忆卡,其特征在于所述FLASH采用TSOP封装形式。3.根据权利要求1或2所述的小型记忆卡,其特征在于该小型记忆卡包括与所述线路板相适配的外壳。4.根据权利要求3所述的小型记忆卡,其特征在于所述外壳包括与所述线路板相适配的外框。5.根据权利要求4所述的小型记忆卡,其特征在于所述外框各边的内缘设有所述线路板的相应边相适配...

【专利技术属性】
技术研发人员:高小伟
申请(专利权)人:比亚迪股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:94[中国|深圳]

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