一种LED电源输出多路短路保护电路制造技术

技术编号:30867724 阅读:24 留言:0更新日期:2021-11-18 15:37
本实用新型专利技术公开了一种LED电源输出多路短路保护电路,包括电源主电路、LED1

【技术实现步骤摘要】
一种LED电源输出多路短路保护电路


[0001]本技术涉及LED电源电路以及控制器电路领域,特别涉及一种LED电源输出多路短路保护电路。

技术介绍

[0002]目前LED电源在市场上应用非常广泛,单路输出的LED电源已经满足不了市场需求了,很多厂家已经出了双色温LED电源和RGB多路LED电源等等,大部分LED电源在多路输出短路检测,都是采用单片机检测故障信号后,再逐一关断输出驱动信号,经过单片机检测后再到关断输出驱动信号,需要一段时间,反应不够及时,在输出电压较高(36V,48V)等以上电压下,输出短路很容易烧毁输出功率器件,特别是在脉宽(PWM)信号占空比较小的时候短路,这时会检测不到短路,导致输出功率器件烧毁,而且出现故障后在长时间短路的情况下,也很容易烧毁输出功率器件,因而研发一种LED电源输出多路短路保护电路十分必要。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术提出一种LED电源输出多路短路保护电路。
[0004]本技术的一种实施例解决其技术问题所采用的技术方案是:一种LED电源输出多路短路保护电路,包括电源主电路、LED1

2、NMOS管Q1

2以及电阻R5

6,电源主电路上设置有供电端子V+、VCC以及VDD,电源主电路的输入端与外部电源连接,LED1的阳极分别与电源主电路、供电端子V+以及LED2的阳极连接,LED1的阴极与NMOS管Q1的漏极连接,NMOS管Q1的源极经电阻R5接地,LED2的阴极与NMOS管Q2的漏极连接,NMOS管Q2的源极经电阻R6接地,还包括:
[0005]驱动模块,其输出端分别与NMOS管Q1的栅极以及NMOS管Q2的栅极连接;
[0006]MCU,其输出端与驱动模块的输入端连接;
[0007]短路检测模块,分别与NMOS管Q1的源极、NMOS管Q2的源极、MCU以及驱动模块连接;短路检测模块检测到短路信号后迅速地拉低驱动模块输出的驱动信号,锁死关闭NMOS管Q1

2,且通过MCU检测短路信号,每隔一个时间间隔恢复导通NMOS管Q1

2,以使LED电源良性循坏在打嗝状态,待故障排除后,LED电源恢复正常工作。
[0008]进一步地,驱动模块包括电阻R10

11、R14

15、NPN三极管Q3

4、Q7

11和PNP三极管Q5

6,短路检测模块包括电阻R1

4、R7

9、R12

13、R16

18、二极管D1

2以及比较器U1A和U1B,MCU包括主控芯片U2,主控芯片U2的2脚经电阻R14与NPN三极管Q7的基极连接,NPN三极管Q7的集电极分别与PNP三极管Q5的基极、NPN三极管Q8的集电极和NPN三极管Q3的基极连接以及经电阻R10与供电端子VCC连接,NPN三极管Q3的发射极分别与PNP三极管Q5的发射极以及NMOS管Q1的栅极连接,NPN三极管Q8的基极分别与NPN三极管Q9的基极以及电阻R13的一端连接,PNP三极管Q5的集电极、PNP三极管Q6的集电极、NPN三极管Q7的发射极、NPN三极管Q8的发射极、NPN三极管Q9的发射极和NPN三极管Q10的发射极接地,电阻R13的另一端分
别与电阻R8的一端、比较器U1B的输出端、二极管D2的阴极以及二极管D1的阳极连接,NPN三极管Q9的集电极分别与PNP三极管Q6的基极、NPN三极管Q4的基极和NPN三极管Q10的集电极连接以及精电阻R11与供电端子VCC连接,NPN三极管Q10的基极经电阻R15与主控芯片U2的3脚连接,NPN三极管Q4的集电极与供电端子VCC连接,NPN三极管Q4的发射极分别与PNP三极管Q6的发射极以及NMOS管Q2的栅极连接,二极管D2的阳极分别与电阻R16的一端以及主控芯片U2的引脚1连接,电阻R16的另一端以及主控芯片U2的引脚8与供电端子VDD连接,主控芯片U2的引脚7经电阻R17与NPN三极管Q11的基极连接,NPN三极管Q11的发射极接地,NPN三极管Q11的集电极分别与二极管D1的阴极、比较器U1B的正极端以及电阻R18的一端连接,电阻R18的另一端与比较器U1A的输出端连接以及经电阻R2与供电端子VCC连接,比较器U1B的负极端分别经电阻R9与供电端子VCC连接以及经电阻R12接地,比较器U1A的正极端分别经电阻R4与NMOS管Q1的源极连接以及经电阻R7与NMOS管Q2的源极连接,比较器U1A的负极端分别经电阻R1与供电端子VCC连接以及经电阻R3接地。
[0009]本技术的有益效果:一种LED电源输出多路短路保护电路,包括电源主电路、LED1

2、NMOS管Q1

2以及电阻R5

6,还包括驱动模块,其输出端分别与NMOS管Q1的栅极以及NMOS管Q2的栅极连接;MCU,其输出端与驱动模块的输入端连接;短路检测模块,分别与NMOS管Q1的源极、NMOS管Q2的源极、MCU以及驱动模块连接;短路检测模块检测到短路信号后迅速地拉低驱动模块输出的驱动信号,锁死关闭NMOS管Q1

2,且通过MCU检测短路信号,每隔一个时间间隔恢复导通NMOS管Q1

2,以使LED电源良性循坏在打嗝状态,待故障排除后,LED电源恢复正常工作。
附图说明
[0010]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
[0011]图1为一种LED电源输出多路短路保护电路的框图;
[0012]图2为一种LED电源输出多路短路保护电路的电路图。
具体实施方式
[0013]本部分将详细描述本技术的具体实施例,本技术之较佳实施例在附图中示出,附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述,使人能够直观地、形象地理解本技术的每个技术特征和整体技术方案,但其不能理解为对本技术保护范围的限制。
[0014]在本技术的描述中,多个的含义是两个以上,大于、小于、超过等理解为不包括本数,以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0015]在本技术的描述中,需要理解的是,涉及到方位描述,例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。
[0016]本技术中,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED电源输出多路短路保护电路,包括电源主电路、LED1

2、NMOS管Q1

2以及电阻R5

6,所述电源主电路上设置有供电端子V+、VCC以及VDD,电源主电路的输入端与外部电源连接,LED1的阳极分别与电源主电路、供电端子V+以及LED2的阳极连接,LED1的阴极与NMOS管Q1的漏极连接,NMOS管Q1的源极经电阻R5接地,LED2的阴极与NMOS管Q2的漏极连接,NMOS管Q2的源极经电阻R6接地,其特征在于,还包括:驱动模块,其输出端分别与NMOS管Q1的栅极以及NMOS管Q2的栅极连接;MCU,其输出端与所述驱动模块的输入端连接;短路检测模块,分别与NMOS管Q1的源极、NMOS管Q2的源极、MCU以及所述驱动模块连接;短路检测模块检测到短路信号后迅速地拉低驱动模块输出的驱动信号,锁死关闭NMOS管Q1

2,且通过MCU检测短路信号,每隔一个时间间隔恢复导通NMOS管Q1

2,以使LED电源良性循坏在打嗝状态,待故障排除后,LED电源恢复正常工作。2.根据权利要求1所述的一种LED电源输出多路短路保护电路,其特征在于:所述驱动模块包括电阻R10

11、R14

15、NPN三极管Q3

4、Q7

11和PNP三极管Q5

6,所述短路检测模块包括电阻R1

4、R7

9、R12

13、R16

18、二极管D1

2以及比较器U1A和U1B,所述MCU包括主控芯片U2,主控芯片U...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑德华陈耿圳
申请(专利权)人:珠海市圣昌电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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