【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体存储装置，更具体地说，涉及在一位线和一数据母线之间被连接有具有一读出门电路结构的一晶体管的半导体存储装置。在相关的现有技术中，例如，如附图说明图1所示，存储作为电信号(电压)的读和写数据的半导体存储装置包括一读出放大器32，在读操作时刻，该放大器32放大并输出来自一存储单元(未示出)的读出电压到位线30和反相位线31，和在写操作时刻，该放大器32经由位线30和反相位线31提供一写电压到该存储单元；读/写数据总线33和34在读操作时刻输出该读电压，和在写操作时刻接收作为其输入的写电压；传输门35和36完成上述读出放大器32和读/写数据总线33和34的开关动作。在图1所示的半导体存储装置中，通过读出存储在存储单元中的数据送到位线30和反相位线31作为读出电压，由读出放大器32放大该读出电压，并经由传输门35和36送到读/写数据总线33和34，以此来执行数据的读出操作。通过提供经由传输门35和36将来自读/写数据总线33和34的写电压送至感应放大器32，并将该放大的写电压经由位线30和反相位线31送到该存储单元，以此来执行数据的写操作。然而...
【技术保护点】
其中具有一读出门电路结构的晶体管被连接在一位线和一数据总线之间的一种半导体存储装置包括： 一控制晶体管，它被设置在具有读出门电路结构的晶体管的源极或漏极和地之间，并在数据的写操作时刻被关断； 一读晶体管，它被设置在具有读出门电路结构的晶体管和数据总线之间，并在一读操作时刻和该写操作时刻，由一读请求信号使其导通；和 一写晶体管，它被设置在该具有读出门电路结构的前面一级处，并由一写请求信号导通，和在位线和读晶体管之间完成开关动作。
【技术特征摘要】
JP 1994-6-20 137315/94;JP 1993-12-24 328340/931. 其中具有一读出门电路结构的晶体管被连接在一位线和一数据总线之间的一种半导体存储装置包括一控制晶体管，它被设置在具有读出门电路结构的晶体管的源极或漏极和地之间，并在数据的写操作时刻被关断；一读晶体管，它被设置在具有读出门电路结构的晶体管和数据总线之间，并在一读操作时刻和该写操作时刻，由一读请求信号使其导通；和一写晶体管，它被设置在该具有读出门电路结构的前面一级处，并由一写请求信号导通，和在位线和读晶体管之间完成开关动作。2. 根据权利要求1的半导体存储装置，其中的组成在于控制晶体管，它被设置在连接在位线和反相位线和数据总线和地之间的具有读出门电路结构的的晶体管源极或漏极和地之间，并在数据的写操作时刻关断；读晶体管，它被设置在具有读出门电路结构的晶体管和数据总线之间，并在一读操作时刻和一写操作时刻由一读请求信号使其导通；写晶体管，它被设置在如上所述的读出门电路结构的晶体管的前面一级，并由一写请求信号使其导通，和在位线和反相位线和读晶体管之间完成开关动作。3. 其中位线被划分并连...
【专利技术属性】
技术研发人员：宇田明博，桥口昭彦，中川原明，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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